Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения
- Редакционная этика


Контакты

Подписка

Карта сайта




Журнал с 01.12.2015 допущен ВАК для публикации основных результатов диссертаций как издание, входящее в международные реферативные базы систем цитирования (Web Science, Scopus) (см. Vak.ed.gov.ru Перечень журналов МБД 16.03.2018г)

УВАЖАЕМЫЕ ПОДПИСЧИКИ НАШЕГО ЖУРНАЛА!
По техническим причинам «Оптический журнал» не попал в каталог агентства «Роспечать» на II полугодие 2018 г., что делает невозможной подписку на него на почте. Предлагаем оформить подписку на II полугодие 2018 в редакции журнала удобным Вам способом. Стоимость подписки на полугодие сохраняется (6600 руб.).
Связаться с нами можно по т. (812) 315-05-48, Е-mail: beditor@soi.spb.ru

Аннотации (12.2009) : НАНОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ CdHgTe ДЛЯ ФОТОПРИЕМНИКОВ

НАНОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ CdHgTe ДЛЯ ФОТОПРИЕМНИКОВ

 

 

© 2009 г. С. А. Дворецкий*, канд. физ.-мат. наук; З. Д. Квон*, доктор физ.-мат. наук; Н. Н. Михайлов*, канд. физ.-мат. наук; В. А. Швец*, канд. физ.-мат. наук; Б. Виттман**; С. Н. Данилов**, канд. физ.-мат. наук; С. Д. Ганичев**, доктор физ.-мат. наук; А. Л. Асеев*, академик РАН

 

 

**Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск

** Терагерцовый центр Регенсбургского университета, г. Регенсбург, Германия

** Е-mail: mikhailov@isp.nsc.ru

 

Приведены результаты выращивания квантовых ям на основе HgTe (HgTe/ Cd0,735Hg0,265 Te) толщиной 16,2 и 21 нм на подложках (013) CdTe/ZnTe/GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Контроль состава, толщин спейсера и квантовой ямы проводился с помощью эллипсометрической методики в процессе роста. Гальваномагнитные исследования в широком диапазоне магнитных полей (1–12 Тл) при температурах вблизи температуры жидкого гелия (4,2 К) показали присутствие двумерного электронного газа в наноструктурах и квантование уровней. Были получены высокие подвижности двумерного электронного газа μe = 2×105см2/(В•с) и μe = 5×105см2/(В с) для плотности электронов Ns = 1,5×1011 см–2 и Ns = 3,5×1011 см–2 соответственно. Проведено исследование циркулярного и линейного фотогальванического эффекта в кван-товых ямах при комнатной температуре в широком интервале длин волн: от среднего инфракрасного (6–16 мкм) до терагерцового (100–500 мкм).

 

Ключевые слова: квантовые ямы, теллурид ртути, молекулярно-лучевая эпитаксия, эллипсометрия, фотоприемники терагерцового излучения, фотогальванический эффект.

 

Коды OCIS: 040.5570, 040.3060, 120.2130, 160.6000, 230.5160, 230.5590, 260.3090.

УДК 621.315.592: 536.717: 537.33

 

Поступила в редакцию 19.03.2009.

 

CdHgTe-based nanostructures for photodetectors

S. A. Dvoretskiĭ, Z. D. Kvon, N. N. Mikhaĭlov, V. A. Shvets, A. L. Aseev, B. Wittmann, S. N. Danilov, and S. D. Ganichev

This paper presents the results of growing quantum wells based on HgTe (HgTe/Cd0.735Hg0.265Te) 16.2 and 21nm thick on substrates of (013) CdTe/ZnTe/GaAs by molecular-beam epitaxy. The composition and thickness of the spacer and of the quantum well were monitored by an ellipsometric technique during growth. Galvanomagnetic studies in a wide range of magnetic fields (1-12T) at temperatures close to that of liquid helium (4.2K) showed that a two-dimensional electron gas is present in the nanostructures and that the levels are quantized. High mobilities were obtained for the two-dimensional electron gas: μe=2×105cm2/(Vsec) for an electron density of Ns=1.5×1011cm−2 and μe=5×105cm2/(Vsec) for Ns=3.5×1011cm−2. The circular and linear photogalvanic effects were studied in the quantum wells at room temperature in a wide wavelength interval: from the mid-IR (6-16μm) to the terahertz range (100-500μm).

