Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения
- Редакционная этика


Контакты

Подписка

Карта сайта




Журнал с 01.12.2015 допущен ВАК для публикации основных результатов диссертаций как издание, входящее в международные реферативные базы систем цитирования (Web Science, Scopus) (см. Vak.ed.gov.ru Перечень журналов МБД 16.03.2018г)

ОПТИЧЕСКОЕ ПРИБОРОСТРОЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ

АНАЛИЗ СТРУКТУРНОТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОГРАНИЧЕНИЙ В КРЕМНИЕВЫХ СХЕМАХ СЧИТЫВАНИЯ СИГНАЛОВ ФОТОДИОДОВ ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА

© 2014 г. В. В. Васильев, канд. физ.-мат. наук; А. И. Козлов, канд. техн. наук; И. В. Марчишин; Ю. Г. Сидоров, доктор физ.-мат. наук; М. В. Якушев, доктор физ.-мат. наук

 

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск

Е-mail: kozlov@isp.nsc.ru

Представлены результаты исследования научно-технических принципов создания кремниевых мультиплексоров, предназначенных для считывания и предварительной обработки сигналов фотодетекторов инфракрасных спектральных диапазонов 8-14 и 3-5 мкм. Проведена оценка эквивалентной шуму разности температур фотоприемников длинноволнового инфракрасного диапазона на основе кремниевых мультиплексоров с построчным и кадровым накоплениями сигналов фотодиодов на основе соединения кадмий-ртуть-теллур. Проанализированы особенности влияния структурно-технологических ограничений в кремниевых схемах считывания на характеристики фотоприемников инфракрасной области в широком диапазоне параметров фотодиодов на основе соединения кадмий-ртуть-теллур и проектных норм технологии изготовления кремниевых мультиплексоров.

 

Ключевые слова: кремниевый мультиплексор, многоэлементный инфракрасный фотоприемник, кремниевая схема считывания фототоков, фотодиод на основе соединения кадмий-ртуть-теллур.

 

Коды OCIS: 040.3060, 110.3080, 130.5990

УДК 621.382: 621.383.5

Поступила в редакцию 17.07.2013

ЛИТЕРАТУРА

1. Варавин В.С., Гутаковский А.К., Дворецкий С.А., Карташев ВА, Латышев А.В., Михайлов Н.Н., Придачин Д.Н., Ремесник В.Г., Рыхлицкий С.В., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Титов В.П., Швец ВА., Якушев М.В., Асеев А.Л. Состояние и перспективы молекулярно-лучевой эпитаксии CdxHg1-xTe // Прикладная физика. 2002.№ 6. С. 25-41.

2. Рогальский А. Инфракрасные детекторы. Новосибирск: Наука, 2003. 636 с.

4. Акимов В.М., Еремеева Л.Е., Лисейкин В.П., Щукин С.В., Патрашин А.И., Климанов Е.А., Тимофеев А.А., Гастев С.С. Разработка охлаждаемых МОП-мультиплексоров для считывания и обработки сигнала с фотодиодных КРТ-матриц // Оптический журнал. 1995. Т. 62. № 12. С. 63-70.

5. Бовина Л.А., Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Климанов Е.А., Патрашин А.И., Сагинов Л.Д., Стафеев В.И., Тимофеев А.А. Фокальные матрицы на основе КРТ-фотодиодов для спектральных диапазонов 3-5 и 8-12 мкм // Оптический журнал. 1996. Т. 63. № 6. С. 74-77.

6. Стафеев В.И., Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Акимов В.М., Климанов Е.А., Сагинов Л.Д., Соляков В.Н., Мансветов Н.Г., Пономаренко В.П., Тимофеев А.А., Филачев А.М. Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. № 10. С. 1257-1265.

7. Mottin E., Pantigny P., Boch R. An improved architecture of IR FPA readout circuits // Proc. SPIE. 1997. V. 3061. P. 119-128.

8. Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Шашкин В.В. Кремниевые мультиплексоры для многоэлементных фотоприемников ИК диапазона // Автометрия. 2005. Т. 41. № 3. С. 88-99.

9. Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н. Кремниевые мультиплексоры 320x256 для инфракрасных фотоприемных устройств на основе КРТ-диодов // Автометрия. 2007. Т. 43. № 4. С. 74-82.

10. Козлов А.И. Анализ принципов построения схем кремниевых мультиплексоров для многоэлементных ИК фотоприемников // Автометрия. 2010. Т. 46. № 1. С. 118-129.

11. Козлов А.И. Особенности проектирования и некоторые реализации кремниевых мультиплексоров для инфракрасных фотоприемников // Оптический журнал. 2010. Т. 77. № 7. С. 19-29.

12. Козлов А.И., Марчишин И.В. Промышленно ориентированные разработки кремниевых мультиплексоров для многоэлементных ИК фотоприемников // Автометрия. 2012. Т. 48. № 4. С. 60-72.

13. Dalton G.B., Dennis P.N., Lees D.J., Hall D.J., Cairns J.W., Gordon N.T., Hails J.E., Giess J. Development of non-hybridised HgCdTe detectors for the next generation of astronomical instrumentation // Proc. SPIE. 2008. V. 7021. P. 1-5.

14. Cairns J.W., Buckle L., Pryce G.J., Hails J.E., Giess J., Crouch M.A., Hall D.J., Hydes A., Graham A., Wright A.J., Hollier CJ, Lees DJ, Gordon N.T., Ashl T. Integrated infrared detectors and readout circuits // Proc. SPIE. 2006. V. 6206. P. 1-9.

15. Zanio K., Mattson R., Chu M., Terterian S. HgCdTe on Si for monolithic focal plane arrays // Proc. SPIE. 1992. V. 1683. P. 179-190.

16. Yakushev M.V., Dvoretsky S.A., Kozlov A.I., Sabinina I.V., Sidorov Yu.G., Sorochkin A.V., Fomin B.I., Aseev A.L. HgCdTe monolithic infrared detector // Phys. Status Solidi C. 2010. V. 7. № 6. Р. 1681-1683.

17. Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н. Кремниевые мультиплексоры 1x576 для ИК фотодиодов на основе соединения кадмий-ртуть-теллур // Микроэлектроника. 2008. Т. 37. № 4. С. 278-286.

10.03.2013).

21. Kozlowski L.J., Bailey R.B., Cabelli S.C., Cooper D.E., McComas G., Vural K., Tennant W.E. 640x480 PACE HgCdTe FPA // Proc. SPIE. 1992. V. 1735. P. 163-174.

22. Брунев Д.В., Варавин В.С., Васильев В.В., Дегтярев Е.В., Дворецкий С.А., Добровольский П.П., Захарьяш Т.И., Клименко А.Г., Крайлюк А.Д., Марчишин И.В., Михайлов Н.Н., Предеин А.В., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сусляков А.О., Якушев М.В., Асеев А.Л. Инфракрасные фотоприемные устройства второго поколения на основе оптимизированных ГЭС КРТ МЛЭ // Тез. докл. Российского совещания по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники "Фотоника-2008". Новосибирск, 2008. С. 4.

23. Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Марчишин И.В., Михайлов Н.Н., Предеин А.В., Ремесник В.Г., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сусляков А.О. Матричный фотоприемник 320x256 со встроенным коротковолновым отрезающим фильтром // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 36-41.

 

Полный текст