© 2013 г. М. А. Брук*, доктор хим. наук; Е. Н. Жихарев**; В. А. Кальнов**, канд. техн. наук; А. В. Спирин*; Д. Р. Стрельцов*, канд. физ.-мат. наук
* Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова, Москва ** Физико-технологический институт РАН, Москва
E-mail: bruk@cc.nifhi.ac.ru
Предложен новый "сухой" метод формирования рисунка маски или любого другого рельефа в некоторых позитивных резистах путем прямого травления резиста непосредственно в процессе экспонирования электронным лучом. Метод весьма эффективен при формировании пространственных 3D структур и, повидимому, может быть успешно использован в оптоэлектронике.
Ключевые слова: оптоэлектроника, электронная литография, сухое травление резиста, 3D структуры.
Коды OCIS: 110.0110, 250.0250.
УДК 621.38
Поступила в редакцию 29.03.2013.
ЛИТЕРАТУРА
1. Брук М.А., Кондратьева М.В., Баранов А.А., Пебалк К.В., Сергеев А.М., Козлова Н.В. Радиационная деполимеризация полиметилметакрилата, адсорбированного на силохроме // Высокомолек. соед. 1999. Т. 41А. № 2. С. 256-262.
2. Murali R. Metrology for Grayscale Lithography // AIP Conf. Proc. 2007. V. 931. P. 419-422.
3. Schleunitz A., Schift H. Fabrication of 3-D Pattern with Vertical and Sloped Sidewalls by Grayscale Electron-Beam Lithography and Thermal Annealing // Microelectron. Eng. 2011. V. 88. № 8. P. 2736-2739.
Полный текст
