© 2009 г. А. Г. Бедрин, канд. физ.-мат. наук; И. С. Миронов, канд. техн. наук; П. Н. Роговцев, канд. техн. наук
Научно-исследовательский институт комплексных испытаний оптико-электронных приборов и систем, г.Сосновый Бор, Ленинградская область
E-mail: contact@niiki.ru, bedrin@sbor.net
Приведены результаты исследования воздействия импульсного излучения сплошного спектра, создаваемого плазменным источником света на основе магнитоприжатого разряда, на фоточувствительные элементы оптико-электронных приборов. Определены пороговые значения энергетической экспозиции, вызывающие уменьшение фототока кремниевого элемента солнечной батареи, обратимые изменения чувствительности кремниевого фотодиода и обратимые изменения чувствительности и разрешающей способности кремниевого матричного фотоприемника с накоплением заряда.
Ключевые слова: фоточувствительность, магнитоприжатый разряд, засветка.
Коды ОCIS: 040.1520, 040.5160, 040.6040
УДК 621.385.52
Поступила в редакцию 03.03.2009
ЛИТЕРАТУРА
1. Meyer J.R., Kruer M.R., Bartoli F.I. Optical Heating in Semiconductors // J. Appl. Phys. 1980. V. 51. № 1. P. 5513–5522.
2. Matsuoka Yashihary, Urami Akara. Laser Damage of silicon // Opto-Electronics. 1974. V. 6. № 3. P. 217–223.
3. Тельный А.А. Имитация солнечного излучения в лабораторных условиях // ОМП. 1975. № 5. С. 43–47.
4. Рымов А.И., Семенов Ю.С. Малогабаритный имитатор солнечного излучения // Светотехника. 2000. № 3. С. 6–8.
5. Калашников В.Е., Миронов И.С., Павлова Л.И., Подмошенский И.В., Роговцев П.Н. Исследование динамики излучения сильноточного магнитоприжатого разряда // ТВТ. 1986. Т. 5. № 5. С. 837–843.
6. Глебов Л.Б., Толстой М.Н. Образование нестабильных центров окраски в силикатном стекле при УФ облучении // Физика и химия стекла. 1976. Т. 2. № 4. С. 346–351.
7. Миронов И.С., Роговцев П.Н., Семенихин С.И. Исследование характеристик кремниевых фотодиодов при импульсном облучении // Оптический журнал. 1992. № 8. С. 67–69.
8. Тришенков М.А. Фотоприемные устройства и ПЗС. Обнаружение слабых оптических сигналов. М.: Радио и связь, 1992. 400 с.
9. Гридин А.С., Салин В.И., Сущев Г.А., Подгорский Е.Г., Ратников А.Н., Трофимов М.Н. Солнечные испытания телевизионной камеры с ПЗС-матрицей // Техника средств связи. Сер. Тех ника телевидения. 1983. В. 2. С. 28–31.
Полный текст>>>>
Experimental study of how the photosensitive elements of optoelectronic devices react to pulsed illumination
A. G. Bedrin, I. S. Mironov, and P. N. Rogovtsev
This paper presents the results of a study of how pulsed radiation with a continuous spectrum created by a plasma light source based on magnetostriction discharge acts on the photosensitive elements of optoelectronic devices. The threshold values of the energy exposure are determined that cause a reduction of the photocurrent of a silicon element of a solar battery, reversible changes of the sensitivity of a silicon photodiode, and reversible changes of the sensitivity and resolving power of a silicon photodetector array with charge accumulation.
