Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения


Контакты

Подписка

Карта сайта





Журнал с 19.02.2010 входит в новый «Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание ученой степени доктора и кандидата наук»
Аннотация (08.2009) : ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ РЕАКЦИИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ НА ИМПУЛЬСНУЮ ЗАСВЕТКУ

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ РЕАКЦИИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ НА ИМПУЛЬСНУЮ ЗАСВЕТКУ

© 2009 г. А. Г. Бедрин, канд. физ.-мат. наук; И. С. Миронов, канд. техн. наук;   П. Н. Роговцев, канд. техн. наук

 

Научно-исследовательский институт комплексных испытаний оптико-электронных приборов и систем, г.Сосновый Бор, Ленинградская область

 

E-mail: contact@niiki.ru, bedrin@sbor.net

 

Приведены результаты исследования воздействия импульсного излучения сплошного спектра, создаваемого плазменным источником света на основе магнитоприжатого разряда, на фоточувствительные элементы оптико-электронных приборов. Определены пороговые значения энергетической экспозиции, вызывающие уменьшение фототока кремниевого элемента солнечной батареи, обратимые изменения чувствительности кремниевого фотодиода и обратимые изменения чувствительности и разрешающей способности кремниевого матричного фотоприемника с накоплением заряда.

 

Ключевые слова: фоточувствительность, магнитоприжатый разряд, засветка.

 

Коды ОCIS: 040.1520, 040.5160, 040.6040

УДК 621.385.52

 

Поступила в редакцию 03.03.2009

 

ЛИТЕРАТУРА

1. Meyer J.R., Kruer M.R., Bartoli F.I. Optical Heating in Semiconductors // J. Appl. Phys. 1980. V. 51. № 1. P. 5513–5522.

2. Matsuoka Yashihary, Urami Akara. Laser Damage of silicon // Opto-Electronics. 1974. V. 6. № 3. P. 217–223.

3. Тельный А.А. Имитация солнечного излучения в лабораторных условиях // ОМП. 1975. № 5. С. 43–47.

4. Рымов А.И., Семенов Ю.С. Малогабаритный имитатор солнечного излучения // Светотехника. 2000. № 3. С. 6–8.

5. Калашников В.Е., Миронов И.С., Павлова Л.И., Подмошенский И.В., Роговцев П.Н. Исследование динамики излучения сильноточного магнитоприжатого разряда // ТВТ. 1986. Т. 5. № 5. С. 837–843.

6. Глебов Л.Б., Толстой М.Н. Образование нестабильных центров окраски в силикатном стекле при УФ облучении // Физика и химия стекла. 1976. Т. 2. № 4. С. 346–351.

7. Миронов И.С., Роговцев П.Н., Семенихин С.И. Исследование характеристик кремниевых фотодиодов при импульсном облучении // Оптический журнал. 1992. № 8. С. 67–69.

8. Тришенков М.А. Фотоприемные устройства и ПЗС. Обнаружение слабых оптических сигналов. М.: Радио и связь, 1992. 400 с.

9. Гридин А.С., Салин В.И., Сущев Г.А., Подгорский Е.Г., Ратников А.Н., Трофимов М.Н. Солнечные испытания телевизионной камеры с ПЗС-матрицей // Техника средств связи. Сер. Тех ника телевидения. 1983. В. 2. С. 28–31.

 

Полный текст>>>>

 

 

Experimental study of how the photosensitive elements of optoelectronic devices react to pulsed illumination

A. G. Bedrin, I. S. Mironov, and P. N. Rogovtsev

This paper presents the results of a study of how pulsed radiation with a continuous spectrum created by a plasma light source based on magnetostriction discharge acts on the photosensitive elements of optoelectronic devices. The threshold values of the energy exposure are determined that cause a reduction of the photocurrent of a silicon element of a solar battery, reversible changes of the sensitivity of a silicon photodiode, and reversible changes of the sensitivity and resolving power of a silicon photodetector array with charge accumulation.