Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения
- Редакционная этика


Контакты

Подписка

Карта сайта




Журнал с 01.12.2015 допущен ВАК для публикации основных результатов диссертаций как издание, входящее в международные реферативные базы систем цитирования (Web Science, Scopus) (см. Vak.ed.gov.ru Перечень журналов МБД 16.03.2018г)

Аннотации (08.2010) : ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВОЙСТВ НЕКОТОРЫХ МОДИФИКАЦИЙ СИЛИЦИДОВ ТИТАНА, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ, ДЛЯ СОЗДАНИЯ ФОТОПРИЕМНИКОВ

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВОЙСТВ НЕКОТОРЫХ МОДИФИКАЦИЙ СИЛИЦИДОВ ТИТАНА, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ, ДЛЯ СОЗДАНИЯ ФОТОПРИЕМНИКОВ

© 2010 г. Ю. С. Емельяненко*, канд. физ.-мат. наук; В. В. Колос**; М. И. Маркевич***, доктор физ.-мат. наук; В. Ф. Стельмах****, канд. физ.-мат. наук; А. М. Чапланов***, доктор физ.-мат. наук

 

**** Институт физики НАН Республики Беларусь, Минск, Белоруссия

**** НПО “Интеграл”, Минск, Белоруссия

**** Физико-технический институт НАН Республики Беларусь, Минск, Белоруссия

**** Белорусский государственный университет, Минск, Белоруссия

**** Е-mail: Emelyanenko@inel.bas-net.by

 

Проведено исследование оптических свойств системы Au/TiSi2(C49)/Sin-типа/Si, сформированной методом быстрой термической обработки. Показано, что максимум спектральной чувствительности находится в области 750 нм. Максимальная чувствительность достигает 35 мА/Вт в диапазоне длин волн 750–800 нм. Сделан вывод о том, что на основе данной структуры, полностью совместимой с известной технологией, применяемой для изготовления полупроводниковых приборов на кремнии (кремниевая технология), возможно создание фотоприемника, чувствительного в диапазоне 350–1050 нм.

 

Ключевые слова: дисилицид титана, быстрая термическая обработка, оптические свойства, фотоприемник, кремниевая технология.

 

Коды OCIS: 040.5160

УДК 669.2

Поступила в редакцию 10.11.2009

 

ЛИТЕРАТУРА

1. Пилипенко В.А. Быстрые термообработки в технологии СБИС. Минск: изд-во Центр БГУ, 2004. 531 с.

2. Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве. Минск: Наука и техника, 1992. 247 с.

3. Мьюрарка С.П. Силициды для БИС. М.: Мир, 1986. 175 с.

4. Пилипенко В.А., Горушко В.А., Пономарь В.Н., Пилипенко И.В. Электрофизические и механические свойства дисилицида титана, полученного с применением быстрой термообработки // Вестник БГУ. 2001. Сер. 1. № 2. С. 43–45.

5. Niess J., Paul S., Buschbaum S. Mainstream rapid thermal processing for source-drain engineering from first applications to latest results // Mat. Sci. and Eng. B. V. 114–115. P. 141–150.

6. Бурова С.В., Злобин В.П., Иевлев В.М. Формирование силицидов титана методом импульсного фотонного отжига // Электронная промышленность. 1988. № 2. С. 34–37.

7. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Санин В.Н. Твердофазный синтез силицидов при импульсной фотонной обработке гетеросистем SiMe (Me: Pt, Pd, Ni, Mo, Ti) // ФХОМ. 2002. № 1. С. 27–31.

8. Емельяненко Ю.С., Колос В.В., Маркевич М.И., Стельмах В.Ф., Чапланов А.М. Влияние импульсной фотонной обработки на свойства системы TiN/Ti/Si // Электроника-ИНФО. 2008. № 9. С. 55–57.

 

 

Полный текст

 

<!-- .t2op1 { width: 100%; height: 5px; overflow: hidden;} .t2op1 div { height: 20%; overflow: hidden;} .t2op1 div div { height: 50%;} -->