A technology for assembling large-format infrared photodetector modules on indium microposts
A. G. Klimenko, T. N. Nedosekina, N. V. Karnaeva, I. V. Marchishin, A. R. Novoselov, V. N. Ovsyuk, and D. G. Esaev
The initial plane-parallel position of a photodetector array (PDA) and a silicon multiplexer (MUX) is brought about when the tops of the indium microposts are in contact under the action of only the force of gravity on the PDA. We orient the crystals (along xy) in visible light, and we use offset reference marks on the PDAs. We bring chains of laser microholes in the polyimide of the offset reference marks into coincidence with the reference marks on the MUX. We take into account the initial errors of all the axial lines; the alignment error reaches +/-0.4μm (along xy). At all stages of the assembly, the MUX is connected, and we observe the touching and the welding of the microposts. To avoid warping the planar transistors (along z), we use stops of suitable height, placed along the perimeter of the PDA.
ЛИТЕРАТУРА
1. Войнов В.Г., Клименко А.Г., Недосекина Т.Н., Новоселов А.Р. Пластические свойства индиевых микростолбов. Проблема контактирования на КРТ // Автометрия. 1996. № 4. С. 126–129.
2. Воинов В.Г., Клименко А.Г., Новоселов А.Р. Устройство и метод измерения пластической деформации образцов микронных размеров // ПТЭ. 1996. № 6. С. 119–121.
3. Клименко А.Г., Недосекина Т.Н., Воинов В.Г., Овсюк В.Н., Захарьяш Т.И., Васильев В.В., Новоселов А.Р. Особо пластичные индиевые микростолбы для матричных ФПУ на CdHgTe // Автометрия. 1998. № 4. С. 105–112.
4. Клименко А.Г., Недосекина Т.Н., Карнаева Н.В., Овсюк В.Н., Захарьяш Т.И., Васильев В.В., Новоселов А.Р. Индиевые микростолбы для холодной сварки инфракрасных фотоприемных устройств при минимальных давлениях // Наука производству. 2001. № 12. С. 50-53.
5. Новоселов А.Р., Косулина И.Г., Клименко А.Г., Паулиш А.Г., Васильев В.В. Индиевые столбы для Flip-chip технологии матричных фотоприемных устройств на основе пленок Cd–Hg–Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2008. № 3. С. 60-63.
6. Васильев В.В., Овсюк В.Н., Шашкин В.В., Асеев А.Л. Инфракрасные фотоприемные модули на варизонных слоях КРТ и на структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs // Оптический журнал. 2005. Т. 72. № 6. С. 63–69.
7. Vasilyev V.V., Klimenko A.G., Marchishin I.V., Ovsyuk V.N., Talipov N.Ch., Zahar’yash T.I., Golenkov A.G., Derkach Yu.P., Reva V.P., Sizov F.F., Zabudsky V.V. MCT heteroepitaxial 4×288 FPA // Infrared Phys. and Technology. 2004. V. 44. P. 13–23.
8. Журавлев П.В., Добровольский П.П., Шатунов К.П., Васильев В.В., Овсюк В.Н., Захарьяш Т.И., Сусляков А.О. Полноформатный тепловизионный модуль на основе охлаждаемого фотоприемника 288×4 элементов отечественного производства // Тез. докл. Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, М., 2006. С. 135.
9. Васильев В.В., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Сидоров Ю.Г., Сусляков А.О., Асеев А.Л. Матричный фотопремник на основе варизонного изотропного n–p-перехода в слоях КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Автометрия. 2007. Т. 43. № 4. С. 17–24.
10. Васильев В.В., Предеин А.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Рева В.П., Сидоров Ю.Г., Сизов Ф.Ф., Сусляков А.О., Асеев А.Л. Линейчатый фотоприемник формата 288×4 с двунаправленным режимом ВЗН // Тез. докл. Российское совещание по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники. “Фотоника-2008”, Новосибирск, 2008. С. 82.
11. Долганин Ю.Н., Карпов В.В., Васильев В.В., Захарьяш Т.И., Клименко А.Г., Сусляков А.О. Многоспектральный МФПУ с топологией 3× 4×288 на CdxHg1–xTe для спектрального диапазона 8–12 мкм // Тез. докл. XX Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М., 2008. С. 160.
12. Брунев Д.В., Варавин В.С., Васильев В.В., Дегтярев Е.В., Дворецкий С.А., Добровольский П.П., Захарьяш Т.И., Клименко А.Г., Крайлюк А.Д., Марчишин И.В., Михайлов Н.Н., Предеин А.В., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сусляков А.О., Якушев М.В., Асеев А.Л. Инфракрасные фотоприемные устройства второго поколения на основе оптимизированных ГЭС КРТ МЛЭ // Тез. докл. Российского совещания по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники “Фотоника-2008”. Новосибирск, 2008. С. 4.
13. Васильев В.В., Дворецкий С.А., Марчишин И.В., Михайлов Н.Н., Предеин А.В., Ремесник В.Г., Сусляков А.О. Матричный фотоприемник 320×256 со встроенным отрезающим фильтром // Тез. докл. Российское совещание по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники “Фотоника-2008”. Новосибирск, 2008. С. 81.
14. Варавин В.С., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Захарьяш Т.И., Клименко А.Г., Козлов А.И., Марчишин И.В., Михайлов Н.Н., Овсюк В.Н., Сусляков А.О., Сидоров Ю.Г., Асеев А.Л. Инфракрасные фотоприемники на основе гетероструктур HgCdTe/CdZnTe/GaAs с варизонными слоями // Тез. докл. XIX Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М., 2006. С. 106–107.
Полный текст
