Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения
- Редакционная этика


Контакты

Подписка

Карта сайта




Журнал с 01.12.2015 допущен ВАК для публикации основных результатов диссертаций как издание, входящее в международные реферативные базы систем цитирования (Web Science, Scopus) (см. Vak.ed.gov.ru Перечень журналов МБД 16.03.2018г)

Аннотации (10.2010) : РАЗМЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛИМЕРНЫХ МИКРОСТРУКТУР ПРИ УФ-ОТВЕРЖДЕНИИ НАНОКОМПОЗИТА

РАЗМЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛИМЕРНЫХ МИКРОСТРУКТУР ПРИ УФ-ОТВЕРЖДЕНИИ НАНОКОМПОЗИТА

© 2010 г. Н. Д. Ворзобова, канд. техн. наук; В. Г. Булгакова; Ю. Э. Бурункова, канд. физ.-мат. наук

 

Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург

E-mail: vorzobova@mail.ifmo.ru, vera-bulgakova@yandex.ru

 

Исследованы закономерности формирования трехмерных полимерных микроструктур в УФ-отверждаемом нанокомпозите. Установлена связь размерных характеристик элементов микроструктур с экспозиционными параметрами, характеристиками амплитудной маски, толщиной слоя. Определены пути уменьшения характеристических размеров элементов микроструктур и увеличения форматного отношения.

 

Ключевые слова: полимерная микроструктура, нанокомпозит, фотополимериза-ция, глубокая литография, характеристический размер, форматное отношение.

 

Коды OCIS: 160.4670; 160.5470

УДК 535-31

 

Поступила в редакцию 08.02.2010

 

ЛИТЕРАТУРА

1. Munnik F., Benninger F., Mikhailov S., Bertsch A., Renaud P., Lorenz H., Gmur M. High aspect ratio, 3D structuring of photoresist materials by ion beam LIGA // Microelectronic Engineering. 2003. V. 67 68. P. 96–103.

2. Mappes T., Achenbach S., Mohr J. X-ray lithography for devices with high aspect ratio polymer submicron structures // Microelectronic Engineering. 2007. V. 84. P. 1235–1239.

3. Kasztelanic R.  Multilevel structures  in  deep  proton lithography // J. Micro/Nanolith. MEMS and MOEMS. 2008. V. 7. № 1.

4. Liu G., Tian Y., Kan Y. Fabrication of high-aspect-ratio microstructures using SU8 photoresist // Microsystem Technologies. 2005. V. 11. P. 343–346.

5. Williams J.D., Wang W. Study on the postbaking process and the effects on UV lithography of high aspect ratio SU-8 microstructures // Journal of Microlithography, Microfabrication, and Microsystems. 2004. V. 3. № 4. P. 563–568.

6. Andrzejewska E. Photopolymerization kinetics of multifunctional  monomers  // Prog. Polym. Sci. 2001. V. 26. P. 605–665.

7. Смирнова Т.В., Бурункова Ю.Э., Денисюк И.Ю. Измерение усадок УФ-отверждаемых композиций на основе акрилатов и диакрилатов // Оптический журнал. 2006. Т. 73. № 5. C. 57–61.

8. Бурункова Ю.Э., Семьина С.А., Капорский Л.Н., Левичев В.В. Наномодифицированные оптические акрилатные композиты // Оптический журнал. 2008. Т. 75. № 10. С. 54–57.

9. Fokina M. Optical surface making by UV-curing of monomeric compositions in near field of coherent light source // Molecular Crystals and Liquid Crystals. 2007. V. 468. P. 385–394.

10. Denisyuk I.Yu., Fokina M.I., Vorzobova N.D., Burunkova Yu.E., Bulgakova V.G. Microelements with high aspect ratio prepared by self-focusing of the light at UV-curing // Molecular Crystals and Liquid Crystals. 2008. V. 497. P. 228–235.

11. Денисюк И.Ю., Бурункова Ю.Э., Фокина М.И., Ворзобова Н.Д., Булгакова В.Г. Формирование микроструктур с высоким форматным отношением в результате самофокусировки света в фотополимерном нанокомпозите // Оптический журнал. 2008. Т. 75. № 10. С. 59–65.

12. Takada K., Kaneko K., Li Y.D., Kawata S., Chen Q.D., Sun H.B. Temperature effects on pinpoint photopolymerization and polymerized microstructures // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. 041902. P. 1–3.

 

 

Полный текст