Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения


Контакты

Подписка

Карта сайта





Журнал с 19.02.2010 входит в новый «Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание ученой степени доктора и кандидата наук»
Аннотации (06.2011) : ОСОБЕННОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ ЛАЗЕРНОГО ФАКЕЛА АЛЮМИНИЯ ПРИ НАЛИЧИИ ФОНОВОГО ГАЗА

ОСОБЕННОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ ЛАЗЕРНОГО ФАКЕЛА АЛЮМИНИЯ ПРИ НАЛИЧИИ ФОНОВОГО ГАЗА

© 2011 г. А. К. Шуаибов, доктор физ.-мат. наук; Л. В. Месарош, аспирант; М. П. Чучман, канд. физ.-мат. наук

 

Ужгородский национальный университет, г. Ужгород, Украина

Е-mail: shuaibov@univ.uzhgorod.ua

 

Исследовано образование лазерного факела алюминия при разных давлениях воздуха (р = 6,7–133,3 Па). Обнаружено, что процесс формирования ударной волны влияет на зависимость интенсивности излучения лазерной плазмы от расстояния до мишени, что проявляется в виде излома на соответствующей кривой. Значения расстояний соответствуют рассчитанным расстояниям, при которых возникает ударная волна.

 

Ключевые слова:                    лазерная плазма, алюминий, ударная волна, пространственные характеристики излучения плазмы.

 

Коды OCIS: 140.0140, 3000.0300.

УДК 533.9; 53.092

 

Поступила в редакцию 09.12.2010.

 

ЛИТЕРАТУРА

1. Nica P., Vizureanu P., Agop M., Gurlui S., Focsa C. Experimental and Theoretical Aspects of Aluminium Expanding Laser Plasma // J. Jap. Appl. Phys. 2009. V. 48. Р. 1–6.

2. Sбnchez-Garcia M.A., Calleja E., Monroy E., Sбnchez F.J., Muсoz F.E., Beresford R. The effect of the III/V ratio and substrate temperature on the morphology and properties of GaN- and AlN-layers grown by molecular beam epitaxy on Si(1 1 1) // J. of Crystal Growth. 1998. V. 183. № 1–2. P. 23–30.

3. Grzegory I., Bockowski M., Lucynik B. Direct evidence of tensile strain in wurtzite structure n-GaN layers on n-Si (111) using AlN buffer layers // J. Mater. Sci. Semicond. Process. 2001. V. 4. P. 535–539.

4. Wallin E., Munger E. P., Chirita V., Helmersson U. Low-temperature alumina thin film growth: ab initio studies of Al adatom surface migration // J. Phys. D: Appl. Phys. 2009. V. 42. P. 1–7.

5. Рабек Я. Экспериментальные методы в фотохимии и фотофизике. М.: Мир, 1985. 68 с.

6. Ristocu C., Gyorgy E., Mihailescu I.N., Klini A., Zorba V., Fotakis C. Effects of pulse laser duration and ambient nitrogen pressue in PLD of AlN // Appl. Phys. 2004. V. 79. P. 927–929.

7. Harilal S.S., Bindhu C.V., Tillack M.S., Najmabadi F., Gaeris A.C. Internal structure and expansion dynamics of laser ablation plumes into ambient gases // J. of Applied Physics. 2003. V. 93. № 5. P. 2380–2388.

8. Albert O., Roger S., Glinec Y., Loulergue J.C., Etchepare J., Boumer-Leborgne C., Perriere J., Millon E. Nanoparticle formation by femtosecond laser ablation // J. Appl. Phys. 2003. V. 90. P. 456–459.

9. Danylyk Y., Romanov D., McCullen E. Optical properties of controllable self-assembled lateral nanostructures on InN, InAlN, and AlN thin films // Mat. Res. Soc. Proc. 2003. V. 743. P. 1–4.

10. Pulsed Laser Deposition of Thin Films / Ed. by Chrisey D.B., Hubler C.K. New York: Wiley, 1994. 265 p.

11. Laser Ablaition of Electronic Materials, Basic Mechanisms and Applications / Ed. by Fogsrassy E., Lazare S. Amsterdam: Elsevier Science, 1992. 394 p.

12. Itina T., Hermann J., Delaporte P., Sentis M. Laser-generated plasma plume expansion: Combined continuous-microscopic modeling // Phys. Review. 2002. E 66. P. 1–12.

13. Shaikh N.M., Hafeez S., Rashid B., and Baig M.A. Spectroscopic studies of laser induced aluminum plasma using fundamental, second and third harmonics of a Nd:YAG laser // Eur. Phys. J. 2007. V. 44. P. 371–379.

14. Месарош Л.В., Чучман М.П., Шуаібов О.К., Качер І.Е., Ласлов Г.Е. Дослідження випромінювання лазерної плазми алюмінію при різних тисках повітря // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2009. Т. 25. С. 126–130.

15. Pakhal H.R., Lucht R.P., Laurendeau N.M. Spectral measurements of incipient plasma temperature and electron number density during laser ablation of aluminium in air // J. Appl. Phys. 2008. V. 90. P. 15–27.

16. Perez-Tijerina E., Bohigas J., Machorro R. Density and temperature maps of an aluminium plasma produced by laser ablation // Investigaci on revista Mexicana de fisica. 2005. V. 51. Р. 153–156.

17. Бакеев А.А., Барихин Б.А., Боровков В.В., Васильєв Л.А., Николашина Л.И., Павловський А.И., Прокопенко Н.В., Суханов Л.В., Федосимов А.И., Яковлев В.И. Экспериментальное исследование воздействия излучения лазера на родамине 6G на алюминий // Квант. электрон. 1980. Т. 7. № 2. С. 349–354.

18. Сухов Л.Т. Лазерный спектральный анализ. Новосибирск: Наука, 1990. 143 c.

19. Мищенко К.П., Равдель А.А. Краткий справочник физико-химических величин. Л.: Химия, 1974. 200 c.

20. Чучман М.П., Шуаибов А.К. Эмиссионные характеристики и параметры лазерного факела на основе германия // Физика плазмы. 2008. Т. 34. № 4. С. 340–346.

21. Чучман М.П., Шуаибов О.К., Месарош Л.В. Влияние давления воздуха на пространственные характеристики лазерного факела алюминия в припороговом режиме абляции // ЖТФ. 2011. Т. 8. В. 1. C. 121–124.

22. Harilal S.S. Expansion dynamics of laser ablated carbon plasma plume in helium ambient // Appl. Surface Science. 2001. V. 172. P. 103–110.

23. Harilal S.S., O’Shay B., Tao Y., Tillack M.S. Ambient gas effects on the dynamics of laser-produced tin plume expansion // J. of Applied Physics. 2006. V. 99. Р. 1–10.

 

 

Полный текст