© 2012 г. В. А. Одарич*, канд. физ.-мат. наук; А. З. Евменова**; Ф. Ф. Сизов**, доктор физ.-мат. наук
* Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, физический факультет, г. Киев, Украина
** Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной Академии Наук Украины, г. Киев, Украина
E-mail: evmenova_a@ukr.net, wladodarych@narod.ru, sizov@isp.kiev.ua
Эллипсометрическими измерениями установлено, что процесс взаимодействия скола монокристаллического теллурида кадмия с атмосферным воздухом состоит из двух этапов. В первые 7-10 дней характер изменения измеряемых эллипсометрических параметров соответствует формированию поглощающего слоя толщиной в 1-2 моноатомных слоя. Начиная с 20-х суток, нарастает прозрачная пленка, возможно оксидная, показатель преломления которой близок к 2,2, а толщина увеличивается до 5-6 нм за время окисления до 1 года. Исходя из литературных данных сделано предположение, что внутренняя пленка является слоем свободного теллура, а внешняя образована окислами кадмия или теллура, либо их смесью.
Ключевые слова: эллипсометрия, природный оксид теллурида кадмия, параметры тонкой пленки.
Коды OCIS: 240.2130, 310.0310, 310.6860.
Поступила в редакцию 13.12.2012.
ЛИТЕРАТУРА
1. Hage-Ali М., Stuck R., Saxena A.N., Siffert P. Investigation of CdTe surface by massspectroscopic, ellipso-metric metod // Appl.Phys. 1979. V.19. № 1. P. 25-33.
2. Fritsche J., Gunst S., Golusda E., Lejard M.C., Thiben A., Mayer Т., Klein A., Wendt R., Gegenwart R., Bonnet D., Jaegermann W. Surface analysis of CdTe thin film solar cells // Thin Solid Films. 2001. V. 387. P. 161-164.
3. Kowalski J., Orlowski В.A., Ghijsen J. Oxide formation on the CdTe(111)A (1x1) surface // Appl.Surf .Science. 2000. V. 166. № 1-4. P. 237-241.
4. Muneyoshi Suita, Tsunemasa Taguchi. Thermal oxidation of CdTe surfaces and properties of MOS diodes // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 1989. V. 283. № 2. P. 268-273.
5. Ильчук Г.А., Иванов-Омский В.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Бекимбетов Р.Н., Украинец Н.А. Создание и фотоэлектрические свойства структур окисел—CdTe // ФТП. 2000. Т. 34. № 9. Р. 1099-1104.
6. Toru Aoki, V.A. Gnatyuk, V.A. Odarych, L.V. Poperenko, O.O. Fedosenko. CdTe samples properties by ellipsometric analysis // Proceedings of 7th Internat. Conference on global reaseach and education in new methods in education proceedings. Pech, Hungary. 2008. P. 468-474.
7. Poperenko L.V., Gnatyuk V.A., Odarych V.A., Aoki T. Ellipsometric study of the surface of CdTe (111) crystals // Proceedings of internat. Workshop on field emitter and semicondtor mfterials and devices. Reseach Institute of Electronics. Supported by Reasearch Institute of Electronics Shzuooka University. 2010. P. 15-19.
8. Семенова A.3., Одарич В.А. Елiпсометричнi дослiдження природноï окисноï плiвки на поверхнi сколу монокристалiчного телуриду кадмiю // В кн: 'Матерiали електронноï технiки та сучаснi iнформацийнi технологiï. Третя мiжнародна науково-практична конференцiя. Кременчук, Украiна. 2008. С. 121-122.
9. Евменова А.З., Одарич В.А. Особливостi формування природноï окисноï плiвки на телуридi кадмiю // В кн:"ICPTTFN-XII XII Internat. conference Physics and Technology of thin films and nanosystems. Ivanofrankivsk,Ukraine. 2009. V.2. P. 174-175.
10. Макара В.А., Одарич В.А., Кепич Т.Ю., Преображенская Т.Д., Руденко О.В. Прибор и методы измерения параметров и степени однородности пленочных структур // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2009. № 3(81). С. 40-46.
11. Adachi Sadao, Kimura Toshifumi, Suzuki Norihiro. Optical Properties of CdTe: Experiment and Modeling // Journal of Applied Phys. 1993. V. 74. № 5. P. 3435-3441.
12. Evmenova A.Z., Odarych V.A., Sizov F.F., Vuichyk M.V. Absorptive CdTe-films optical parameters and film thickness determination by ellipsometric method // Optica Applicata. 2008. V. 38. P. 585-600.
13. Bose D.N., Basu S., Mandal K.C. Characterization of chemically modified CdTe surfaces // Thin Solid Films. 1988. V. 164. P. 13-19.
14. Handbook of Optical Constants of Solids // Ed. By Edward D. Palik. Academic Press. 1991. 1096 p.
15. Miotto R., Kiss F.D., Ferraz A.C. Oxigen adsorption on CdTe (111) // Surf. Science. 2003. V. 525. № 1-3. P.24-32.
16. Kiss F.D., Ferraz A.C. The oxidation mechanism of CdTe (111) surface // Brazilian J. of Physics. 2006. V. 36. №2A. P. 291- 293.
17. Физико-химические свойства окислов. Справочник. М., Металлургия. 1978. 471 с.
18. Вол А.Е., Каган И.K. Строение и свойства двойных металлических систем. Т.4. М., Наука. 1979. 574 с.
19. Arshak К., Korostynska О. Gamma radiation dozimetry using tellurium dioxide thin films structures // Sensors. 2002. V. 2. № 8. P. 347-355.
20. Dantus C., Rusu G.G., Dobromir M., Rusu M. Preparation and characterization of CdO thin films obtained by thermal oxidation of evaporated Cd thin films // Appl. Surff. Science. 2008. V. 255. № 5. P.2665-2670.
21. Choi S.G., Zun Iga-Perez J., Munoz-Sanjjose V., Norman A.G., Perkins C.L., Levi D.H. Complex dielectric function and refractive index spectra of epitaxial CdO thin film grown on r-plane sapphire from 0,74 to 6,45 eV // J.Vac. Sci. Technol. 2010. V. B28. №6. P.1120-1124.
Полный текст
