Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения


Контакты

Подписка

Карта сайта





Журнал с 19.02.2010 входит в новый «Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание ученой степени доктора и кандидата наук»
Аннотации (12.2009) : ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ ИНФРАКРАСНОГО ФОТОПРИЕМНИКА НА ОСНОВЕ CdHgTe В МОНОЛИТНОМ ИСПОЛНЕНИИ

ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ ИНФРАКРАСНОГО ФОТОПРИЕМНИКА НА ОСНОВЕ CdHgTe В МОНОЛИТНОМ ИСПОЛНЕНИИ

 

 

© 2009 г.    М. В. Якушев*, канд. физ.-мат. наук; В. В. Васильев*, канд. физ.-мат. наук;  Е. В. Дегтярев**, канд. техн. наук; С. А. Дворецкий*, канд. физ.-мат. наук;  А. И. Козлов*, канд. тех. наук; А. Р. Новоселов*;  Ю. Г. Сидоров*, доктор физ.-мат. наук; Б. И. Фомин*, канд. тех. наук;  А. Л. Асеев*, академик РАН

 

 

* Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск

** Федеральное государственное учреждение “22 ЦНИИИ Минобороны России”,  г. Мытищи Московской обл.

E-mail: yakushev@isp.nsc.ru

 

Обсуждаются результаты исследований процессов и их параметры при формировании монолитных интегрированных инфракрасных матриц на основе теллурида кадмия  и ртути (КРТ). Проведено изучение процессов для выращивания гетероэпитаксиальных  слоев (ГЭС) КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) в ячейках кремниевого мультиплексора, формирования np-перехода  и  контактных соединений. Для  селективного выращивания ГЭС КРТ МЛЭ определены режимы подготовки кремниевой поверхности в окнах диэлектрика размерами от 30×30 до 100×100 мкм. Выращены  селективные слои CdHgTe (8 мкм)/CdTe (5–7 мкм)/ZnTe (0,02 мкм) на Si (310). С использованием ионной имплантации бора в селективные  слои p-типа  сформированы  np-переходы. Измерения показали, что параметр R 0 A составляет 1,25×105  Ом см2  для  спектрального диапазоне 3–5 мкм. Изготовлена монолитная линейка формата 1×32 на  основе ГЭС КРТ МЛЭ при выращивании в ячейках кремниевого мультиплексора.

 

Ключевые слова: CdHgTe, молекулярно-лучевая эпитаксия, инфракрасный фотоприемник монолитный.

 

Коды OCIS: 160.6840, 230.1980, 230.3990, 230.4170.

УДК 548.25: 621.383.4

 

 

Поступила в редакцию 18.03.2009.

 

Investigating processes for forming an infrared CdHgTe-based photodetector in a monolithic version

M. V. Yakushev, V. V. Vasil'ev, S. A. Dvoretskiĭ, A. I. Kozlov, A. R. Novoselov, Yu. G. Sidorov, B. I. Fomin, A. L. Aseev, and E. V. Degtyarev

This paper discusses the results of investigations of processes for forming monolithic integrated cadmium-mercury telluride (CdHgTe)-based IR arrays and their parameters. The processes for growing CdHgTe heteroepitaxial layers (HELs) by molecular-beam epitaxy (MBE) in the cells of a silicon multiplexer have been studied, as well as for forming an n-p junction and contact compounds. For the selective growth of CdHgTe MBE HELs, regimes have been determined for preparing a silicon surface in dielectric windows with dimensions from 30×30to100×100μm. Selective layers of CdHgTe (8μm)/CdTe(5-7μm)/ZnTe(0.02μm) have been grown on Si (310). Ion implantation of boron into selective p-type layers has been used to form n-p junctions. Measurements showed that the parameter R0A is 1.25×105Ωcm2 for the spectral range 3-5μm. A monolithic linear array of format 1×32, based on a CdHgTe MBE HEL, has been fabricated by growth in the cells of a silicon multiplexer.

 

 

 

 

 

ЛИТЕРАТУРА  

1. Kinch M.A., Chandra D., Schaake H.F., Shih H.-D.,  Aqariden F. Arsenic doped mid-wevelength infrared  HgCdTe photodiodes // J. Electr. Mater. 2004. V. 33.  № 6. P. 590–595.  

2. Beker I.M., Maxey C.D. Summary of HgCdTe array  technology  in the U.K. //J. Electr. Mater. 2001.  V. 30. № 6. P. 682–689.   

3. Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С.,  Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сабинина И.В.  Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых раст- воров  кадмий-ртуть-теллур  на  “альтернативных” подложках  //  ФТП.  2001.  Т.  35.  № 9.  С. 1092–1101.  

4. Fenner D.B., Biegelsen D.K., Bringans R.D. Silicon  surface passivation by hydrogen termination: A comparative study of preparation methods // J. Appl.  Phys. 1989. V. 66. P. 419–424.  

5. Hall D.J., Buckle L., Gordon N.T., Giess J., Hails J.E.,  Cairns J.W., Lawrence R.M., Graham A., Hall R.S.,  Maitby C., Ashley T. High-performance long-wave- length HgCdTe infrared detectors grown on silicon  substrates // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. № 11.  P. 2113–2115.  

6. Yao H., Woollam J.A., Alterovitz S.A. Spectroscopic ellipsometry studies of HF treated Si (100)  surfaces // Appl. Phys.  Lett. 1993.  V.  62.  № 25.  P. 3324–3326.  

7. Yoshimura M., Ono I., Ueda K. Initial stages of  Ni reaction on Si(100) and H-Terminated Si(100)  surfaces // Appl. Surf. Science. 1998. V. 130–132.  P. 276–281.  

8. Якушев М.В., Бабенко А.А., Варавин В.С., Васильев В.В., Миронова Л.В., Придачин Д.Н., В.В., Ремесник В.Г., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сусляков А.О. Структурные и электрофизические свой- Структурные и электрофизические свойства гетероэпитаксиальных пленок HgCdTe, выращенных методом МЛЭ на подложках Si(310)//  Прикладная физика. 2007. № 4. С. 108–115.  

9. Белоконев В.М., Крайлюк А.Д., Дегтярев Е.В.,  Варавин В.С., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Ми- хайлов Н.Н., Придачин Д.Н., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В., Асеев А.Л. Статус молекулярно-лучевой  эпитаксии кадмий–ртуть–теллур в тепловизионной технике // Изв. вузов. Приборостроение. 2004.  Т. 47. № 9. С. 7–19.

10. Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н.,  Якушев М.В., Варавин В.С., Анциферов А.П.  Молекулярно-лучевая эпитаксия узкозонных  соединений CdxHg1–xTe. Оборудование и технология // Оптический журнал. 2000 Т. 67. №  1.  С. 39–45.

11. Рогальский А. Инфракрасные детекторы. Пер. с  англ. / Под ред. Войцеховского А.В. Новосибирск:  Наука, 2003. 636 c. 

 

Полный текст