Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения
- Редакционная этика


Контакты

Подписка

Карта сайта




Журнал с 01.12.2015 допущен ВАК для публикации основных результатов диссертаций как издание, входящее в международные реферативные базы систем цитирования (Web Science, Scopus) (см. Vak.ed.gov.ru Перечень журналов МБД 16.03.2018г)

Аннотации (08.2014) : ВЛИЯНИЕ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ НА ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ

ВЛИЯНИЕ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ НА ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ

ВЛИЯНИЕ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ НА ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ

© 2014 г. Н. Г. Галкин*; Д. Т. Ян**; Е. А.Чусовитин*; А. Б. Расин*; К. Н. Галкин*; М. В. Боженко*; В. В. Мараров*; В. М. Асташинский***; А. М. Кузьмицкий***

 

* Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, г. Владивосток

** Дальневосточный государственный университет путей сообщения, г. Хабаровск

*** Институт тепло- и массообмена им. А.В. Лыкова НАН Беларуси, г. Минск

Е-mail: galkin@iacp.dvo.ru

Проведены измерения излучающих свойств пористого кремния, полученного анодным травлением монокристаллического кремния р-типа (100), обработанного плазмой. Обнаружен значительный рост интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) исследуемых образцов по сравнению с интенсивностью ФЛ пористого кремния, полученного на поверхности монокристаллического кремния без предварительной плазменной обработки.

 

Ключевые слова: пористый кремний, плазменная обработка, фотолюминесценция.

 

Коды OCIS: 250.0250.

УДК 537.533.3

Поступила в редакцию 06.04.2014.

ЛИТЕРАТУРА

1. Иоффе А.Ф. Физика полупроводников / М.: Изд-во АН СССР, 1957. 490 с.

2. Canham L.T. Visible photo-luminescence of porous Si// Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. № 10. P. 1046-1049.

3. Sawada S., Namada N., Ookubo N. Mechanism of visible photoluminescence of porous silicon // Phys. Rev. B. 1994. V. 49. № 8. P. 5236-5245.

4. Dimova-Malinovska D., Sendova-Vasileva M., Marinova T., Krastev V., Kamenova M. and Tzenov N. Correlation between the photoluminescence and chemical bonding in porous silicon // Thin Solid Films. 1996. V. 276. № 1-2. P. 290-292.

5. Canham L. T., Lioni A., Calcott P.D., Simons A.J., Reeves C., Houlton M.R., Newey J.P., Nash K.J. and Cox T.I. On the origin of blue luminescence arising from atmospheric impregnation of oxidized porous silicon // Thin Solid Films. 1996. V. 276. № 1-2. P. 112-115.

6. Kozlovski F., Wiedenhofer A., Wagenseil W., Steiner P. and Lang W. Stability of photoluminescence and electroluminescence of porous silicon// Thin Solid Films .1996. № 1-2. V. 276. P. 284-286.

7. Dittrich T., Flietner H., Timoshenko V.Yu. and Kashkarov P.K. Influence of the oxidation process on the luminescence of HF-treated porous silicon // Thin Solid Films. 1997. V. 255. P. 149-151.

8. Соболев Н.А. Кремний, легированный эрбием, - новый полупроводниковый материал для оптоэлектроники // Рос. хим. ж. 2001. Т. XLV. № 5-6. C. 95-101.

9. Choi S.W., Choi W.B., Lee Y.H. and Ju B.K. Effect of oxygen plasma treatment on anodic bonding // Journ. Of Kor. Phys. Soc. 2001.V. 38. № 3. P. 207-209.

10. Баимбетов Ф.Б., Ибраев Б.М., Жукешов А.М. Обработка поверхности кремния импульсной азотной плазмой // Физ. и техн. полупроводн. 2002. Т. 36. № 2. С. 197-198.

11. Galkin N.G., Chusovitin E.A., Galkin K.N., Astashinski V.M., Kuzmitski A.M., Mishchuk A.A. Morphology, optical properties and band structure parameters of monocrystalline silicon modified by compression plasma flow // Proc. of nanomeeting-2007. Ed.: V.E. Borisenko, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin. World Scientific Publishing Company, Singapore. 2007. P. 495.

12. Astashinski V.M., Ananin S.I., Emelyanenko A.S., Kosytukevich E.A., Kuzmitski A.M., Zhvavy S.P., Uglov V.V. Bulk periodic strucrures formation on monocrystalline silicon surface under the action of compression plasma flow// Applied Surface Science. 2006. V. 253. №. 4. P. 1866-1872.

13. Dojcinovic I.P., Kuraica M.M. and Puric J. Diagnostis of silicon submicron cylindrical structures obtained by plasma flow action // Vacuum. V. 80. 2006. P. 1381-1385.

14. Petukhou Y.A., Uglov V.V., Kvasov N.T., Punko A.V., Dorochevich I.L., Astashinski V.M., Kuzmitski A.M. Formation of silcon-based nanostructures by compession plasma flow//Nanomaterials: application and properties.NAP-2011. Vol. 1. Part II. P. 440-447.

 

Полный текст