Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения
- Редакционная этика


Контакты

Подписка

Карта сайта




Журнал с 01.12.2015 допущен ВАК для публикации основных результатов диссертаций как издание, входящее в международные реферативные базы систем цитирования (Web Science, Scopus) (см. Vak.ed.gov.ru/87)
Аннотация (08.2009) : ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ОПТИЧЕСКИХ СИСТЕМ ДЛЯ НАНОЛИТОГРАФИИ

ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ОПТИЧЕСКИХ СИСТЕМ ДЛЯ НАНОЛИТОГРАФИИ

© 2009 г. А. Б. Бельский*, канд. техн. наук; М. А. Ган**, доктор техн. наук;

И. А. Миронов***, канд. хим. наук; Р. П. Сейсян****, доктор физ.-мат. наук

 

**** ОАО “Красногорский завод им. С.А. Зверева”, г. Красногорск, Московская обл.

**** Е-mail: postbox@zenit.istra.ru

**** НПК “Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова”, Санкт-Петербург

**** Е-mail: gan@mail.wplus.net

**** Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения ВНЦ

**** “ГОИ им. С.И. Вавилова”, Санкт-Петербург

**** Е-mail: mironovi@goi.ru

**** Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург

**** Е-mail: seis@ffm.ioffe.ru

 

Рассмотрены принципы создания высокоразрешающих проекционных фотолитографических объективов и требования к оптическим материалам для них. Показано, что одним из наиболее перспективных материалов для создания объективов для фотолитографии на длинах волн 248 и 193 нм является флюорит. Рассмотрены перспективы развития линзовых проекционных объективов с высокой числовой апертурой, современное состояние технологии производства, а также методы аттестации основных оптических параметров флюорита фотолитографического качества. Изготовлены и аттестованы кристаллы флюорита диаметром до 300 и толщиной до 50 мм. Кристаллы, выращенные по разработанной технологии, имеют высокую прозрачность (99,92–99,96% на λ = 193 нм) и высокую оптическую однородность (Δn = (1–4)×10–6), малое двулучепреломление (δ = 0,5–2,0 нм/см). В кристаллах практически отсутствует люминесценция. Даны предложения по развитию фотолитографической оптики.

 

Ключевые слова: нанолитография, фотолитографический проекционный объектив, фторид кальция.

 

Коды OCIS: 220.0220, 220.3740

УДК 535.31, 778.14

 

Поступила в редакцию 18.05.2009

 

ЛИТЕРАТУРА

1. http://www.intel.com/pressroom/kits/manufacturing/Fab32/index.htm

2. Chris Auth et. al. Intel’s 45nm CMOS Technology // Intel Technology Journal/. 2008. V. 12. № 2. http://www.intel.com/technology/itj/2008/ v12i2/3-managing/1-abstract.htm

3. ASML drives the industry conversion to immersion. http://www.asml.com/asml/show. do?ctx=13559&rid=27372

4. Vogler D. Brion powers up to meet DPT challenges at 32 nm–22 nm // Solid State Technology. 2008. http://www.solid-state.com/display_article/320972/5/none/none/TETAK/Brion-powers-up-tomeet-DPT-challenges-at-32nm-22nm

5. http://www.nikonprecision.com/

6. Bruning J.H. Optical Lithography ...40 years and holding // Proc. SPIE. 2007. V. 6520. Р. 652004.

7. Ulrich W., Beiersdoerfer S., Mann H.J. Trends in Optical Design of Projection Lens for UV and EUV Lithography // Proc. SPIE. 2000. V. 4146. Р. 13–24.

8. Das P. Eximer Laser as a Total Light Source Solution for DUV Microlithography // Proc. SPIE. 2001. V. 4184. Р. 323–329.

9. Атежев В.В., Вартапетов С.К., Жуков А.Н., Курзанов М.А., Обидин А.З. Эксимерный лазер с высокой когерентностью // Квант. электрон. 2003. Т. 33. № 8. С. 689–694.

10. Ariga T., Mizoguchi H. An Ultra-Line-Narrowed High-Power F2 Laser for Dioptric Design Microlithography Exposure Tools // IEEE. 2004. V. 10. № 6. Р. 1287–1292.

11. Wong Alfred Kwok-Kit. Resolution enhancement techniques in optical lithography // SPIE. 2005. V. TT47. 254 p.

12. Levinson H.J. Principles of lithography // SPIE. 2005. 423 p.

13. Wolf S. Silicon Processing for VLSI Era. Sanset Beach: Lattice Press, 2002. V. 4. 795 p.

14. ASML leads the market with immersion technology. http://www.asml.com/asml/show.do?ctx=13559&rid=10668

15. Nikon Announces ArF immersion Scanner for Double Patterning. http://www.nikon.com/about/news/2008/0220_01.htm

16. Lerce M. Lithography // Future FAB International. 2009. V. 28. Р. 69–73.

17. Wuest A., Hazelton A., Hughes G., Litt L., Goodwin F. Cost Implications of EUV Lithography Technology Decisions // SEMANTECH. 2008. 31 p.

