Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения
- Редакционная этика


Контакты

Подписка

Карта сайта




Журнал с 01.12.2015 допущен ВАК для публикации основных результатов диссертаций как издание, входящее в международные реферативные базы систем цитирования (Web Science, Scopus) (см. Vak.ed.gov.ru Перечень журналов МБД 16.03.2018г)

Аннотации (11.2015) : ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, СФОРМИРОВАННОГО НА ПОДЛОЖКАХ, ОБРАБОТАННЫХ ПЛАЗМОЙ

ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, СФОРМИРОВАННОГО НА ПОДЛОЖКАХ, ОБРАБОТАННЫХ ПЛАЗМОЙ

 

© 2015 г.     М. В. Боженко*; Д. Т. Ян**; Е. А. Чусовитин*; А. Б. Расин*

*   Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток

** Дальневосточный государственный университет путей сообщения, Хабаровск

Е-mail: bozhenkomv@mail.ru

Проведены измерения спектров фотолюминесценции образцов пористого кремния после обработки компрессионным плазменным потоком в атмосфере азота. Обнаружен значительный рост фотолюминесценции исследуемых образцов по сравнению с пористым кремнием, полученным по обычной методике.

Ключевые слова: пористый кремний, компрессионный плазменный поток, фотолюминесценция, спектры пропускания.

Коды OCIS: 250.0250, 300.0300, 310.0310, 160.0160

УДК 535.372; 533.9.072

Поступила в редакцию 01.07.2015

ЛИТЕРАТУРА

1.         Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. Р. 1046–1048.

2.         Barbagiovanni E.G., Lockwood D.J., Simpson P.J., Goncharova L.V. Quantum confinement in Si and Ge nanostructures // Appl. Phys. Rev. 2014. V. 1. P. 011302.

3.         Лазарук С.К., Лешок А.А., Жагуро П.В., Борисенко В.Е. Светоизлучающие диоды на основе пористого кремния // Доклады БГУИР. 2004. № 3. С. 27–37.

4.        Мing-Кwеi Lее, Chi-Нsing Сhu, Yu-Нsiung Wаng, Sze S.М. 1.55-mm and infrared-band photoresponsivity of a Schottky barrier porous silicon photodetector // Opt. Lett. 2001. V. 26. № 3. Р. 160–162.

5.         Анищик В.М. Использование механизмов формирования объемных регулярных структур на поверхности кремния при воздействии импульса компрессионной плазмы / Анищик В.М., Углов В.В., Пунька А.В., Асташинский В.В, Квасов Н.Т., Данилюк А.Л., Асташинский В.М., Ананин С.И., Аскерко В.В., Костюкевич Е.А., Кузьмицкий А.М. // Перспективные материалы. 2003. № 5. С. 5–11.

6.        Baimbetov F.B., Ibraev B.M., Zhukeshov A.M. Silicon surface under the action of compression plasma flow // Semiconductors. 2002. V. 36. P. 197–198.

7.         Astashinski V.M., Ananin S.I., Emelyanenko A.S., Kosytukevich E.A., Kuzmitski A.M., Zhvavy S.P., Uglov V.V. Bulk periodic structures formation on monocrystalline silicon surface under the action compression plasma flow // Appl. Surf. Sci. 2006. V. 253. P. 1866–1872.

8.        Petukhov Y.A., Uglov V.V., Kvasov N.T., Punko A.V., Dorochevich I.L., Astashinski V.M., Kuzmitski A.M. Formation of silicon-based nanostructures by compression plasma flow // Nanomaterials: Application and Properties (NAP-2011). 2011. V. 1. P. 440–447.

9.        Galkin N.G. Morphology, optical properties and band structure parameters of monocrystalline silicon modified by compression plasma flow / Galkin N.G., Chusovitin Е.А., Ga1kin K.N., Astashinski Y.М., Kuzmitski А.М., Mishchuk А.А. // Proc. Nапоmееtiпg-2007. Singapore: World Scientific Publishing Соmpany, 2007. Р. 495–498.

10.       Галкин Н.Г., Ян Д.Т., Чусовитин Е.А., Расин А.Б., Галкин К.Н., Боженко М.В., Мараров В.В., Асташинский В.М., Кузьмицкий А.М. Влияние предварительной плазменной обработки на люминесцентные свойства пористого кремния // Оптический журнал. 2014. Т. 81. № 8. С. 14–18.

11.       Smith R.L., Collins S.D. Porous si1icon formation mechanism // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. № 8. Р. R1–R22.

12.       Dimova-Malinovska D., Sendova-Vasileva K., Marinova T., Krastev V., Kamenova M., Tzenov N. Correlation between the photoluminescence and chemical bonding in porous silicon // Thin Solid Films. 1996. V. 276. № 1–2. P. 290–292.

13.       Petrova-Koch V., Muschik T. The relation between the visible and infrared luminescence bands in porous silicon // Thin Solid Films. 1995. V. 255. № 5. P. 246–249.

14.       Sawada S., Namada N., Ookubo N. Mechanism of visible photoluminescence in porous silicon // Phys. Rev. B. 1994. V. 49. № 8. P. 5236–5245.

15.       Peter L., Riley D., Wielgosz R., Snow P., Penty R., White I.,  Meulenkamp E.M. Mechanisms of luminescence tuning and quenching in porous silicon // Thin Solid Films. 1996. V. 276. № 1–2. P. 123–129.

16.       Ян Д.Т. Люминесцентные свойства пористого кремния // Оптический журнал. 2013. Т. 80. № 7. С. 21–26.

 

 

Полный текст >>>