© 2010 г. Д. Д. Карнаушенко; И. И. Ли, канд. техн. наук; В. Г. Половинкин, канд. физ.-мат. наук
Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск
Е-mail: Irlamlee@isp.nsc.ru
Представлены математическая модель, программа и результаты расчета многоэлементных гибридных инфракрасных (ИК) фотоприемных устройств на основе системы “фотодиод–прямоинжекционное устройство считывания”. Программа реализована в системе математических расчетов Mathcad и позволяет проводить расчеты всех основных параметров многоэлементных гибридных ИК фотоприемных устройств с использованием как модельных, так и экспериментальных фотоэлектрических параметров ИК фотодиодов в зависимости от электрофизических и конструктивных параметров устройств считывания.
Ключевые слова: Hg1 – xCdxTe-фотодиод, многоэлементное ИК ФПУ, устройство считывания с прямой инжекцией заряда, тепловизионная система.
Коды OCIS: 040.1240, 040.3060, 230.5160.
УДК 535.247.049.7:621.383.52
Поступила в редакцию 16.02.2010.
ЛИТЕРАТУРА
1. Рогальский А. Инфракрасные детекторы. Пер. с англ. / Под ред. А. В. Войцеховского. Новосибирск: Наука, 2003. 636 c.
2. Steckl A., Koehler T. Theoretical analysis of directly coupled 8–12 μm hybrid IR CCD serial scanning // Proc. Int. Conf. Application of CCD’s. 1973. P. 247–258.
3. Longo J.T., Cheung D.T., Andrews A.M., Wang C.C., Tracy J.M. Infrared focal plane in intrinsic semiconductors // IEEE J. Solid State Circuits. 1978. V. SC-13. № 1. P. 139–157.
4. Felix P., Moulin M., Munier B., Portmann J., Rebould J. CCD readout of infrared hybrid focal – plane arrays // IEEE Transaction on Electron Devices. 1980. V. ED-27. № 1. P. 175–188.
5. Кунакбаева Г.Р., Ли И.И., Черепов Е.И. Система фотодиод–ПЗС-устройства ввода с прямой инжекцией для многоэлементных ИК ФПУ // Радиотехника и электроника. 1993. В. 5. С. 922–930.
6. Overstraeten R., Declerck G., Muls P. Theory of the MOS transistor in weak inversion – new method to determine the number of surface states // IEEE Trans. Electron Devices. 1975. V. ED-22. P. 282– 288.
7. Букингем М. Шумы в электронных приборах и системах. М.: Мир, 1986. 338 с.
8. Buss D., Kansy R., Barton J. KTC noise on direct injection from IR diodes // IEEE Trans. Electron Devices. 1980. ED-27. № 5. P. 998–1000.
9. Chow K., Roud J., Sub D., Blackwell J. Hybrid infrared focal-plane arrays // IEEE Trans. Electron Devices. 1982. V. ED-29. P. 3–13.
10. Reimbold G. Modified 1/f trapping noise theory and experiments in MOS transistors biased from weak to strong inversion – influence of interface states // IEEE Trans. Electron Devices. 1984. V. ED-31. P. 1190–1198.
11. Tobin S., Iwasa S., Tredwell T. 1/f noise in (Hg, Cd)Te photodiodes // IEEE Trans. Electron Devices. 1980. V. ED-27. P. 43–48.
12. Козлов А., Марчишин И., Овсюк В. Кремниевые мультиплексоры 1Ч576 для ИК фотодиодов на основе соединений кадмий–ртуть–теллур // Микроэлектроника. 2008. Т. 37. № 4. С. 278–286.
13. Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Марчишин И.В., Михайлов Н.Н., Предеин А.В., Ремесник В.Г., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сусляков А.О. Матричные фотоприемники 320Ч256 со встроенным коротковолновым отрезающим фильтром // Оптический журнал. 2009. T. 76. № 12. C. 36–41.
Полный текст
