Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения


Контакты

Подписка

Карта сайта





Журнал с 19.02.2010 входит в новый «Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание ученой степени доктора и кандидата наук»
Аннотации (05.2012) : ПРЕДЕЛЬНЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ, РЕАЛИЗУЕМОЙ В ВИДИМОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА НА ТОНКИХ СЛОЯХ ХАЛЬКОГЕНИДНОГО СТЕКЛООБРАЗНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА

ПРЕДЕЛЬНЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ, РЕАЛИЗУЕМОЙ В ВИДИМОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА НА ТОНКИХ СЛОЯХ ХАЛЬКОГЕНИДНОГО СТЕКЛООБРАЗНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА

© 2012 г.    С. Н. Корешев*, доктор техн. наук; В. П. Ратушный**

 

* Санкт­Петербургский национальный исследовательский университет информационных   технологий, механики и оптики, Санкт­Петербург

** ЗАО ХолоГрэйт, Санкт­Петербург

 Е­mail: koreshev@list.ru

Приведены результаты исследования параметров структур (минимального периода следования элементов и скважности), получаемых под действием излучения аргонового лазера на тонких пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника, нанесенных на слои рентгеноаморфного хрома. Показано, что экспонируемые излучением с длиной волны 0,488 мкм тонкие пленки трехкомпонентного стеклообразного полупроводника могут быть использованы в методе интерференционной фотолитографии для получения структур с минимальным периодом 260 нм и минимальным размером элемента структуры 65 нм. Установлена возможность уменьшения минимального размера элемента структуры до 50 нм при увеличении периода следования элементов до 600 нм за счет использования “двухмасочной” технологии интерференционной фотолитографии.

Ключевые слова: интерференционная фотолитография, тонкие пленки, стеклообразный полупроводник.

Коды OCIS: 110.5220.

УДК 535.417; 535.317; 778.38

Поступила в редакцию 13.10.2011.

Литература

1.         Berger V., Gauthier­Lafaye O., Costard E. Fabrication of a 2D photonic bandgap by a holographic method // Electronics letters. 1997. V. 33. № 5. P. 425–426.

2.         Campbell M., Sharp D.N., Harrison M.T., Denning R.G., Turberfield A.J. Fabrication of photonic crystals for the visible spectrum by holographic lithography // Nature. 2000. V. 404. P. 53–56.

3.         Корешев С.Н., Белых А.В., Ратушный В.П. Голографическая фотолитография на основе тонких пленок халькогенидного стеклообразного полупроводника // Оптический журнал. 2007. Т. 74. № 7. С. 80–85.

4.         Корешев С.Н., Ратушный В.П. Наноструктурирование тонких пленок халькогенидного стеклообразного полупроводника в процессе формирования рельефно­фазовых голограммных структур // Опт. и спектр. 2009. Т. 106. № 2. С. 331–336.

5.         Корешев С.Н., Ратушный В.П. Зависимость параметров паразитного наноструктурирования рельефно­фазовых голограммных структур на тонких пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника от высоты их рельефа // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 5. С. 47–50.

 

 

Полный текст