Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения


Контакты

Подписка

Карта сайта





Журнал с 19.02.2010 входит в новый «Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание ученой степени доктора и кандидата наук»
Аннотации (07.2011) : НИТРИДЫ АЛЮМИНИЯ И ГАЛЛИЯ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ С ПРОМЕЖУТОЧНЫМ НАНОСЛОЕМ КАРБИДА КРЕМНИЯ ДЛЯ ПРИБОРОВ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ДИАПАЗОНА ИЗЛУЧЕНИЯ

НИТРИДЫ АЛЮМИНИЯ И ГАЛЛИЯ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ С ПРОМЕЖУТОЧНЫМ НАНОСЛОЕМ КАРБИДА КРЕМНИЯ ДЛЯ ПРИБОРОВ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ДИАПАЗОНА ИЗЛУЧЕНИЯ

© 2011 г. В. Н. Бессолов*, канд. физ.-мат. наук; Ю. В. Жиляев*, доктор физ.-мат. наук; Е. В. Коненкова*, канд. физ.-мат. наук; Л. М. Сорокин*, доктор физ.-мат. наук; Н. А. Феоктистов*, канд. физ.-мат. наук; Ш. Шарофидинов*; М. П. Щеглов*; С. А. Кукушкин**, доктор физ.-мат. наук; Л. И. Метс**; А. В. Осипов**, доктор физ.-мат. наук

 

** Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург

** Институт проблем машиноведения Российской академии наук, Санкт-Петербург

E-mail: lena@triat.ioffe.rssi.ru

 

Излагается идея нового технологического метода выращивания низкодефектных гетероструктур нитридов алюминия и галлия на кремниевой подложке для ультрафиолетового диапазона излучения. Впервые экспериментально доказано, что создание промежуточного нанослоя карбида кремния позволяет получить методом газофазной эпитаксии высокосовершенные слои нитридов алюминия и галлия на кремниевой подложке без трещин. При этом основные характеристики кристаллического совершенства этих слоев, а именно полуширина рентгеновских кривых качания и полуширина спектров фотолюминесценции, с учетом отсутствия трещин, значительно превышают подобные значения, полученные другими авторами. Показано, что в спектрах фотолюминесценции нитрида галлия при температуре 77 K проявляется экситонная полоса с энергией мак-K проявляется экситонная полоса с энергией максимума  излучения 3,45 эВ и полушириной 63 мэВ.

 

Ключевые слова: нитрид галлия, фотолюминесценция, карбид кремния.

 

Коды OCIS: 160.6000, 250.5230, 230.0250

УДК 538.958

Поступила в редакцию 09.12.2010

 

ЛИТЕРАТУРА

1. Asif Khan M., Shatalov M., Maruska H.P., Wang H.M., Kuokstis E.  III-Nitride UV Devices  // Jpn. J. Appl. Phys. 2005. V. 44. № 10. P. 7191–7206.

2. Ishikawa H., Jimbo T., Egawa T.  GaInN light emitting diodes with AlInN/GaN distributed Bragg reflector on Si // Phys. Stat. Sol.(c). 2008. V. 5. № 6. P. 2086–2089.

3. Dadgar A., Hums C., Diez A., Kros A.  Growth of blue GaN LED structures on 150-mm Si(111)  // J. Crystal Growth. 2006. V. 297. № 2. P. 279282.

4. Komiyama J., Abe Y., Suzuki S., Nakanishi H. Suppression of crack generation in GaN epitaxy on Si using cubic SiC as intermediate layers // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. № 9. P. 091901−1−091901−3.

5. Кукушкин С.А., Осипов А.В.  Новый  метод  твердофазной  эпитаксии  карбида  кремния  на  кремнии: модель и эксперимент // ФТТ. 2008. T. 50. № 7. C. 1238–1245.

6. Бессолов В.Н., Ботнарюк В.М., Жиляев Ю.В., Коненкова Е.В., Полетаев Н.К., Раевский С.Д., Родин С.Н., Смирнов С.Л., Шарофидинов Ш., Щеглов М.П., Seok  P.H., Koike  M.  Хлоридная газофазная эпитаксия GaN на Si: структурные и люминесцентные характеристики слоев // Письма в ЖТФ. 2006. T. 32. № 15. C. 60–66.

7. Komiyama J., Friguchi K., Abe Y., Suzuki S., Nakanishi H., Yame T., Murakami H., Koukitu A.  Polarities of AlN films and underlying 3C-SiC intermediate layers grown on (111) Si substrates  // J. Crystal Growth. 2008. V. 310. № 1. P. 96100.

8. Кукушкин С.А., Осипов А.В., Schmitt F., Hess P. Зарождение когерентных полупроводниковых островков при росте по механизму Странского–Крастанова, индуцированное упругими напряжениями // ФТП. 2002. T. 36. № 10. C. 1097–1105.

9. Zhang J.X., Qu Y., Сhen Y.Z., Uddin A., Shu Yuan.  Structural and optical characterization of GaN epilayers grown on Si(111) substrates by hydride vapor-phase epitaxy  // J. Crystal Growth. 2005. V.  282. №  12. P. 137142.

10. Yamamoto A., Yamauchi T., Tanikawa T., Sasase M., Ghosh B.K., Hashimoto A., Ito Y.  Organometallic  vapor phase epitaxial growth of GaN on a 3C-SiC/Si(111) template formed by C+-ion implantation into Si(111) substrate // Journ. Crystal Growth. 2004. V. 261. № 2–3. P. 266–270.

11. Зубрилов А.С., Мельник Ю.В., Николаев А.Е., Якобсон М.А., Нельсон Д.К., Дмитриев В.А. Некоторые оптические свойства объемных кристаллов нитрида галлия, выращенных газофазным методом в хлоридной системе // ФТП. 1999. T. 33. № 10. C. 1173–1178.

12. Бессолов В.Н., Давыдов В.Ю., Жиляев Ю.В., Коненкова Е.В., Мосина Г.Н., Раевский С.Д., Родин С.Н., Шарофидинов Ш., Щеглов М.П., Hee  Seok  Park, Masayoshi  Koike. Хлоридная газофазная эпитаксия GaN слоев, выращенных на подложке Si(111) с AIN буферным подслоем // Письма в ЖТФ. 2005. T. 31. № 21. C. 30–36.

13. Kuball M., Hayesw J.M., Prins A.D., Van Uden N.W.A., Dunstan D.J., Shi Y., Edgar J.H.  Raman scattering studies on single-crystalline bulk AlN under high pressures // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. № 6. P. 724–726.

 

Полный текст