Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения
- Редакционная этика


Контакты

Подписка

Карта сайта




Журнал с 01.12.2015 допущен ВАК для публикации основных результатов диссертаций как издание, входящее в международные реферативные базы систем цитирования (Web Science, Scopus) (см. Vak.ed.gov.ru/87)
Аннотация (11.2009) : ДИНАМИКА СПЕКТРА ГЕНЕРАЦИИ ТРЕХМИКРОННОГО Er:YLF-ЛАЗЕРА ПРИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ НАКАЧКЕ

ДИНАМИКА СПЕКТРА ГЕНЕРАЦИИ ТРЕХМИКРОННОГО Er:YLF-ЛАЗЕРА ПРИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ НАКАЧКЕ

 

© 2009 г. М. В. Иночкин, канд. физ.-мат. наук; В. В. Назаров, канд. техн. наук; Д. Ю. Сачков; Л. В. Хлопонин, канд. техн. наук; В. Ю. Храмов, доктор техн. наук

 

 

Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург

E-mail: dsachkov@gmail.com

 

В настоящей работе теоретически и экспериментально исследована генерация в кристалле Er:YLF при селективной накачке излучением лазерных диодов на длине волны 0,98 мкм на четырех длинах волн трехмикронного перехода, получены аналитические выражения, описывающие изменение спектра генерации лазера.

 

Ключевые слова: кристаллы, легированные ионами эрбия, генерация, селективная накачка, лазерные диоды.

 

Коды OCIS: 140.3070, 140.3430, 140.3480, 140.3580, 140.5680

УДК 535.374

 

Поступила в редакцию 10.06.2009

 

Dynamics of the lasing spectrum of a 3-μm Er:YLF laser with semiconductor pumping

 

  M. V. Inochkin, V. V. Nazarov, D. Yu. Sachkov, L. V. Khloponin, and V. Yu. Khramov

 

 

 

 

 

ЛИТЕРАТУРА

1. Ramesh K., Shori, Walston A. A., Stafsudd O. M., Fried D., Walsh J. T. (Jr.). Quantification and Modeling of the Dynamic Changes in the Absorption Coefficient of Water at λ = 2.94 μm // IEEE J. on selected topics in quant. electron. 2001. V. 7. № 6. P. 959–970.

2. DeLoach L.D., Page R.H., Wilke G.D., Payne S.A., Krupke W.F. Transition metal-doped zinc chalcogenides: spectroscopy and laserdemonstration of a new class of gain media // IEEE J. of Quant. Electron. 1996. V. 32. № 6. P. 885–895.

3. Eichhorn M. Tm:ZBLAN Fiber Lasers and their Use for Gain-Switched Cr2+:ZnSe Lasers // Conf. on Lasers and Electro-Optics/Quantum Electronics and Laser Science Conference and Photonic Applications Systems Technologies. OSA Technical Digest Series. 2007. Рaper CTuN7.

4. Bowman S.R., Lynn J.G., Searles S.K., Feldman B.J., McMahon J., Whitney W., Epp D. High-averagepower operation of a Q-switched diode-pumped holmium laser// Opt. Lett. 1993. V. 18. № 20. P. 1724–1726.

5. Jensen T., Diening A., Huber G. Investigation of diode-pumped 2.8-μm Er:LiYF4 lasers with various doping levels // Opt. Lett. 1996. V. 21. № 8. P. 585–587.

6. Zajac A., Skorczakowski M., Swiderski J., Nyga P. Electrooptically Q-switched mid-infrared Er:YAG laser for medical applications // Optics Express. 2004. V. 12. № 21. P. 5125–5130.

7. Жариков Е.В., Ильичев Н.Н., Калитин С.П., Лаптев В.В., Малютин А.А., Осико В.В., Пашинин П.П., Прохоров А.М., Саидов З.С., Смирнов В.А., Умысков А.Ф., Щербаков И.А. Спектрально-люми несцентные и генерационные свойства кристалла иттрий-скандий-галлиевого граната с хромом и эрбием // Квант. электрон. 1986. Т. 13. № 5. С. 973–979.

8. Каминский А.А., Павлюк А.А., Бутаева Т.И. Исследования стимулированного излучения на допол нительных переходах ионов Ho3+ и Er3+ в кристаллах KGd(WО4)2 // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1977. Т. 13. № 8.  С. 1541–1542.

9. Stalder M., Luthy W., Weber H.P. Five new 3-μm laser lines in YAlO3:Er // Opt. Lett. 1987. V. 12. № 8. P. 602–604.

10. Auzel F., Hubert S, Meichenin D. Multifreqenc room-temperature continuous diode and Ar* laser-pumped Er3+ laser emission between 2.66 and 2.85 μm // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. № 8. P. 681–683.

11. Ткачук А.М., Разумова И.К., Мирзаева А.А., Малышев А.В., Гапонцев В.П. Up-конверсия и заселение возбужденных уровней иона эрбия в кристаллах LiY1–xErxF4 (x = 0,003-1) при непрерывной накачке излучением InGaAs-лазерных диодов // Опт. и спектр. 2002. Т. 92. № 1. С. 73–88.

12. Labb.e C., Doualan J.-L., Girard S., Moncorg.e R., Thuau M. Absolute excited state absorption cross section measurements in Er3+:LiYF4 for laser applications around 2.8 μm and 551 nm // J. Phys.: Condens. Matter. 2000. V. 12. P. 6943–6957.

13. Couto dos Santos M.A., Antic-Fidancev E., Gesland J.Y., Krupa J.C., Lemaˆıtre-Blaise M., Porcher P. Absorption and fluorescence of Er3+-doped LiYF4: measurements and simulation // Journal of Alloys and Compounds. 1998. V. 275–277. P. 435–441.

 

Полный текст

 

 

This paper discusses a theoretical and experimental study of lasing in an Er:YLF crystal at four wavelengths of the 3-μm transition with selective pumping by the 0.98-μm radiation of laser diodes. Analytical expressions are obtained that describe the variation of the lasing spectrum of the laser.