Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения
- Редакционная этика


Контакты

Подписка

Карта сайта




Журнал с 01.12.2015 допущен ВАК для публикации основных результатов диссертаций как издание, входящее в международные реферативные базы систем цитирования (Web Science, Scopus) (см. Vak.ed.gov.ru Перечень журналов МБД 16.03.2018г)

Аннотации (03.2013) : ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ НАПЫЛЕНИЯ ПЛЕНОК ОКИСЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И МЕТАЛЛОВ НА ОРИЕНТАЦИЮ ЖИДКИХ КРИСТАЛЛОВ

ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ НАПЫЛЕНИЯ ПЛЕНОК ОКИСЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И МЕТАЛЛОВ НА ОРИЕНТАЦИЮ ЖИДКИХ КРИСТАЛЛОВ

 

© 2013 г.    Л. П. Амосова, канд. физ.-мат. наук

 

СПбНИУ ИТМО, Санкт-Петербург

E-mail: l_amosova@mail.ru

В обзоре рассматривается влияние основных параметров режимов напыления окислов полупроводников и металлов на структуру и рельеф осаждаемой пленки и анализируются механизмы ориентации жидких кристаллов (ЖК) с помощью таких пленок. Приводится зависимость между углами напыления, наклона кристаллитов и наклона директора ЖК. Показано, что при увеличении угла напыления ориентирующей пленки относительно плоскости подложки энергетически выгодным может оказаться переход либо к планарной, либо к гомеотропной ориентации ЖК в зависимости от скорости напыления пленки.

Ключевые слова: жидкие кристаллы, ориентация жидких кристаллов, окислы полупроводников и металлов, наклонное напыление.

Коды OCIS: 230.3720, 160.3710.

УДК 53.097; 532.016; 535.15; 535.557; 537.9

Поступила в редакцию 05.09.2012.

 

ЛИТЕРАТУРА

1.         Jiao M., Ge Z., Song Q., Wu S.-T. Alignment layer effects on thin liquid crystal cells // Appl. Phys. Lett.  2008. V. 92. P. 061102.

2.         John L. Janning. Thin film surface orientation for liquid crystals // Appl. Phys. Lett. 1972. V. 21. № 4. P. 173–174.

3.         Горбунов О.Б., Мухаев А.А., Курчаткин С.П., Севостьянов В.П., Филипченко В.Я., Финкильштейн С.Х. Ориентация жидких кристаллов с помощью косонапыленных пленок монооксида германия // Неорганические материалы. 1983. Т. 19. № 3. С. 467–470.

4.        Коньяр Ж. Ориентация нематических жидких кристаллов и их смесей // Минск: Университетское, 1986. 104 с.

5.         Wilson T., Boyd G.D., Westerwick E.H., Storz F.G. Alignment of Liquid Crystals on Surfaces with Film Depo-sited Obliquely at Low and High Rates // Mol. Cryst. Liq. Cryst. 1983. V. 94. P. 359–366.

6.        Goodman L.A., McGinn J.T., Anderson C.H., Digeronomo F. Topography of obliquely evaporated silicon oxide films and its effects on liquid crystal orientation // IEEE Trans. Electron Devices. 1977. ED-24. P. 795.

7.         Urbach W., Boix M., Guyon E. Alignment of nematics and smectics on evaporated films // Appl. Phys. Lett. 1974. V. 25. № 9. P. 479–481.

8.        Wan-Rone Lioua, Chin-Ying Chenb, Jyh-Jier Hoa, Chao-Kuei Hsua, Chung-Cheng Changa, Robert Y. Hsiaoc, Shun-Hsyung Changa. An improved alignment layer grown by oblique evaporation for liquid crystal devices // Displays. 2006. V. 27. № 2. P. 69–72. 

9.        Mokade M., Martinot-Lagarge Ph., Durand G., Granjean C. SiO Evaporated Films Topography and Nematic Liquid Crystal Orientation // J. Phys. II France. 1997. № 7. P. 1577–1596.

10.       Mokade M., Boix M., Durand G. Order Electricity and Oblique Nematic Orientation on Rough Solid Surfaces // Europhysics Letters. 1988. V. 5. № 8. P. 697–702.

11.       Celinski Z., Reisman L., Harward I., Glushchenko A. New alignment liquid crystal techniques for operation at harsh ambient conditions and high intensity light // Proc. SPIE. 2009. V. 7329. P. 73290G 1-5.

12.       Коншина Е.А., Федоров М.А., Амосова Л.П., Воронин Ю.М. Влияние поверхности на фазовую модуляцию света в слое нематического жидкого кристалла // Журнал технической физики. 2008. Т. 78. № 2. С. 71–76.

13.       Liang Dong, Richard W. Smith, David J. Srolovitz. A two-dimensional molecular dynamics simulation of thin film growth by oblique deposition // J. Appl. Phys. 1996. V. 80. № 10. P. 5682–5690.

14.       Julian Cheng, Boyd G.D., Storz F.G. A scanning electron microscope study of columnar topography and liquid crystal alignment on obliquely deposited oxide surfaces at low rates // Appl. Phys. Lett. 1980. V. 37. № 8. P. 716–719.

15.       Коншина Е.А., Иванова Н.Л., Парфенов П.С., Федоров М.А. Динамика переориентации двухчастотного нематического жидкого кристалла с квазигомеотропной структурой // Оптический журнал. 2010. Т. 77. № 12. С. 45–51.

16.       Zhao Y.-P., Ye D.-X., Wang G.-C., Lu T.-M. Designing Nanostructures by Glancing Angle Deposition // Proc. SPIE. 2003. V. 5219. P. 59–73.

17.       Trait R.N., Smy T., Brett M.J. Modeling and characterization of columnar growth in evaporated films // Thin Solid films. 1993. V. 226. P. 196.

18.       Muller K.H. Dependence of thin-film microstructure on deposition rate by means of a computer simulation // J. Appl. Phys. 1985. V. 58. P. 2573–2576.

19.       Paik S.M., Kim S., Schuller I.K., Ramirez R. Surface kinetics and roughness on microstructure formation in thin films // Phys. Rev.B.1991. V. 43. № 2. P. 1843–1846.

20.      Cheng Chen, Philip J. Bos, James E. Anderson. Anchoring transitions of liquid crystals on SiOx // Liquid Cystals. 2008. V. 35. № 4. P. 465–481.

21.       Dubois-Violette E., de Gennes P.G. Effect of Long Range Van der Waals Forces on the Anchoring of a Nematic Fluid at an Interface // J. Coll. Int. Sci. 1976. V. 57. P. 403.

22.      Barbero G., Durand G. Order parameter spatial variation and anchoring energy for nematic liquid crystals // J. Appl. Phys. 1991.V. 69. № 10. P. 6968–6973.

23.      Heffner W.R., Berreman D.W., Sammon M., Meiboom S. Light crystal alignment on surfactant treated obli-quely evaporated surfaces // Appl. Phys. Lett. 1980. V. 36. № 2. P. 144–146.

 

 

Полный текст