Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения


Контакты

Подписка

Карта сайта





Журнал с 19.02.2010 входит в новый «Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание ученой степени доктора и кандидата наук»
Аннотации (07.2013) : ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ

ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ

 

© 2013 г.    Д. Т. Ян, канд. физ. мат. наук

 

Дальневосточный государственный университет путей сообщения, Хабаровск

E-mail: dmitry_yan@mail.ru

Проведено исследование люминесцентных свойств анодно-окисленного пористого кремния различной степени окисления. Рассмотрено влияние лазерного возбуждения и фотостимулированного анодного окисления на интенсивность фотолюминесценции пористого кремния. Предложена модель фотолюминесценции в пористом кремнии.

Ключевые слова: пористый кремний, фотолюминесценция, рекомбинация.

Коды OCIS: 250.0250

УДК 537.533.3

Поступила в редакцию 27.03.2013

ЛИТЕРАТУРА

1.            Canham L.T. Visible photoluminescence of porous Si // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. № 10. P. 1046-1049.

2.           Ranjan V., Singh V.A., John G.C. Effective component for the size dependance of luminescence in semiconductor nanocrystallites // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. № 3. P. 1158-1161.

3.           Zeman J., Zigone M., Martinez G., Rikken G., Bordet P., Chenavas J. On the origin of the porous silicon luminescence // Thin Solid Films. 1995. V. 255. № 1-2. P. 35-38.

4.           Amato G., Boarino L., Brunette N., Rossi A.M., Parisini A. Investigation of the non-radiative processes in porous silicon // Thin Solid Films. 1996. V. 276. №1-2. P. 51-54.

5.           Cruz M., Beltran M.R., Wang C., Taguena-Martinez J. Quasi-confinement, localization and optical properties of porous silicon // Thin Solid Films. 1997. V. 297. № 1-2. P. 261-264.

6.               Dimova-Malinovska D., Sendova-Vassileva M., Marinova Т., Krastev V., Kamenova M., Tzenov N. Correlation between the photoluminescence and chemical bonding in porous silicon // Thin Solid Films. 1995. V. 255. № 1-2. P.191-195.

7.               Tamura H., Rückschloss M., Wirschem Т., Veprek S. On the possible origin of the photoluminescence from oxidized nanocrystalline silicon // Thin Solid Films. 1995. V. 255. № 1-2. P. 92-95.

8.              Dehk P., Hajnal Z., Mirb J. Recombination with larger than bandgap energy at centres on the surface of silicon microstructures // Thin Solid Films. 1996. V. 276. № 1-2. P. 290-292.

9.              Delerue C., Allan G.,LannooM. Optical band gap of Si nanoclusters // J. Lum. 1999. V. 80. № 1-4. P. 65-71.

10.             Peter L., Riley D., Wielgosz R., Snow P., Penty R., White I., Meulenkamp E. Mechanisms of luminescence tuning and quenching in porous silicon // Thin Solid Films. 1996. V. 276. № 1-2. P. 123-129.

11.              Galiy P., Lesiv Т., Monastyrskii L., Nenchuk Т., Olenych I. Surface investigations of nanostructured porous silicon // Thin Solid Films. 1998. V. 318. № 1-2. P. 113-116.

12.             Dorigoni L., Bisi O., Bernardini F., Ossicini S. The luminescence transition in porous silicon: The nature of the electronic states // Thin Solid Films. 1996. V. 276. № 1-2. P. 261-264.

13.             Schoisswohl M., Bardeleben H., Bratus V., Mnder H. Defects in luminescent and non-luminescent porous Si // Thin Solid Films. 1995. V. 255. № 1-2. P. 163-166.

14.             Журавлев K.C., Кобицкий А.Ю. Рекомбинация автолокализованных экситонов в нанокристаллах кремния, сформированных в оксиде кремния // Физ. и техн. полупроводн. 2001. Т. 34. В. 10. С. 1254-1257.

15.              Ян Д.Т. Влияние лазерного возбуждения на фотолюминесценцию анодноокисленного пористого кремния // Оптический журнал. 2010. Т. 77. № 8. С. 67-71.

 

Полный текст