Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения


Контакты

Подписка

Карта сайта





Журнал с 19.02.2010 входит в новый «Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание ученой степени доктора и кандидата наук»
Аннотации (12.2009) : МАТРИЧНЫЕ ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА ИНЖЕКЦИОННОГО ТИПА НА ОСНОВЕ ЛЕГИРОВАННЫХ ТЕЛЛУРИДОВ СВИНЦА И ОЛОВА: ВОЗМОЖНОСТИ И ПЕРСПЕКТИВЫ

МАТРИЧНЫЕ ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА ИНЖЕКЦИОННОГО ТИПА НА ОСНОВЕ ЛЕГИРОВАННЫХ ТЕЛЛУРИДОВ СВИНЦА И ОЛОВА: ВОЗМОЖНОСТИ И ПЕРСПЕКТИВЫ

 

 

© 2009 г. А. Э. Климов, доктор физ.-мат. наук; В.Н. Шумский, доктор физ.-мат. наук

 

 

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

E-mail: klimov@thermo.isp.nsc.ru

 

Фоточувствительность легированных твердых растворов теллуридов свинца и олова проанализирована с учетом инжекции носителей заряда из контактов. Рассмотрены особенности фотоответа как в области фундаментального поглощения, так и в субмиллиметровой области спектра. Приведены экспериментальные результаты исследования свойств фотоприемных устройств на основе указанных соединений, и рассмотрены перспективы их применения в инфракрасной и субмиллиметровой областях спектра.

 

Ключевые слова: фотоприемные устройства, PbSnTe, инжекционный ток, мелкие уровни.

 

Коды OCIS: 230.0040, 230.5160, 230.3990.

УДК 621.383.4/5.029.71/73

Поступила в редакцию 15.07.2009.

 

Injection-type photodetector arrays based on doped lead-tin tellurides: Possibilities and prospects

A. É. Klimov and V. N. Shumskiĭ

The photosensitivity of doped solid solutions of lead-tin tellurides is analyzed, taking into account charge-carrier injection from the contacts. The features of the photoresponse are considered both in the fundamental-absorption region and in the submillimeter spectral region. The experimental results of an investigation of the properties of photodetector devices based on the indicated compounds are presented, and the prospects of using them in the IR and submillimeter regions are considered.

 

ЛИТЕРАТУРА

1. Kennedy C.A., Linden K.J., Soderman D.A. High Performance 8–14 μm Pb1 –xSnxTe Photodiodes// Proc. IEEE. 1975. V. 63. №  1. P. 27–32.

2. Chia P.S., Balon J.R., Lockwood A.H., Randall D.M., Renda F.J., DeVaux L.H., Kimura H. Performance of PbSnTe Diodes at Moderately Reduced Backgrounds // Infrared Physics. 1975. V. 15. P. 279–285.

3. Hohnke D K., Holloway H., Yeung K.F., Hurley M. Thin-film (Pb,Sn)Se photodiodes for 8–12         μm operation // Appl. Phys. Lett. 1976. V. 29. №  2. P. 98–100.

4. Zogg H., Maissen C., Masek J., Blunier S., Lambrecht A., Taske M. Epitaxial lead chalcogenide IR sensors on Si for 3–5 and 8–12 μm // Semicond. Sci. Technol. 1990. V. 5. P. S49–S52.

5. Fach A., John J., M ller P., Paglino C., Zogg H. Material properties of Pb1 –xSnxSe epilayers on Si and their correlation with the performance of infrared photodiodes // J. of Electronic Materials. 1997. V. 26. №  7. P. 873–877.

6. John J., Zogg H. Infrared          p-n-junction diodes in epitaxial narrow gap PbTe layers on Si substrates // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. P. 3364–3367.

7. Alchalabi K., Zimin D., Zogg H., Buttler W. Monolithic heteroepitaxial PbTe-on-Si infrared focal plane array with 96Ч128 pixels // Electron Device Letters, IEEE. 2001. V. 22. №  3. P. 110–112.

8. Акимов Б.А., Брандт Б.А., Богословский С.А., Рябова Л.И., Чудинов С.М. Неравновесное металлическое состояние в сплавах Pb1–x SnxTe(In) // Письма в ЖЭТФ. 1979. Т. 29. №  1. С. 11–14.

