Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения
- Редакционная этика


Контакты

Подписка

Карта сайта




Журнал с 01.12.2015 допущен ВАК для публикации основных результатов диссертаций как издание, входящее в международные реферативные базы систем цитирования (Web Science, Scopus) (см. Vak.ed.gov.ru Перечень журналов МБД 16.03.2018г)

Аннотации (03.2016) : СОЗДАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРЕМНИЕВОГО НАНОКОМПОЗИТА, СОДЕРЖАЩЕГО СИЛИКАТ ВИСМУТА

СОЗДАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРЕМНИЕВОГО НАНОКОМПОЗИТА, СОДЕРЖАЩЕГО СИЛИКАТ ВИСМУТА

 

© 2016 г.     Л. В. Григорьев*, канд. физ.-мат. наук; А. В. Михайлов**, канд. техн. наук

*   Университет ИТМО, Санкт-Петербург

** АО “Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова”, Санкт-Петербург

Е-mail: grigoryev@oi.ifmo.ru

Представлен новый метод создания кремниевого нанокомпозита, содержащего силикат висмута. Приведены результаты исследования структурных, оптических и электрофизических свойств тонкого слоя окисленного пористого кремния, содержащего силикат висмута. Рентгеноструктурные исследования показали наличие в этом слое фазы силиката висмута. Коэффициент поглощения слоя в диапазоне длин волн от 400 до 900 нм составлял не более 70 см–1. Это позволяет использовать его при создании оптических сенсоров в интегрально-оптическом исполнении и в микроструктурах кремниевой фотоники. Термоактивационные исследования композита в диапазоне температур от 100 до 600 K позволили восстановить функцию энергетического распределения ловушек по энергии активации, необходимую для прогнозирования его оптических свойств.

Ключевые слова: окисленный пористый кремний, спектр поглощения, силикат висмута.

Коды OCIS: 250.0250, 300.0300, 310.0310, 160.0160

УДК 535.016, 535.15, 535.041.08

Поступила в редакцию 19.10.2015

ЛИТЕРАТУРА

1.         Красюк Б.А., Семенов О.Г., Шереметьев А.Г., Шестериков В.А. Световодные датчики. М.: Машиностроение, 1990. 250 с.

2.         Ребрин Ю.К. Управление оптическим лучом в пространстве. М.: Сов. Радио, 1977. 340 с.

3.         Потапов Т.В. Экспериментальное исследование температурной стабильности датчиков магнитного поля на основе кристаллов Bi12SiO20 // ПЖТФ. 1998. Т. 24. Вып. 11. С. 26–33.

4.        Григорьев Л.В., Григорьев И.М., Заморянская М.В., Соколов В.И., Сорокин Л.М. Транспортные свойства термически окисленного пористого кремния // ПЖТФ. 2006. Т. 32. Вып. 17. С. 33–41.

5.         Orlando A., Rainer W. Science and Technology of Electroceramic thin film. Kluwed Academic Publisher, 1994. 460 p.

6.        Клебанский Е.О., Кудзин А.Ю., Пасальский В.М., Пляка С.Н., Соколянский Г.Х.  Тонкие золь-гель пленки силиката висмута // ФТТ. 1999. Т. 41. Вып. 6. С. 1003–1005.

7.         Григорьев Л.В., Нефедов В.Г., Шакин О.В., Михайлов А.В., Елисеев Е.Н. Исследование структурных и оптических свойств тонких пленок оксида цинка, полученных ионно-плазменным методом // Оптический журнал. 2015. Т. 82. № 5. С. 66–70.

8.        Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. 366 с.

9.        Панченко Т.В., Карпова Л.М., Дуда В.М. Диэлектрическая релаксация в кристаллах Bi12SiO20:Cr // ФТТ. 2000. Т. 42. Вып. 4. C. 671–675.

10.       Панченко Т.В., Снежной Г.В. Электрически активные дефекты в нелигированных и легированных ионами Al и Ga кристаллах Bi12SiO20 //ФТТ. 1993. Т. 35. Вып. 11. C. 2945–2951.

11.       Панченко Т.В., Карпова Л.М. Электрически активные дефекты в нелегированных и легированных ионами Cr и Mn кристаллах Bi12SiO20 // ФТТ. 1998. Т. 40. Вып. 3. C. 472–476.

12.       Толстик А.Л., Матусевич А.Ю., Кистенева М.Г., Шандаров С.М., Иткин С.Г., Мандель А.Е., Каргин Ю.Ф., Кульчин Ю.Ф., Ромашко Р.В. Спектральная зависимость фотоиндуцированного поглощения, наведенного в кристалле Bi12SiO20 импульсным излучением с длиной волны 532 нм // Квант. электрон. 2007. Т. 37. Вып. 11. С. 1024–1031.

13.       Арсенин В.Я., Тихонов А.Н. Численные методы решения некорректных задач. М.: Наука, 1991. 230 с.

 

 

Полный текст >>>