Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения


Контакты

Подписка

Карта сайта





Журнал с 19.02.2010 входит в новый «Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание ученой степени доктора и кандидата наук»
Аннотации (07.2011) : ОПТИЧЕСКИЕ КОНСТАНТЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА, ВЫРАЩЕННЫХ НА КРЕМНИИ С БУФЕРНЫМ НАНОСЛОЕМ КАРБИДА КРЕМНИЯ

ОПТИЧЕСКИЕ КОНСТАНТЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА, ВЫРАЩЕННЫХ НА КРЕМНИИ С БУФЕРНЫМ НАНОСЛОЕМ КАРБИДА КРЕМНИЯ

© 2011 г. С. А. Кукушкин, доктор физ.-мат. наук; А. В. Осипов, доктор физ.-мат. наук; Е. В. Осипова, канд. физ.-мат. наук; С. В. Разумов; А. В. Кандаков

 

Институт проблем машиноведения Российской академии наук, Санкт-Петербург

Е-mail: kukushkin_s@yahoo.com

 

Впервые получены толстые эпитаксиальные слои (порядка 2–3 мкм) оксида цинка без трещин на кремниевой подложке. С этой целью использовался буферный слой монокристаллического карбида кремния толщиной 100  нм, который осаждался методом твердофазной эпитаксии. При этом в кремнии образуется слой с порами и вакансиями, обеспечивающий частичную релаксацию упругих напряжений. Измерены оптические константы эпитаксиальных слоев оксида цинка на кремнии. Основной особенностью полученных эллипсометрических спектров является поглощение света в области 2,0–3,3 эВ, что объясняется упругими напряжениями в слое оксида цинка.

 

Ключевые слова:  эпитаксия, широкозонные полупроводники, эллипсометрия, диэлектрическая проницаемость, оксид цинка.

 

Коды OCIS: 310.1860 310.6860 240.2130

УДК 535.015 538.91

Поступила в редакцию 21.03.2011

 

ЛИТЕРАТУРА

1. Coleman V.A., Jagadish C.  Basic properties and applications of ZnO // Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures / Еd. by Jagadish C., Pearton S.J. Oxford: Elsevier, 2006. P. 1–20.

2. Coskun C., Look D.C., Farlow G.C., Sizelove J.R. Radiation hardness of ZnO at low temperatures // Semicond. Sci. Technol. 2004. V. 19. № 6. P. 752–755.

3. Ataev B.T., Alivov Ya.I., Kalinina E.V., Mamedov V.V., Onushkin G.A., Makhmudov S.Sh., Omaev A.K.  Heteroepitaxial ZnO/6H-SiC structures fabricated by chemical vapor deposition // J. Cryst. Growth. 2005. V. 275. Р. e2471–e2474.

4. Кукушкин С.А., Осипов А.В. Новый метод твердофазной эпитаксии карбида кремния на кремнии: модель и эксперимент // ФТТ. 2008. Т. 50. № 7. С. 1188–1195.

5. Сорокин Л.М., Калмыков А.Е, Бессолов В.Н., Феоктистов Н.А., Осипов А.В., Кукушкин С.А.  Электронно-микроскопическое исследование структуры SiC/Si(111), полученной методом твердофазной эпитаксии // ПЖТФ. 2011. Т. 37. № 6. С. 7–11.

6. Sha Z.D., Wang J., chen Z.С., Сhen A.J., Zhou Z.Y., Wu X.M., Zhuge L.J. Initial study on the structure and optical properties of ZnO film on Si(111) substrate with a SiC buffer layer // Physica E. 2006. V.  33. №  1. P. 263–267.

7. Shokovetz S., Spiess L., Gobsch G. Spectroscopic ellipsometry of wurtzite ZnO and GaN: Examination of a special case // Appl. Phys. 2010. V. 107. P. 023509-1–023509-10.

8. Мездрогина  М.М., Криволапчук  В.В., Феоктистов  Н.А., Даниловский  Э.Ю., Кузьмин  Р.В., Разумов  С.В., Кукушкин  С.А., Осипов  А.В. Спектры  люминесценции  гетероструктур  n-ZnO/p-GaN<Er + Zn> и p-AlGaN<Er + Zn> // ФТП. 2008. Т. 42. № 7. С. 782–787.

 

 

Полный текст