Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения


Контакты

Подписка

Карта сайта





Журнал с 19.02.2010 входит в новый «Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание ученой степени доктора и кандидата наук»
Аннотации (04.2017) : ОБРАЗОВАНИЕ, ПРИРОДА И ОТЖИГ ДЕФЕКТОВ В ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ CD0,2HG0,8TE И ФОТОРЕЗИСТОРАХ, ПОДВЕРГНУТЫХ ИОННОМУ ТРАВЛЕНИЮ

ОБРАЗОВАНИЕ, ПРИРОДА И ОТЖИГ ДЕФЕКТОВ В ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ CD0,2HG0,8TE И ФОТОРЕЗИСТОРАХ, ПОДВЕРГНУТЫХ ИОННОМУ ТРАВЛЕНИЮ

 

© 2017 г.       А. В. Филатов, канд. техн. наук; Е. В. Сусов, канд. техн. наук; В. В. Карпов, канд. физ.-мат. наук

ОАО «Швабе – Фотосистемы», Москва

E-mail: info@shvabe-fs.ru

УДК 621.383.45: 621.793.09

Поступила в редакцию 09.11.2016

Исследовано образование дефектов в CdхHg1−хTe (х ≈ 0,2) при травлении ионами аргона (1 кэВ) и их поведение при отжиге. Установлена природа этих дефектов. Методом измерения зависимости вольтовой чувствительности от напряжения смещения фоторезисторов, изготовленных из гетероэпитаксиальных структур CdхHg1−хTe (х ≈ 0,2), полученных молекулярно-лучевой эпитаксией, определялась концентрация основных носителей заряда в процессе отжига. Показано, что изменение концентрации основных носителей заряда в процессе отжига определяется диффузией однократно заряженных доноров, являющихся комплексами вакансий ртути с избыточной межузельной ртутью, и коэффициентами диффузии однократно и двукратно заряженных вакансий ртути, концентрация которых определяется равновесными концентрациями точечных дефектов.

Ключевые слова: гетероэпитаксиальные структуры кадмий-ртуть-теллур, фоторезистор, ионное травление, диффузия вакансий ртути.

Коды OCIS: 230.5160, 040.3060, 160.6840

 

Литература

1.         Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Модифицирование свойств Hg1−xCdxTe низко-энергетичными ионами // ФТП. 2003. Т. 37. В. 10. С. 1153−1178.

2.         Поцяск М, Инжин И.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Варавин В.С., Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Электрические свойства гетероэпитаксиальных слоев CdHgTe n-типа проводимости, модифицированных ионным травлением // ФТП. 2008. Т. 8. В. 12. С. 1144−1446.

3.         Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Liberman V.I., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G. Molecular beam epitaxy of high quality Hg1–хCdхTe films with control of the composition distribution // J. Cryst. Growth. 1996. V. 159.  P. 1161.

4.        Catagnus P.S., Baker C.T. Passivation of mercury cadmium telluride semiconductor surfaces by anodic oxidation // US Patent. 1976. № 3977018.

5.         Kinch M.A., Borrello S.R., Simmons A. 0.1 eV HgCdTe photoconductive detector performance // Infrared Phis. 1977. V. 17. № 2. P. 127−135.

6.        Siliquini J.F., Fynn K.A., Nener B.D., Faraone L., Hartley R.H. Improved device technology for epitaxial Hg1–хCdхTe infrared photoconductor arrays // Semicond. Sci. Technol. 1994. V. 9. P. 1515−1522.

7.         Горшков А.В. Точечные дефекты и примеси в Cd0,2Hg0,8Te // Высокочистые вещества. 1989. № 6. С. 207−214.

8.        Belas E., Grill R., Franc J., Moravec P., Vorghova R., Höschl P., Sitter H., Toth A.L. Dynamics of native point defects in H2 and Ar plasma-etched narrow gap (HgCd)Te // J. Cryst. Growth. 2001. V. 224. P. 52−58.

9.        Заитов Ф.А., Исаев Ф.К., Горшков А.В. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых полупроводниковых твёрдых растворах. Баку: Азерб. гос. изд-во. 1984. С. 89.

10.       Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. М.: Гос. изд-во физ.-мат. лит. 1961. С. 143.

 

 

Полный текст