Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения
- Редакционная этика


Контакты

Подписка

Карта сайта




Журнал с 01.12.2015 допущен ВАК для публикации основных результатов диссертаций как издание, входящее в международные реферативные базы систем цитирования (Web Science, Scopus) (см. Vak.ed.gov.ru Перечень журналов МБД 16.03.2018г)

УВАЖАЕМЫЕ ПОДПИСЧИКИ НАШЕГО ЖУРНАЛА!
По техническим причинам «Оптический журнал» не попал в каталог агентства «Роспечать» на II полугодие 2018 г., что делает невозможной подписку на него на почте. Предлагаем оформить подписку на II полугодие 2018 в редакции журнала удобным Вам способом. Стоимость подписки на полугодие сохраняется (6600 руб.).
Связаться с нами можно по т. (812) 315-05-48, Е-mail: beditor@soi.spb.ru

ФОТОРЕЗИСТОРЫ С ЭКСКЛЮЗИЕЙ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДАДЛЯ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 8–16 МКМ ИЗ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР N-CDXHG1–XTE

 

© 2018 г.       А. В. Филатов, канд. техн. наук; Е. В. Сусов, канд. техн. наук; В. В. Карпов, канд. физ.-мат. наук

АО «Московский завод «САПФИР», Москва

E-mail: info@mzsapphir.ru

УДК 621.383.45: 621.793.09

Поступила в редакцию 13.02.2018

DOI:10.17586/1023-5086-2018-85-06-58-66

В условиях неравновесного режима эксклюзии неосновных носителей заряда исследована в широком диапазоне фонового излучения работа фоторезисторов из гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1–xTe (x = 0,187–0,215) постоянного состава с варизонными слоями, полученными молекулярно-лучевой эпитаксией. В пикселе размером 50×50 мкм фоторезистора определены зависимости концентрации электронов и времени жизни носителей заряда от напряжения смещения при температуре жидкого азота. Установлено, что концентрация электронов в режиме эксклюзии снижается до величины, близкой к собственной концентрации носителей заряда. Для фоторезисторов из структур х = 0,203 в режиме эксклюзии получены вольтовая чувствительность более 2,4×107 В/Вт и удельная обнаружительная способность 5,3×1011 смГц1/2/Вт при 77 K и плоском угле зрения 140. Показано, что для создания высокоэффективных быстродействующих фоторезисторов на диапазон спектра 16–17 мкм, охлаждаемых не ниже температуры жидкого азота, перспективно использовать режим эксклюзии неосновных носителей заряда.

Ключевые слова: гетероэпитаксиальные структуры кадмий-ртуть-теллур, фоторезистор, эксклюзия носителей заряда.

Коды OCIS: 230.5160, 040.3060, 160.6840

 

Литература

1.         Ashley T., Elliott C.T. Non-equilibrium mode of operation for infrared detection // Electron. Lett. 1985. V. 21. P. 451–452.

2.         Ashley T., Elliott C.T., White A.M. Infrared detection using minority carrier exclusion // SPIE Proc. 1986. V. 588. P. 62–68.

3.         Djurić Z., Jović V., Matić M., Jakšić Z. IR photodetector with exclusion effect and self-filtering n+ layer // Electronics Lett. 1990. V. 2. P. 929–931.

4.        Ashley T., Elliott C.T., Harker A.T. Non-equilibrium modes of operation for infrared detectors // Infrared Phys. 1986. V. 26. P. 303–315.

5.         Djurić Z., Piotrowski J. Infrared photodetector with electromagnetic carrier depletion // Opt. Eng. 1992. V. 31. P. 1955–1960.

6.        Ashley T., Elliot C.T., White A.M. Non-equilibrium devices for infrared detection // SPIE Proc. 1985. V. 572. P. 123–132.

7.         Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Liberman V.I., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G. Molecular beam epitaxy of high quality Hg1–хCdхTe films with control of the composition distribution // J. Cryst. Growth. 1996. V. 159. P. 1161.

8.        Филатов А.В., Сусов Е.В., Гусаров А.В., Акимова Н.М., Крапухин В.В., Карпов В.В., Шаевич В.И. Долговременная стабильность фоторезисторов спектрального диапазона 8–12 мкм, изготовленных из гетероэпитаксиальных структур CdHgTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 49–54.

9.        Филатов А.В., Сусов Е.В., Карпов В.В. Образование, природа и отжиг дефектов в гетероэпитаксиальных структурах Cd0,2Hg0,8Te и фоторезисторах, подвергнутых ионному травлению // Оптический журнал. 2017. Т. 84. № 4. С. 67–72.

10.       Kinch M.A., Borrello S.R., Simmons A. 0.1 eV HgCdTe photoconductive detector performance // Infrared Phis. 1977. V. 17. № 2. P. 127–135.

11.       Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 672 с.

12.       Рогальский А. Инфракрасные детекторы. Пер. с англ. / Под ред. Войцеховского А.В. Новосибирск: Наука, 2003. 636 с.

13.       Шоль Ж., Марфан И., Мюнш Н., Торель П., Комбет П. Приемники инфракрасного излучения. Пер. с фран. / Под ред. Курбатова Л.Н. М.: Мир, 1969. 285 с.

14.       Broudy R.M., Mazurczyk V.J. (HgCd)Te photoconductive detectors // Semiconductors and semimetals. Mercury Cadmium Telluride / Ed. by Willardson R.K., Deer A.C. N.Y.L.: Academic Press, 1981. V. 18. P. 157–199.

 

 

Полный текст