Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения


Контакты

Подписка

Карта сайта





Журнал с 19.02.2010 входит в новый «Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание ученой степени доктора и кандидата наук»
Аннотации (12.2009) : ДОЛГОВРЕМЕННАЯ СТАБИЛЬНОСТЬ ФОТОРЕЗИСТОРОВ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 8–12 мкм, ИЗГОТОВЛЕННЫХ ИЗ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР CdHgTe, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ

ДОЛГОВРЕМЕННАЯ СТАБИЛЬНОСТЬ ФОТОРЕЗИСТОРОВ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 8–12 мкм, ИЗГОТОВЛЕННЫХ ИЗ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР CdHgTe, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ

 

 

© 2009 г. А. В. Филатов, канд. техн. наук; Е. В. Сусов, канд. техн. наук; А. В. Гусаров; Н. М. Акимова; В. В. Крапухин, канд. физ.-мат. наук; В. В. Карпов, канд. физ.-мат. наук; В. И. Шаевич

 

 

ОАО Московский завод “Сапфир”, Москва

E-mail.: info_sapphir@ mail.ru

 

Разработана технология изготовления высокостабильных фоторезисторов для диапазона спектра 8–12 мкм из гетероэпитаксиальных структур твердого раствора CdHgTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке из арсенида галлия. Исследована стабильность фотоэлектрических параметров многоэлементных фоторезисторов длительным прогревом при повышенных температурах (65–85 °С). Фоторезисторы имели обнаружительную способность, ограниченную шумами фонового излучения. Показано, что главной причиной деградации фоточувствительного элемента фоторезистора является диффузия вакансий ртути с фронтальной и боковых поверхностей. Устранение причин возникновения вакансий и создание защитных покрытий поверхностей позволяют обеспечить стабильность фоторезисторов в течение 2500 ч при 70 °С.

 

Ключевые слова: ИК техника, гетероэпитаксиальные структуры CdHgTe, технология фоторезисторов, стабильность параметров.

 

Коды OCIS: 040.1240, 040.3060.

УДК 621.383.49:621.793.162

Поступила в редакцию 18.03.2009.

 

Long-term stability of photoresistors for the spectral range 8-12μm, fabricated from heteroepitaxial CdHgTe structures obtained by molecular-beam epitaxy

A. V. Filatov, E. V. Susov, A. V. Gusarov, N. M. Akimova, V. V. Krapukhin, V. V. Karpov, and V. I. Shaevich

A technology has been developed for fabricating high-stability photoresistors for the 8-12-μm spectral range from heteroepitaxial structures composed of a solid solution of CdHgTe, obtained by molecular-beam epitaxy on a gallium arsenide substrate. The stability of the photoelectric parameters of multielement photoresistors has been investigated by prolonged heating at elevated temperatures (65-85°C). The photoresistors had a detectivity limited by background-radiation noise. It is shown that the main cause of degradation of the photoresistor's photosensitive element is the diffusion of mercury vacancies from the front to the side surfaces. Eliminating the causes of the appearance of vacancies and creating protective coatings on the surfaces makes it possible to stabilize the photoresistors for 2500h at 70°C.

 

ЛИТЕРАТУРА

1. Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.М. Модифицирование свойств Hg1–х Cd хTe низкоэнергетичными ионами. Обзор // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. В. 10. С. 1153–1178.

2. Susov E.V., Sidorov Yu.G., Severtsev V.N., Komov A.A., Chekanova G.V., Dvoretsky S.A., Varavin V.S., Mikhailov N.N. and Diakonov L.I. Multielement cooled photoconductor based on CdHgTe heteroepitaxial structures // Optoelectronics, instrumentation and data processing (Avtometriya). 1996. № 4. Р. 32–36.

3. Северцев В.Н., Сусов Е.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Чеканова Г.В. 128-элементный охлаждаемый фотоприемник на основе гетероэпитаксиальных структур CdHgTe // Автометрия. 1998. № 4. С. 21–26.

4. Трошкин Ю.С., Филатов А.В., Алексеевичева В.С., Гусаров А.В., Коршунова А.П., Поповян Г.Э., Посевин О.П. Вакуумные фотоприемники для диапазона 8–12 мкм на основе фоторезисторов из CdHgTe // Прикладная физика. 1999. № 2. С. 63–69.

5. Филатов А.В., Лукша В.И., Поповян Г.Э., Трошкин Ю.С., Шаронов Ю.П. Влияние режимов ионного травления на параметры фоторезисторов из CdHgTe // Прикладная физика. 2002. № 6. С. 123–128.

6. Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Liberman V.I., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G. Molecular beam epitaxy of high quality Hg1–хCdхTe films with control of the composition distribution // J. Cryst. Growth. 1996. V. 159. P. 1161–1166.

7. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках // М.: Гос. изд-во физ.-мат. лит. 1961. С. 143.

8. Заитов Ф.А., Исаев Ф.К., Горшков А.В. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых полупроводниковых твердых растворах // Баку: Азерб. гос. изд-во, 1984. С. 89.

 

Полный текст