© 2010 г. Д. Т. Ян, канд. физ.-мат. наук
Дальневосточный государственный университет путей сообщения, Хабаровск
Е-mail: dmitry_yan@mail.ru
Проведено исследование оптических и, в частности, фотолюминесцентных свойств слоев пористого кремния, полученного на кристаллическом кремнии р-типа (100) методом анодного травления. Затем в результате анодного окисления были получены образцы со значениями поверхностных потенциалов 0,9, 1,1, 1,2, 1,3 и 1,5 В. Установлено, что интенсивность фотолюминесценции образца с поверхностным потенциалом 1,3 В максимальна по сравнению со всеми другими образцами и в 12 раз выше, чем у образца с поверхностным потенциалом 0,9 В. Методом оптической спектроскопии исследовалась зависимость интенсивности фотолюминесценции образцов от структуры поверхностных связей. Показано, что сильный рост фотолюминесценции обусловлен фотостимулированной перестройкой на поверхности образцов анодно-окисленного пористого кремния.
Ключевые слова: пористый кремний, фотолюминесценция, рекомбинация.
Коды OCIS: 250.0250
УДК 537.533.3
Поступила в редакцию 23.12.2009
ЛИТЕРАТУРА
1. Canham L.T. Visible photoluminescence of porous Si // Appl. Phys. Lett. 1990.V. 57. P. 1046–1049.
2. Uhlir A. Formation of porous silicon // Bell Syst. Tech. 1956. V. 35. P. 333–336.
3. TheiЯ W. Optical properties of porous silicon // Surf. Sci. Rep. 1997. V. 29. № 5. P. 92–192.
4. Cantin J.L., Schoisswohl M., Grosman A., Lebib S., Ortega C., Von Bardeleben H.J., Jalsovszky G., Erostyak J. Anodic oxidation of p- and p+-type porous silicon // Thin Solid Films. 1996. V. 276. № 3. P. 76–79.
5. Belmont O., Faivre C., Bellt D., Brechet Y. About the origin and the mechanisms involved in the cracking of highly porous silicon layers under capillary stresses // Thin Solid Films. 1996. V. 276. № 3. P. 219–222.
6. Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. О механизме образования пористого кремния // Физ. и техн. полупроводн. 2000. Т. 34. В. 5. С. 1130– 1134.
7. Sawada S., Hamada N., Ookubo N. Mechanism of visible photoluminescence of porous silicon // Phys. Rev. B. 1994. V. 49. № 8. P. 5236–5245.
8. Dimova-Malinovska D., Sendova-Vasileva K., Marinova T., Krastev V., Kamenova M., Tzenov N. Correlation between the photoluminescence and chemical bonding in porous silicon // Thin Solid Films. 1996. V. 276. P. 290–292.
9. Petrova-Koch V., Muschik T. The relation between the visible and the infrared luminescence bands in porous silicon // Thin Solid Films. 1995. V. 255. № 5. P. 246–249.
10. Кашкаров П.К., Константинова Е.А., Петрова С.А., Тимошенко В.Ю., Юнович А.Э. К вопросу о температурной зависимости фотолюминесценции пористого кремния // Физ. и техн. полупроводн. 1997. Т. 31. В. 6. С. 745–748.
11. Лисаченко М.Г., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Особенности рекомбинации неравновесных носителей заряда в образцах пористого кремния с различной морфологией наноструктур // Физ. и техн. полупроводн. 2002. Т. 36. В. 3. С. 334–348.
12. Образцов А.Н., Тимошенко В.Ю., Окуши Х., Ватанабе X. Сравнительное исследование оптических свойств пористого кремния и оксидов SiO и SiO2 // Физ. и техн. полупроводн. 1999. Т. 33. С. 322–326.
Полный текст
<!-- .t2op1 { width: 100%; height: 5px; overflow: hidden;} .t2op1 div { height: 20%; overflow: hidden;} .t2op1 div div { height: 50%;} -->