9. Вул Б.М., Воронова И.Д., Калюжная Г.А., Мамедов Т.С., Рагимова Т.Ш.    Особенности явлений переноса в Pb0,78Sn 0,22Te с большим содержанием индия // Письма в ЖЭТФ. 1979. Т. 29. №  1. С. 21–25.

10. Каган Ю., Кикоин К.А. Туннельная примесная автолокализация в полупроводниках. Природа аномальных свойств соединений Pb1–x SnxTe с примесью In // Письма в ЖЭТФ. 1980. Т. 31.   6. С. 367–371.

11. Драбкин И.А., Мойжес Б.Я. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примесей на положительно и отрицательно заряженные состояния // ФТП. 1981. Т. 15. №  4. С. 625–647.

12. Волков Б.А., Панкратов О.А. Ян-теллеровская неустойчивость кристаллического окружения точечных дефектов в полупроводниках А4В6 // ДАН СССР. 1980. Т. 255. №  1. С. 93–97.

13. Белогорохов А.И., Иванчик И.И., Пономарев С.В., Слынько Е.И., Хохлов Д.Р. Селективная проводимость в PbTe(Ga), индуцированная локальной фононной модой // Письма в ЖЭТФ. 1996. Т. 63. №  5. С. 342–346.

14. Khokhlov D.R., Ivanchik I.I., Raines S.N., Watson D.M., Pipher J.L. Performance and spectral response of PbSnTe(In) far-infrared photodetectors // Appl. Phys. Letters. 2000. V. 76. №  20. P. 2835–2837.

15. Акимов А.Н., Ерков В.Г., Кубарев В.В., Молодцова Е.Л., Климов А.Э., Шумский В.Н. Фоточувствительность пленок Pb1–x SnxTe <In> в терагерцовой области спектра // ФТП. 2006. Т. 40. №  2. С. 169–173.]

16. Акимов А.Н., Ерков В.Г., Климов А.Э., Молодцова Е.Л., Супрун С.П., Шумский В.Н. Токи инжекции в узкозонном диэлектрике Pb1–x SnxTe <In> // ФТП. 2005. Т. 39. №  5. С. 563–568.

17. Lampert M. A., Mark P. Current Injection in Solids. N. Y. Academic Press. 1970. Перевод: Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 416 с.

18. Klimov A. E., Shumski V. N. Photosensitivity of Pb1–xSnxTe:In films in the region of intrinsic absorption // Semiconductors. 2008. V. 42. №  2. P. 149–155.

19. Emtage P.R. Auger recombination and junction re-sistance in lead-tin-telluride // J. Appl. Phys. 1976. V. 47. №  6. P. 2565–2576.

20. Lishka K., Durstberger R., Lindermann G., Staudinger H. Defect states in Рb1 –xSnxТе // Phys. Stat. Sol. 1984. V. 123. P. 319–324.

21. Borodin V.V., Klimov A.E., Shumsky V.N. Recombination in PbSnTe <In> at low temperatures // Narrow Gap Semiconductors. Eds. Shen S.C., Tang D.V., Zheng G.V., Bauer G. World Scientific. 1997. P. 361–364.

22. Klimov A.E., Paschin S.N., Shesteryakova V.N., Shumsky V.N. Electron Trap Levels in PbSnTe:In // Proc. of 9th International workshop and tutorials on electron devices and materials. Erlagol, Altai. July 1–5. 2008. P. 17–20. IEEE Catalog No. CFP08500-PRT. ISBN 978-5-7782-0893-3. ISSN 1815–3712.

23. Климов А.Э., Шумский В.Н. Многоэлементные фотоприемные устройства дальнего ИК-диапазона на основе гетероэпитаксиальных пленок PbSnTe, легированных In, на BaF2// Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона / Под редакцией Синицы С.П. Новосибирск: Наука, 2001. С. 308–372.

24. Akimov A.N., Klimov A.E., Shumsky V.N., Aseev A.L.

Submillimeter Photodetector Array on PbSnTe:In

Films // Optoelectronics, Instrumentation and Data

Processing. 2007. V. 43. №  4. P. 62–71.

 

Полный текст