© 2009 г. В. П. Махний, доктор физ.-мат. наук; М. М. Слетов, доктор физ.-мат. наук; С. В. Хуснутдинов
Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, г. Черновцы, Украина
Е-mail: xystik@meta.ua
Исследованы люминесцентные свойства слоев оксида цинка, полученных термическим отжигом монокристаллических подложек нелегированного селенида цинка на воздухе. Установлено, что спектр фотолюминесценции при 300 K в диапазоне 1,6–3,2 эВ состоит из красной, зеленой, желтой и ультрафиолетовой (УФ) полос. Первые три обусловлены переходами через глубокие уровни, а УФ – межзонной рекомбинацией при взаимодействии носителей с LO-фононами.
Ключевые слова: оксид цинка, люминесценция, дифференциальные спектры, LO-фо- ноны.
Коды OSIC: 1000.10000, 260.3800
УДК. 535.33; 548.0
Поступила в редакцию 19.01.2009
ЛИТЕРАТУРА
1. Оzgur U, Alivov Ya. I., Liu C., Teke A., Reshchikov M. A., Dogan S., Avrutin V., Cho S.-J., Morkoc , H. A Comprehensive Review of ZnO Materials and Devices // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. P. 1–103.
2. Махний В.П., Демич Н.В., Слетов М.М., Слетов А.М. Особенности физических свойств гетерослоев изовалентного замещения широкозонных II–IV соединений // Сб. докл. Междунар. научн. конф. “Актуальные проблемы физики твердого тела”. Минск, 2005. Т. 1. С. 385–387. . Махній В.П. Принципи та методи модуляційної спектроскопії. Чернівці: Рута, 2001. 101 с.
4. Makhniy V.P., Slyotov M.M., Stets E.V., Tkachenko I.V., Gorley V.V., Gorley P.P. Application of modulation spectroscopy for determination of recombination centres parameters // Thin Solid Films. 2004. V. 450. P. 222–225.
5. Махний В.П., Слетов М.М., Слетов А.М., Ткаченко И.В. Влияние сверхстехиометрических компонент на люминесценцию селенида цинка // Изв. ВУЗов. Физика. 2005. № 1. С. 222–225.
6. Физика соединений А2 В6 / Под ред. Георгобиани А.Н., Шейнкмана М.К. М.: Наука, 1986. 320 с.
7. Махний В.П., Слетов М.М., Хуснутдинов С.В. Получение слоев ZnO на подложках халькогенидов цинка // Неорганические материалы. 2007. Т. 43. № 12. C. 1449–1451.
8. Калинкин И.П., Муравьева К.К. Электролюминесцирующие пленки / Под ред. Фока М.В. Тарту: Изв. Университета, 1972. С. 7–87.
9. Бутхузи Т.В., Георгобиани А.Н., Зада-Углы Е., Эльтазаров Б.Т., Хулордава Т.Г. Люминесценция монокристаллических слоев окиси цинка n- и p-типа проводимости // Труды ФИАН. 1987. Т. 182. С. 140–187.
10. Копылов А.А., Пихтин А.И. Форма спектров поглощения и люминесценции на глубоких центрах в полупроводниках (кислород в фосфиде галлия) // ФТП. 1974. Т. 8. В. 12. С. 2390–2403.
11. Кузьмина И.П., Никитенко В.А. Окись цинка: Получение и оптические свойства. М.: Наука, 1984. 165 с.
Полный текст >>>>>
Luminescence mechanisms of zinc oxide layers obtained by isovalent substitution
V. P. Makhniĭ, M. M. Sletov, and S. V. Khusnutdinov
This paper discusses the luminescence properties of zinc oxide layers obtained by thermally annealing single-crystal substrates of undoped zinc selenide in air. It is established that the photoluminescence spectrum at 300K in the 1.6-3.2-ev region consists of red, green, yellow, and UV bands. The first three are caused by transitions via deep levels, while the UV band is caused by interband recombination accompanied by interaction of the carriers with LO phonons.