Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения
- Редакционная этика


Контакты

Подписка

Карта сайта




Журнал с 01.12.2015 допущен ВАК для публикации основных результатов диссертаций как издание, входящее в международные реферативные базы систем цитирования (Web Science, Scopus) (см. Vak.ed.gov.ru Перечень журналов МБД 16.03.2018г)

Аннотации (05.2016) : ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СИСТЕМ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ АIIВIVС2V–ЭЛЕКТРОЛИТ

ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СИСТЕМ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ АIIВIVС2V–ЭЛЕКТРОЛИТ

 

© 2016 г.     В. Ю. Рудь*, доктор физ.-мат. наук; Ю. В. Рудь**, доктор физ.-мат. наук; Е. И. Теруков**, доктор техн. наук

*   Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург

** Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург

Е-mail: rudvas.spb@gmail.com

Изучена фоточувствительность контакта тройных полупроводниковых соединений типа АIIВIVС2V с электролитом в естественном и линейно-поляризованном излучении. Cделан вывод, что высокая фоточувствительность полученных контактов определяется фотоактивным поглощением в кристаллах АIIВIVС2V. Обнаружена поляризационная фоточувствительность у систем на основе прямозонных полупроводников АIIВIVС2V с решеткой халькопирита и изучены спектры естественного фотоплеохроизма. С этой целью применен метод поляризационной фотоэлектрической спектроскопии, что позволило сформулировать вывод о перспективности применения контакта анизотропных полупроводников АIIВIVС2V с электролитом в качестве поляриметрических фотодетекторов.

Ключевые слова: поляриметрические фотодетекторы, поляризационная фоточувствительность, фотоплеохроизм.

Коды OCIS: 040.5150 , 040.5160

УДК 535-45 535.016

Поступила в редакцию 27.01.2016

ЛИТЕРАТУРА

1.         Рудь Ю.В. Фотоплеохроизм и физические принципы создания полупроводниковых фотодетекторов // Изв. вузов СССР. Физика. 1986. Т. XXIX. № 8. С. 68–83.

2.         Батенков В.А. Электрохимия полупроводников. Барнаул: Изд-во Алт. ун-та, 2002. 162 с.

3.         Боднарь И.В., Дмитриева Е.С., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фотоэлектрохимические ячейки H2O/CuIn3Se5: создание и свойства // ЖТФ. 2005. Т. 75. № 3. С. 84–87.

4.        Лукьянчикова Н.Б., Пекарь Г.С. Электролюминесцентные и фотоэлектрические свойства структур ZnS-электролит / В кн.: Физика и технические применения полупроводников AIIIBV. Вильнюс, 1983. С. 121–122.

5.         Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М. Светочувствительные свойства структур полупроводник-электролит / В кн.: Проблемы применения полупроводников. Л.: Наука, 1979. С. 5–52.

6.        Кесаманлы Ф.П., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Естественный фотоплеохроизм в полупроводниках. Обзор // ФТП. 1996. Т. 30. С. 1921–1942.

7.         Рудь В.Ю. Фотоплеохроизм алмазоподобных полупроводников и поляриметрические структуры на их основе // Дис. докт. физ.-мат. н. Ульяновск: УлГУ, 2005. 374 с.

8.        Филатов Д.О., Карпович И.А., Шилова М.В., Демиховский В.Я., Хомицкий Д.В. Поляризационная зависимость спектров фототока фотодиодов с барьером Шоттки на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами // Известия АН. Сер. физическая. 2004. Т. 68. С. 98–100.

9.        Shay J.L., Wernick J.H. Ternary chalcopyrites semconductors: Growth, electronic properties and applications. Oxford: Pergamon Press, 1955. 1044 p.

 

Полный текст >>>