Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения


Контакты

Подписка

Карта сайта





Журнал с 19.02.2010 входит в новый «Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание ученой степени доктора и кандидата наук»
Аннотации (09.2016) : ФОТОРЕЗИСТОРЫ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 2–15 МКМ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР CDXHG1–XTE, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ

ФОТОРЕЗИСТОРЫ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 2–15 МКМ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР CDXHG1–XTE, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ

 

© 2016 г.     А. В. Филатов, канд. техн. наук; Е. В. Сусов, канд. техн. наук; Н. С. Кузнецов; В. В. Карпов, канд. физ.-мат. наук

ОАО “Швабе – Фотосистемы”, Москва

Е-mail: info@shvabe-fs.ru

Представлены результаты разработки и промышленного производства фоторезисторов из гетероэпитаксиальных структур CdхHg1–хTe, полученных молекулярной эпитаксией, на спектральный диапазон 2–15 мкм для инфракрасной техники. Приведены различные конструкции фоторезисторов с охлаждением до 80 и 230 K и их основные фотоэлектрические параметры. Выполнен расчет надежности фоторезисторов по гамма-процентной наработке до отказа.

Ключевые слова: гетероэпитаксиальные структуры кадмий-ртуть-теллур, фоторезистор, надежность.

Коды OCIS: 230.5160, 040.3060,160.6840

УДК 621.383.49:621.793.162

Поступила в редакцию 19.04.2016

ЛИТЕРАТУРА 

1.         Hansen G.L., Schmit J.L., Casselman T.N. Energy gap versus alloy composition and temperature in Hg1xCdxTe // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. P. 7099–7101.

2.         VaravinV.S., Dvoretsky S.A., Liberman V.I., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G. Molecular beam epitaxy of high quality Hg1–xCdxTe films with control of the composition distribution // J. Cryst. Growth. 1996. V. 159. P. 1161–1166.

3.         Гиндин П.Д., Карпов В.В., Филатов А.В., Сусов Е.В., Петренко В.И., Никифоров А.Ю., Кузнецов Н.С., Грибанов А.А. Фоторезистор с кодом Грея из гетеро-эпитаксиальных структур КРТ для регистрации импульсного излучения СО2 лазера // Труды XXIII Межд. научно-техн. конф. “Фотоэлектроника и приборы ночного видения”. М., 2014. С. 538–542.

4.        Филатов А.В., Гиндин П.Д., Карпов В.В., Кузнецов Н.С., Сусов Е.В. Многоэлементный кодовый приемник // Патент на полезную модель России № 140458. 2014.

5.         Филатов А.В., Сусов Е.В., Гусаров А.В., Акимова Н.М., Крапухин В.В., Карпов В.В., Шаевич В.И. Долговременная стабильность фоторезисторов спектрального диапазона 8–12 мкм, изготовленных из гетеро-эпитаксиальных структур CdHgTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 49–54.

6.        Филатов А.В., Карпов В.В., Сусов Е.В., Грибанов А.А., Кузнецов Н.С., Петренко В.И. Фоторезисторы с кодом Грея из гетероэпитаксиальных структур CdxHg1–xTe на спектральный диапазон 2–11 мкм с термоэлектрическим охлаждением // УПФ. 2015. Т. 3. № 2. С. 190–195.

7.         Филатов А.В., Сусов Е.В., Акимова Н.М., Карпов В.В., Шаевич В.И. Высокостабильные фоторезисторы диапазона 8–12 мкм из ГЭС КРТ МЛЭ // УПФ. 2015.Т. 3. № 2. С. 196–201.

8.        Филатов А.В., Кузнецов Н.С., Гиндин П.Д., Карпов В.В., Козырев М.Е., Петренко В.И. Приемник излучения с термоэлектрическим охлаждением // Патент на полезную модель России № 153455. 2015.

9.        Infrared detectors and related electronic devices. Catalogue VIGO System S.A. www.vigo.com.pl.

10.       Кузнецов Н.С., Марущенко А.В., Гиндин П.Д., Михайлова Е.В., Акимова Н.М. Приемник излучения с радиационным охлаждением // Патент на полезную модель России № 111642. 2011. 

11.       ГОСТ 27.002-89. Надежность в технике. Основные понятия. Термины и определения.

 

 

Полный текст