Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения


Контакты

Подписка

Карта сайта





Журнал с 19.02.2010 входит в новый «Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание ученой степени доктора и кандидата наук»
ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ШИРОКОЗОННЫХ СОЕДИНЕНИЙ ЭЛЕМЕНТОВ II–VI ГРУПП С ПРИМЕСЬЮ ОЛОВА

© 2012 г.    В. П. Махний*, доктор физ.-мат. наук; Ю. Н. Бойко*, канд. физ.-мат. наук; Е. В. Протопопов**, канд. хим. наук

 

* Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, г. Черновцы, Украина

** Институт медико-биологических проблем РАН, Москва

Е-mail: evgen.protopopov@gmail.com

Исследованы люминесцентные свойства слоев халькогенидов кадмия и цинка, полученных диффузией олова в закрытом объеме из паровой фазы. Установлено, что легирование подложек ZnSe, CdS и CdSe вызывает увеличение эффективности краевого излучения, а ZnTe – к его исчезновению и появлению новой полосы в области энергий 1,8–2,1 эВ. Отсутствие люминесценции слоев CdTe:Sn в диапазоне 0,6–1,6 эВ объясняется эффектом гофрирования зон.

Ключевые слова: диффузия, амфотерная примесь, люминесценция, экситоны, донорно-акцепторная пара.

Коды OCIS: 310.0310, 310.1210, 310.6860

УДК 535.33; 548.0

Поступила в редакцию 11.02.2011

 

ЛИТЕРАТУРА

  1. Фистуль В.И. Амфотерные примеси в полупроводниках. М.: Металлургия, 1992. 240 с.
  2. Фистуль В.И. Атомы легирующих примесей в полупроводниках. М.: Физ.-мат. лит., 2004. 432 с.
  3. Недеогло Д.Д., Симашкевич А.В. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка. Кишинев: Штиинца, 1984. 152 с.
  4. Ткаченко І.В. Механізми дефектоутворення та люмінесценціі у бездомішкових і легованих телуром кристалах селеніду цинку // Дис. канд. фіз.-мат. наук, 2005. 136 с.
  5. Gryvul V.I., Makhniy V.P., Tkachenko I.V. Defect formation in diffysive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg // Function Materials. 2007. V. 14. № 3. Р. 48–52.
  6. Гривул В.И., Махний В.П., Слетов М.М. Природа краевой люминесценции диффузионных слоев ZnSe:Sn // ФТП. 2007. Т. 47. В. 7. С. 806–807.
  7. Koh Era, Langer D.W. Luminescence of ZnSe near the band edge under strong laser light excitation // J. Luminescence. 1970. V. 1–2. P. 514–527.
  8. Гавриленко В.И., Грехов А.М., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Оптические свойства полупроводников: Справочник. Киев: Наукова думка, 1987. 607 с.
  9. Физика и химия соединений АIIBVI / Под ред. Медведева С.А. М.: Мир, 1970. 624 с.
  10. Махний В.П., Гривул В.И. Диффузионные слои ZnТe:Sn с электронной проводимостью // ФТП. 2006. Т. 40. В. 7. С. 794–795.
  11. Середюк В.В., Ваксман Ю.Ф. Люминесценция полупроводников. Киев–Одесса: Вища школа, 1988. 200 с.
  12. Корбутяк Д.В., Мельничук С.В., Корбут Е.В., Борисюк М.М. Телурид кадмію: домішково-дефектні стани та детекторні властивості. Київ: Іван Федоров, 2000. 198 с.
  13. Махний В.П. Полуизолирующие слои теллурида кадмия // ЖТФ. 2005. Т. 75. В. 11. С. 122–123.
  14. Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники. М.: Наука, 1967. 415 с.

 

 

Полный текст

 

 



 
Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 16 Далее