© 2013 г. Д. Т. Ян, канд. физ. мат. наук
Дальневосточный государственный университет путей сообщения, Хабаровск
E-mail: dmitry_yan@mail.ru
Проведено исследование люминесцентных свойств анодно-окисленного пористого кремния различной степени окисления. Рассмотрено влияние лазерного возбуждения и фотостимулированного анодного окисления на интенсивность фотолюминесценции пористого кремния. Предложена модель фотолюминесценции в пористом кремнии.
Ключевые слова: пористый кремний, фотолюминесценция, рекомбинация.
Коды OCIS: 250.0250
УДК 537.533.3
Поступила в редакцию 27.03.2013
ЛИТЕРАТУРА
1. Canham L.T. Visible photoluminescence of porous Si // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. № 10. P. 1046-1049.
2. Ranjan V., Singh V.A., John G.C. Effective component for the size dependance of luminescence in semiconductor nanocrystallites // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. № 3. P. 1158-1161.
3. Zeman J., Zigone M., Martinez G., Rikken G., Bordet P., Chenavas J. On the origin of the porous silicon luminescence // Thin Solid Films. 1995. V. 255. № 1-2. P. 35-38.
4. Amato G., Boarino L., Brunette N., Rossi A.M., Parisini A. Investigation of the non-radiative processes in porous silicon // Thin Solid Films. 1996. V. 276. №1-2. P. 51-54.
5. Cruz M., Beltran M.R., Wang C., Taguena-Martinez J. Quasi-confinement, localization and optical properties of porous silicon // Thin Solid Films. 1997. V. 297. № 1-2. P. 261-264.
6. Dimova-Malinovska D., Sendova-Vassileva M., Marinova Т., Krastev V., Kamenova M., Tzenov N. Correlation between the photoluminescence and chemical bonding in porous silicon // Thin Solid Films. 1995. V. 255. № 1-2. P.191-195.
7. Tamura H., Rückschloss M., Wirschem Т., Veprek S. On the possible origin of the photoluminescence from oxidized nanocrystalline silicon // Thin Solid Films. 1995. V. 255. № 1-2. P. 92-95.
8. Dehk P., Hajnal Z., Mirb J. Recombination with larger than bandgap energy at centres on the surface of silicon microstructures // Thin Solid Films. 1996. V. 276. № 1-2. P. 290-292.
9. Delerue C., Allan G.,LannooM. Optical band gap of Si nanoclusters // J. Lum. 1999. V. 80. № 1-4. P. 65-71.
10. Peter L., Riley D., Wielgosz R., Snow P., Penty R., White I., Meulenkamp E. Mechanisms of luminescence tuning and quenching in porous silicon // Thin Solid Films. 1996. V. 276. № 1-2. P. 123-129.
11. Galiy P., Lesiv Т., Monastyrskii L., Nenchuk Т., Olenych I. Surface investigations of nanostructured porous silicon // Thin Solid Films. 1998. V. 318. № 1-2. P. 113-116.
12. Dorigoni L., Bisi O., Bernardini F., Ossicini S. The luminescence transition in porous silicon: The nature of the electronic states // Thin Solid Films. 1996. V. 276. № 1-2. P. 261-264.
13. Schoisswohl M., Bardeleben H., Bratus V., Mnder H. Defects in luminescent and non-luminescent porous Si // Thin Solid Films. 1995. V. 255. № 1-2. P. 163-166.
14. Журавлев K.C., Кобицкий А.Ю. Рекомбинация автолокализованных экситонов в нанокристаллах кремния, сформированных в оксиде кремния // Физ. и техн. полупроводн. 2001. Т. 34. В. 10. С. 1254-1257.
15. Ян Д.Т. Влияние лазерного возбуждения на фотолюминесценцию анодноокисленного пористого кремния // Оптический журнал. 2010. Т. 77. № 8. С. 67-71.
Полный текст
