Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения
- Редакционная этика


Контакты

Подписка

Карта сайта




Журнал с 01.12.2015 допущен ВАК для публикации основных результатов диссертаций как издание, входящее в международные реферативные базы систем цитирования (Web Science, Scopus) (см. Vak.ed.gov.ru Перечень журналов МБД 16.03.2018г)

Аннотации (02.2019) : ФОТОРЕЗИСТОРЫ С РАДИАЛЬНЫМ СМЕЩЕНИЕМ ИЗ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР CDXHG1–XTE

ФОТОРЕЗИСТОРЫ С РАДИАЛЬНЫМ СМЕЩЕНИЕМ ИЗ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР CDXHG1–XTE

 

© 2019 г. А. В. Гусаров; А. В. Филатов, канд. техн. наук; Е. В. Сусов, канд. техн. наук;
                 В. В. Карпов, канд. физ.-мат. наук; П. Д. Гиндин, доктор техн. наук

АО «Московский завод «Сапфир», Москва

E-mail: info@mzsapphir.ru

УДК 621.383.45: 621.793.09

Поступила в редакцию 20.07.2018

DOI:10.17586/1023-5086-2019-86-02-55-61

Исследованы свойства и параметры малоразмерных фоточувствительных элементов фоторезисторов с радиальным расположением контактов из гетероэпитаксиальных структур CdxHg1–xTe (x ≈ 0,212) с варизонными слоями под контактами. При напряжении смещения, соответствующему величине вольтовой чувствительности 1,5105 В/Вт и плоском угле зрения 14, выделяемая мощность составила не более 0,5 мкВт на один элемент, а удельная обнаружительная способность — не менее 1,21011 смГц1/2/Вт. Разработанная конструкция и полученные фотоэлектрические параметры фоторезисторов позволяют создавать фокальные матрицы из фоторезисторов с количеством пикселов порядка 106 и использовать мультиплексоры для обработки сигналов изображения.

Ключевые слова: гетероэпитаксиальные структуры кадмий-ртуть-теллур, фоторезистор, эксклюзия носителей заряда.

Коды OCIS: 230.5160, 040.3060, 160.6840

 

Литература 

1.         Rogalski A. HgCdTe infrared detector material: history, status and outlook // Rep. Prog. Phys. 2005. V. 68. P. 2267–2336.

2.         www.cobham.com/media/934628/ADV10553pdf

3.         Филатов А.В., Сусов Е.В., Кузнецов Н.С., Карпов В.В. Фоторезисторы спектрального диапазона 2–15 мкм на основе гетероэпитаксиальных структур CdxHg1xTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Оптический журнал. 2016. Т. 83. № 9. С. 43–50.

4.         Siliquini J.F., Faraone L. The vertical photoconductor: A novel device structure suitable for HgCdTe two-dimensional infrared focal plane arrays // Infrared Physics&Technology. 1997. V. 38. P. 205–221.

5.         Филатов А.В., Сусов Е.В., Карпов В.В. Фоторезисторы с эксклюзией носителей заряда для спектрального диапазона 8–16 мкм из гетероэпитаксиальных структур n–CdxHg1xTe // Оптический журнал. 2018. Т. 85. № 6. С. 58–66.

6.         Филатов А.В., Сусов Е.В., Гусаров А.В., Акимова Н.М., Крапухин В.В., Карпов В.В., Шаевич В.И. Долговременная стабильность фоторезисторов спектрального диапазона 8–12 мкм, изготовленных из гетероэпитаксиальных структур CdHgTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 49–54.

7.         Филатов А.В., Сусов Е.В., Карпов В.В. Образование, природа и отжиг дефектов в гетероэпитаксиальных структурах Cd0,2Hg0,8Te и фоторезисторах, подвергнутых ионному травлению // Оптический журнал. 2017. Т. 84. № 4. С. 67–72.

8.        Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Liberman V.I., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G. Molecular beam epitaxy of high quality Hg1–хCdхTe films with control of the composition distribution // J. Cryst. Growth. 1996. V. 159. P. 1161–1166.

9.         Elliott C.T. Non-equilibrium mode of operation of narrow-gap semiconductor devices // Semicod. Sci. Technol. 1990. V. 5. P. S30–S37.

10.       Siliquini J.F., Fynn K.A., Nener B.D., Faraone L., Hartley R.H. Improved device technology for epitaxial Hg1–хCdхTe infrared photoconductor arrays // Semicond. Sci. Technol. 1994. V. 9. P. 1515–1522.

11.       Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 672 с.

12.       Kinch M.A., Borrello S.R., Simmons A. 0.1 eV HgCdTe photoconductive detector performance // Infrared Phys. 1977. V. 17. № 2. P. 127–135.

 

 

Полный текст