© 2015 г. Л. В. Григорьев*, канд. физ.-мат. наук; С. С. Рыбин*, аспирант; В. Г. Нефёдов**, канд. техн. наук; О. В. Шакин**, доктор техн. наук; А. В. Михайлов***, канд. техн. наук; Е. Н. Елисеев***
* Университет ИТМО, Санкт-Петербург
** Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения, Санкт-Петербург
*** АО “Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова”, Санкт-Петербург
Е-mail: : grigoryev@oi.ifmo.ru
Приведены результаты исследования структурных, оптических и фотолюминесцентных свойств наноструктурированых пленок оксида цинка, созданных методом ионно-плазменного распыления металлической мишени при различных давлениях газа. Показано, что такие пленки цинка обладают оптическими и фотолюминесцентными свойствами, близкими к свойствам монокристаллического оксида цинка, и могут быть использованы в качестве материала для создания тонкопленочных акустооптических устройств, работающих на поверхностных акустических волнах, или для приемных площадок ультрафиолетовых фотоприемников.
Ключевые слова: наноструктурированные тонкие пленки, оксид цинка, ионно-плазменное распыление, оптический спектр, фотолюминесценция, ультрафиолетовые фотоприемники.
Коды OCIS: 250.0250, 300.0300, 310.0310, 160.0160
УДК 535.016, 535.15, 535.041.08
Поступила в редакцию 14.04.2015
ЛИТЕРАТУРА
1. Кривченко В.А., Лопаев Д.В., Пащенко П.В., Пирогов В.Г., Рахимов А.Т. Детекторы УФ излучения на основе нанокристаллических пленок ZnO // ЖТФ. 2008. Т. 78. № 8. С. 107–111.
2. Грузинцев А.Н., Волков В.Т., Бартхоу К. Спонтанное и вынужденное излучение тонкопленочных нанорезонаторов ZnO-SiO2-Si, полученных методом магнетронного напыления // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36. № 6. С. 741–745.
3. Грузинцев А.Н., Волков В.Т., Якимов Е.Е. Фотоэлектрические свойства пленок ZnO, легированных акцепторными примесями Cu и Ag // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. № 3. С. 275–278.
4. Asnis L.N., Nefedov V.G., Pokrovski A.A. All-fiber acousto-optic phase modulator using thin-film deposition technology // EFTF 16th European Frequency and Time Forum. Proceedings. St-Peterburg, Russia, 2002. P. 114–118.
5. Белянин А.Ф., Самойлович М.И., Ковальский К.А., Петухов К.Ю. Получение нанотекстурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2005. № 4. С. 46–54.
6. Goutzoulis A.P., Pape D.R., Kulakov S.V. Desing and fabrication of acousto-optic devices. NY: Marsel Dekker Inc., 1994. 497 p.
7. Русаков А.А. Рентгенография металлов. М.: Атомиздат, 1977. 480 с.
8. Закирова А.Н., Крылов П.Н., Суворов И.А., Федотова И.В. Влияние ионной обработки в процессе ВЧ магнетронного распыления на структуру пленок оксида цинка // Вестник Удмурдского государственного университета. Cер. Физика конденсированного состояния вещества. 2012. В. 4. С. 14–17.
9. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. 366 с.
10. Алексеев С.А., Прокопенко В.Т., Яськов А.Д. Экспериментальная оптика полупроводников. СПб: Политехника, 1994. 246 с.
11. Веселов А.Г., Кирясова О.А., Сердобинцев А.А. Свойства пленок оксида цинка, синтезированных в низкотемпературном плазменном разряде в условиях бомбардировки компонентами плазмы // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. № 4. С. 496–499.
12. Yao B.D., Chang V.F., Wang F. Formation of ZnO nanostructures by a simple way of thermal evaporation // Appl. Phys. Lett. 2002 .V. 81 № 4. P. 757–759.
13. Грузинцев А.Н., Волков В.Т. Модификация электрических и оптических свойств пленок ZnO под действием ультрафиолетового излучения // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. В. 11. С. 1476–1480.
14. Bagnal D.M., Chen Z., Yao T. High temperature excitonic stimulated emission from ZnO epitaxial layer // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 1038–1040.
Полный текст >>>