18. http://www.nikonprecision.com/technology/roadmap.html

19. ASML extends 248-nm for 80-nm chips, EETims, 2007. http://www.eetimes.com/conf/sw/showArticle.jhtml?articleID=201001486&kc=2996

20. Gan M., Zhdanov D., Novoselskiy V., Fedorov A., Potyemin I., Ustinov S., Starkov A., Smirnov S. “DEMOS III: new possibilities” // Proc. SPIE. 1995. V. 2540. Р. 190–196.

21. Ган М.А., Устинов С.И. Компьютерное моделирование формирования наноизображений // Междунар. форум по нанотехнологиям 08. Тез. докладов. Т. 1. М., 2008. С. 47–48.

22. Ган М.А., Бармичева Г.В., Старков А.А., Ган Я.М., Ларионов С.А. Оптические системы для формирования наноизображений для DUV и EUV областей спектра // Междунар. форум по нанотехнологиям 08. Тез. докладов. Т. 1. М., 2008. С. 46–47.

23. Burnett J.H., Levine Z.H., Shirley E.L. Intrinsic birefringence in calcium fluoride and barium fluoride // Physical Review B. 2002. V. 64. Р. 241102-R (1–4).

24. Инденбом В.Л. // Рост кристаллов. Т. VIII. М.: Наука, 1968. C. 303–309.

25. Garibin E.A., Demidenko A.A., Mironov I.A., Petrovsky G.T., Reyterov V.M., Sinev A.N. Process for growing of optical fluorite single crystals // Патент США. № 7001458. 2004.

26. Garibin E.A., Demidenko A.A., Mironov I.A.,Petrovsky G.T., Reyterov V.M., Sinev A.N. Process for growing of optical fluorite single crystals // Патент США. № 6738893. 2004.

27. Garibin E.A., Demidenko A.A., Mironov I.A., Petrovsky G.T., Reyterov V.M., Sinev A.N. Multicompartment container for growing calcium fluoride monocrystals // Патент США. № 6673155. 2004.

28. Слюсарев Г.Г. Расчет оптических систем. Л.: Машиностроение, 1975. 358 c.

29. Shafer D.R., Beder S., Scuster K.H., Singer W. // Патент США. № 7428105. 2008.

30. Ma A., Park J.-O., Dean K., Wurm S., Naulleau P. Benchmarking Commercial EUVL Resists at SEMATECH // Proc. SPIE. 2008. V. 6921. Р. 692130.

31. Auzelyte V., Dais C., Farquet P., Grutzmacher D., Heyderman L.J., Luo F., Olliges S., Padeste C., Sahoo P., Thomson T., Turchanin A., David C., Solak H.H. Extreme ultraviolet interference lithography at the Paul Scherrer Institut // J. Microlith. Microfab. Microsyst. 2009. V. 8. Р. 021204.

32. Сейсян Р. Нанолитография СБИС в экстремально дальнем вакуумном ультрафиолете (обзор) // ЖТФ. 2005. Т. 75. В. 5. С. 1–13.

33. Салащенко Н.Н. ,Чхало Н.И. Коротковолновая проекционная нанолитография // Вестник РАН. 2008. Т. 78. № 5. С. 450–457.

34. Ган М.А., Сейсян Р.П. Перспективы развития оптической нанолитографии //Междунар. Форум по нанотехнологиям 08. Тез. докладов. Т. 1. М., 2008. С. 48–50.

 

Полный текст>>>>

 

 

Prospects for the development of optical systems for nanolithography

A. B. Bel'skiĭ, M. A. Gan, I. A. Mironov, and R. P. Seĭsyan

This paper discusses the principles under which high-resolution projection photolithographic objectives are created and the requirements on the optical materials used for them. It is shown that fluorite is one of the most promising materials for creating objectives for photolithography at wavelengths 248 and 193nm. A discussion is given of the prospects for developing lens-based projection objectives with high numerical aperture, the modern state of the production technology, and also methods for certifying the main optical parameters of photolithographic-quality fluorite. Fluorite crystals up to 300mm in diameter and 50mm thick have been fabricated and certified. The crystals grown using this technology have high transmittance (99.92-99.96% at λ=193nm), good optical homogeneity [Δn=(1-4)×10−6], and low birefringence (δ=0.5-2.0nm/cm). The crystals have virtually no luminescence. Proposals are given for the development of photolithographic optics.