Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения
- Редакционная этика


Контакты

Подписка

Карта сайта




Журнал с 01.12.2015 допущен ВАК для публикации основных результатов диссертаций как издание, входящее в международные реферативные базы систем цитирования (Web Science, Scopus) (см. Vak.ed.gov.ru Перечень журналов МБД 16.03.2018г)

Аннотации (12.2020) : ФОТОРЕЗИСТОРЫ С ЭКСКЛЮЗИЕЙ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ДЛЯ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 3–5 МКМ ИЗ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР N — CDXHG1–XTE

ФОТОРЕЗИСТОРЫ С ЭКСКЛЮЗИЕЙ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ДЛЯ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 3–5 МКМ ИЗ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР N — CDXHG1–XTE

 

© 2020 г.      А. В. Филатов, канд. техн. наук; Е. В. Сусов, канд. техн. наук; А. В. Гусаров; В. В. Карпов, канд. физ.-мат. наук

АО «Московский завод «САПФИР», Москва

E-mail: info@mzsapphir.ru

УДК 621.383.45: 621.793.09

Поступила в редакцию 24.07.2020

DOI:10.17586/1023-5086-2020-87-12-103-110

Исследованы свойства фоторезисторов из гетероэпитаксиальных структур n  CdxHg1xTe в спектральном диапазоне 3–5 мкм с размером фоточувствительных площадок 0,05х0,05 и 0,5х0,5 мм с индиевыми контактами при температуре 80 K. Определены зависимости концентрации электронов и времени жизни носителей заряда в пикселах от напряжения смещения в широком диапазоне воздействия фонового излучения. В фоторезисторах с размером пиксела 0,05х0,05 мм может быть реализован неравновесный режим работы с эксклюзией неосновных носителей заряда. Концентрация электронов в таком режиме снижается до величины 1х1013 см–3. Фоторезисторы из эпитаксиальных структур n  CdxHg1xTe (x ≈ 0,305) в режиме эксклюзии при 80 K имеют вольтовую чувствительность порядка 107 В/Вт и удельную обнаружительную способность около 1,3х1012 смГц1/2/Вт.

Ключевые слова: гетероэпитаксиальные структуры кадмий-ртуть-теллур, фоторезистор, эксклюзия носителей заряда.

Коды OCIS: 230.5160, 040.3060, 160.6840

 

Литература 

1.    Filatov A.V., Susov E.V., Kuznetsov N.S., Karpov V.V. Photoresistors of the 2–15 µm spectral range based on CdxHg1–xTe heteroepitaxial structures obtained by molecular-beam epitaxy // J. of Optical Technology. 2016. V. 83. No. 9. Р. 543–548.

2.   Filatov A.V., Susov E.V., Karpov V.V. Photoresistors with charge-carrier exclusion for the 8–16 µm spectral range, made from n – CdxHg1–xTe heteroepitaxial structures // J. of Optical Technology. 2018. V. 85. No. 6. P. 359–366.

3.   Gusarov A.V., Filatov A.V., Susov E.V., Karpov V.V., Gindin P.D. Radially biased photoresistors with heteroepitaxial CdxHg1–xTe structure // J. of Optical Technology. 2019. V. 86. No. 2. P. 108–113.

4.   Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Liberman V.I., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G. Molecular beam epitaxy of high quality Hg1–хCdхTe films with control of the composition distribution // J. Cryst. Growth. 1996. V. 159. P. 1161.

5.   Siliquini J.F., Fynn K.A., Nener B.D., Faraone L., Hartley R.H. Improved device technology for epitaxial Hg1–хCdхTe infrared photoconductor arrays // Semicond. Sci. Technol. 1994. V. 9. P. 1515–1522.

6.   Шалимова К.В. Физика полупроводников. СПб.: Лань, 2010. 400 с.

7.    Kinch M.A., Borrello S.R., Simmons A. 0.1 eV HgCdTe photoconductive detector performance // Infrared Phis. 1977. V. 17. № 2. P. 127–135.

8.   Пономаренко В.П. Квантовая фотосенсорика. М.: АО «НПО «ОРИОН», 2018. 648 с.

9.         Шоль Ж., Марфан И., Мюнш Н., Торель П., Комбет П. Приёмники инфракрасного излучения. Пер. с фран. / Под ред. Курбатова Л.Н. М.: Мир, 1969. 270 с.

 

 

Полный текст