Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения
- Редакционная этика


Контакты

Подписка

Карта сайта




Журнал с 01.12.2015 допущен ВАК для публикации основных результатов диссертаций как издание, входящее в международные реферативные базы систем цитирования (Web Science, Scopus) (см. Vak.ed.gov.ru/87)
Аннотации (02.2009) : Создание в Государственном оптическом институте им. С.И. Вавилова метода выращи- вания крупногабаритных кристаллов оптического лейкосапфира

Создание в Государственном оптическом институте им. С.И. Вавилова метода выращи- вания крупногабаритных кристаллов оптического лейкосапфира

 © 2009 г. М. И. Мусатов, доктор техн. наук

 

Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения “ГОИ им. С.И. Вавилова”, Санкт-Петербург

 

E-mail: mus11@yandex.ru

 

В статье излагается история создания в Государственном оптическом институте (ГОИ) им. С.И. Вавилова прогрессивного и получившего широкое международное признание метода выращивания крупногабаритных кристаллов оптического лейкосапфира (метод ГОИ), который используется при выращивании почти половины мирового производства крупногабаритных (диаметром до 300 мм) кристаллов. Обсуждены основные особенности “метода ГОИ” – рост кристалла от затравки в направлении стенок ростового тигля без его вращения с экстремально острым фронтом кристаллизации. Обсуждено усовершенствование технологии выращивания лейкосапфира, позволяющее выращивать кристаллы диаметром до 520 мм и весом до 450 кг. Современная технология дает возможность уменьшить габариты ростовых печей и расход электроэнергии в 8 раз.

 

УДК 666.22

Коды OCIS: 160.0160.

 

Поступила в редакцию 02.09.2008.

 

ЛИТЕРАТУРА

1. Термостойкие диэлектрики и их сплавы с металлом в новой технике / Под общей ред. Н.Д. Девяткова. М.: Атомиздат, 1980. С.39–56, 110–161.

2. Багдасаров Х.С. Высокотемпературная кристаллизация из расплава. М.: Физматлит, 2004. С. 86, 88, 126.

3. Мусатов М.И. Способ выращивания тугоплавких монокристаллов // Патент РФ №2056463. 1996.

4. Тиллер В.А. М.: Металлургия, 1968. С. 284–351.

5. Кокорыш Е.Ю, Шефталь Н.Н. К вопросу о росте бездислокационных монокристаллов германия // Рост кристаллов. Т. 3. М.: АН СССР, 1961. С. 333–334.

6.Бузыкин А.Н., Блецкан Н.И., Кузнецов Ю.Н., Шефталь Н.Н. Ростовые дефекты полупроводниковых кристаллов // Тез. 5-го Всесоюзн. совещания по росту кристаллов. Тбилиси, 1977. Т.2. С. 13–14.

7. Цывинский В. О факторах, определяющих плотность дислокаций при выращивании кристаллов методом Чохральского // Физика металлов и металловедение. 1968. Т. 25. В. 6. С. 1013–1020.

8.Бару В.Г., Хмельницкая Е.М. О рекомбинационных процессах в искусственных монокристаллах РbS // ФТТ. 1962. Т. 4. В. 7. С. 1897–1900.

9. Багдасарова Х.С., Добровинская Е.Р. Пищик В.В. О возможности получения совершенных монокристаллов корунда // Рост кристаллов. Ереван: Ереванский ГУ. 1977. Т. 12. С. 195–201.

10. Горилецкий В.И. Исследование характера температурного поля в кристаллах, выращенных из расплава // Монокристаллы и техника. Харьков, 1976. С. 1–6.

11. Шефталь Н.Н. Процессы реального кристаллообразования. М.: Наука, 1977. 233 с.

12. Musatov M. Procede de cristallogenese et installation pour sa mise en oeuvre, et cristaux obtenus // Патент по заявке 0011315 от 5.09.2000. Inventeur 3, avenue Bugeaud, 75116 Paris. Societe Civile Professionnelle de Conseile en Propriete Industrielle Patent and Trade Mark Attorneys.

13. Мусатов М.И. Способ выращивания тугоплавких микрокристаллов // Патент РФ № 20056463. 1996.

14. Мусатов М.И., Бортовая Т.Е. Высокотемпературный электронагреватель сопротивления // А. с. № 674254. 1979.

 

Полный текст  >>>>

The creation of a method of growing large crystals of optical synthetic sapphire at the S. I. Vavilov State Optical Institute

M. I. Musatov

This article describes the history of the creation at the S. I. Vavilov State Optical Institute (GOI) of a progressive and internationally recognized method of growing large crystals of optical synthetic sapphire (the GOI method), which is being used to grow almost half of the world's production of large crystals (as much as 300mm in diameter). The main features of the GOI method are discussed--a crystal with an extremely sharp crystallization front is grown from a seed in the direction of the walls of the growth crucible without rotating it. The perfection of a technology for growing synthetic sapphire that makes it possible to grow crystals up to 520mm in diameter and weighing up to 450kg is discussed. The current technology makes it possible to reduce the size of the growth furnaces and the electrical-energy consumption by a factor of 8.

 

-