 

ЛИТЕРАТУРА

1. Schulman J.N., McGill T.C. The CdTe/HgTe superlattice: Proposal for a new infrared material // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 34. P. 663–665.

2. Goodwin M.W., Kinch M.A., Koestner R.J. Metal– insulator–semiconductor properties of HgTe–CdTe superlattices // J. Vac. Sci. Technol. 1988. V. A6. P. 2685–2692.

3. Zanatta J.P., Noel F., Ballet P., Hidadach N., Million A., Destefanis G., Mottin E., Kopp C., Picard E., Hadji E. HgCdTe MBE material for microcavity light emitters: application to gas detection in the 2–6 mkm range // J. Electron. Mater. 2003. V. 32. № 7. P. 602–607.

4. Zhou Y.D., Becker C.R., Selament Y., Chang Y., Ashokan R., Boreiko R.T., Aoki T., Smith D.J., Betz A.L., Sivananthan S. Far-infrared detector based on HgTe/HgCdTe superlattices // J. Electron. Mater. 2003. V. 32. № 7. P. 608–614.

5. Selament Y., Zhou Y.D., Zhao J., Chang Y., Becker C.R., Ashokan R., Grein C.H., Sivananthan S. HgTe/HgCdTe superlattices grown on CdTe/Si by molecular beam epitaxy for infrared detection // J. Electron. Mater. 2004. V. 33. № 6. P. 503–508.

6. Grein C.H., Jung H., Singh R., Flatte M.E. Comparison of normal and inverted band structure of HgTe/ CdTe superlattices for very long wavelength infrared detector // J. Electron. Mater. 2005. V. 34. № 6. P. 905–908.

7. Ganichev S.D., Prettl W. Intense terahertz exitation in semiconductor // Oxford University Press, 2006. P. 75–78.

8. Дворецкий С.А., Икусов Д.Г., Квон Д.Х., Михайлов Н.Н., Дай Н., Смирнов Р.Н., Сидоров Ю.Г., Швец В.А. Выращивание квантовых ям HgTe/ Cd0,735 Hg 0,265Te методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Автометрия. Т. 43. № 4. С. 104–111.

9. Ivchenko E.L. Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures (Alpha Science International). Harrow. UK. 2005. 427 р.

10. Ganichev S.D., Ivchenko E.L. Spin Physics in Semiconductors / Еd. M.I. Dyakonov. In the Springer series in solid state sciences / Eds. M. Cardona, P. Fulde, K. von Klitzing, R. Merlin, H.-J. Queisser, H. Stцrmer. Berlin: Springer, 2008. 439 p.

11. Wittmann B., Danilov S.N., Kvon Z.D., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Ravash R., Prettl W., Ganichev S.D. Photogalvanic effects in HgTe quantum wells // arXiv cond-mat: 0708.2169 (2007).

12. Ganichev S.D., Weber W., Kiermaier J., Danilov S.N. , Schuh D., Wegscheider W., Gerl Ch., Bougeard D., Abstreiter G., Prettl W. All-electric detection of the polarization state of terahertz laser radiation // J. Appl. Physics. 2008. V. 103. P. 114504.

13. Zhang X.C., Pfeuffer-Jeschke A., Ortner K., Hock V., Buhmann H., Becker C.R., Landwehr G. Rashba  splitting in n-type modulation-doped HgTe quantum wells with an inverted band structure // Phys. Rev. 2001. V. B63. P. 245305.

 

   Полный текст