Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения


Контакты

Подписка

Карта сайта





Журнал с 19.02.2010 входит в новый «Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание ученой степени доктора и кандидата наук»
Аннотации (06.2012) : Планарная система регистрации субмиллиметрового излучения

Планарная система регистрации субмиллиметрового излучения

© 2012 г.    А. К. Есман, доктор физ.-мат. наук; В. К. Кулешов, канд. техн. наук; Г. Л. Зыков, канд. физ.-мат. наук; В. Б. Залесский, канд. техн. наук

 

ГНУ “Институт физики имени Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси”,  г. Минск, Беларусь

E-mail: lomoi@inel.bas-net.by

Показано, что выполнение системы регистрации субмиллиметрового излучения на основе планарных открытых микрорезонансных структур в виде аподизированных диэлектрических решеток с коэффициентом заполнения, изменяющимся по линейному закону, связанных через трансформатор импеданса с низкобарьерным детекторным диодом Шоттки без смещения, позволяет достичь

– потерь на отражение – –26,5 дБ,

– коэффициента стоячей волны – 1,1,

– эффективности преобразования – 98,6% при шумовой эквивалентной мощности NEP – 8,05´10–12 Вт Гц–1/2.

Ключевые слова: аподизированная диэлектрическая решетка, низкобарьерный диод Шоттки с нулевым смещением, субмиллиметровое излучение, трансформатор импеданса.

Коды OCIS: 040.2235, 040.6808, 110.3080.

УДК 621.376.234: (621.396.62: 523.164)

Поступила в редакцию 17.10.2011.

 

Литература

1.         Маремьянин К.В., Ермолаев Д.М., Фатеев Д.В., Морозов С.В., Малеев Н.А., Земляков В.Е., Гаври- ленко В.И., Попов В.В., Шаповал С.Ю. Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площади // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 8. С. 39–47.

2.         Momot N., Zabudsky V., Tsybrii Z., Apats’ka M., Smoliy M., Dmytruk N. Zero bias terahertz and subterahertz detector operating at room temperature // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2010. V. 13. № 2. P. 166–169.

3.         Ruonan Han, Yaming Zhang, Coquillat D., Hoy J., Videlier H., Knap W., Brown E., Kenneth K.O. 280-GHz Schottky diode detector in 130 nm digital CMOS // 2010 IEEE Custom Integrated Circuits Conference, San Jose, California, USA, 2010. P. 619–623.

4.         Giovine E., Casini R., Dominijanni D., Notargiacomo A., Ortolani M., Foglietti V. Fabrication of Schottky diodes for terahertz imaging // Microelectronic Eng. 2011. V. 88. № 8. P. 2544–2546.

5.         Gonzalez F.G., Boreman G.D. Comparison of dipole, bowtie, spiral and log-periodic IR antennas // Infrared Physics and Technology. 2005. V. 46. № 5. P. 418–428.

6.         Есман А.К., Кулешов В.К., Зыков Г.Л. Детектирующая антенна терагерцового диапазона // Патент Респуб-лики Беларусь на полезную модель № 7220. 2011.

7.         HFSS v12.0 User Manual. Pittsburgh, PA: Ansoft Corporation, 2009.

8.         Банков С.Е., Курушин А.А. Расчет антенн и СВЧ структур с помощью HFSS Ansoft. М.: ЗАО “НПП “Родник”, 2009. 256 с.

9.         Sydlo C., Cojocari O., Schonherr D., Goebel T., Meissner P., Hartnagel H.L. Fast THz detectors based on InGaAs Schottky diodes // Frequenz. 2008. V. 62. № 5–6. P. 107–110.

10.      Shashkin V.I., Drjagin Y.A., Zakamov V.R., Krivov S.V., Kukin L.M., Murel A.V., Chechenin Y.I. Millimeter-wave detectors based on antenna-coupled low-barrier Schottky diodes // Intern. J. of Infrared and Millimeter Waves. 2007. V. 28. № 11. P. 945–952.

 

 

Полный текст