Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
 
   
Русский вариант сайта Английский вариант сайта
   
       
   
       
Статьи последнего выпуска

Электронные версии
выпусков начиная с 2008


Алфавитный указатель
2000-2010 гг


444
Архив оглавлений
выпусков 2002-2007 гг


Реквизиты и адреса

Вниманию авторов и рецензентов!
- Порядок публикации
- Порядок рецензирования статей
- Типовой договор
- Правила оформления
- Получение авторского вознаграждения
- Редакционная этика


Контакты

Подписка

Карта сайта




Журнал с 01.12.2015 допущен ВАК для публикации основных результатов диссертаций как издание, входящее в международные реферативные базы систем цитирования (Web Science, Scopus) (см. Vak.ed.gov.ru Перечень журналов МБД 16.03.2018г)

Аннотации (05.2014) : О МЕЖАТОМНОМ ПОТЕНЦИАЛЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ, ОПИСЫВАЮЩий ОСЛАБЛЕНИЕ СВЯЗЕЙ В КЛАССИЧЕСКОМ МОЛЕКУЛЯРНО­ДИНАМИЧЕСКОМ МОДЕЛИРОВАНИИ

О МЕЖАТОМНОМ ПОТЕНЦИАЛЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ, ОПИСЫВАЮЩий ОСЛАБЛЕНИЕ СВЯЗЕЙ В КЛАССИЧЕСКОМ МОЛЕКУЛЯРНО­ДИНАМИЧЕСКОМ МОДЕЛИРОВАНИИ

 © 2014 г.    В. П. Липп*, **, аспирант; Д. С. Иванов*, **, канд. техн. наук; Б. Ретфельд*, доктор техн. наук; М.Э. Гарсия**, доктор техн. наук

*Технический Университет Кайзерслаутерна и исследовательский центр OPTIMAS, г. Кайзерслаутерн, Германия

**Университет Касселя, г. Кассель, Германия

Е­mail: v.p.lipp@gmail.com

Под действием сверхкороткого лазерного импульса в полупроводниках может происходить быстрое нетермическое плавление. Одним из привлекательных способов для количественного описания кинетики подобных эффектов может стать молекулярно­динамическое моделирование, в котором межатомный потенциал зависит от параметров возбужденных носителей. В данной работе рассматриваются свойства, которыми должен обладать такой потенциал. На основе простой модели для фотовозбужденных носителей показано, что условие сохранения энергии накладывает на потенциал определенные требования.

Ключевые слова: молекулярная динамика, сверхкороткие лазерные импульсы, межатомный потенциал, электронно­дырочные пары, нетермическое плавление, взаимодействие излучения с веществом.

Коды OCIS: 000.6800, 140.3390, 140.7090, 160.6000.

УДК 53.06, 538.951, 538.958

Поступила в редакцию 13.12.2013.

 

ЛИТЕРАТУРА

1.         Rousse A., Rischel C., Fourmaux S., Uschmann I., Sebban S., Grillon G., Balcou Ph., Förster E., Geindre J.P., Audebert P., Gauthier J.C., Hulin D. Non­thermal melting in semiconductors measured at femtosecond resolution // Nature. 2001. V. 410. P. 65–68.

2.         Stampfli P., Bennemann K. H. Theory of the instability of the diamond structure of Si, Ge, and C induced by a dense electron­hole plasma. // Phys. Rev. B. 1990. V. 42. P. 7163–7173.

3.         Stampfli P., Bennemann K. H. Dynamical theory of the laser­induced instability of silicon. // Phys. Rev. B. 1992. B. V. 46. P. 10686–10692.

4.        Korfiatis D.P., Thoma K.­A. Th., Vardaxoglou J.C. Conditions for femtosecond laser melting of silicon // J. Phys. D: Appl. Phys. 2007. V. 40. P. 6803–6808.

5.         Zijlstra E.S., Zier T., Bauerhenne B., Krylow S., Geiger P.M., Garcia M.E. Femtosecond­laser­induced bond breaking and structural modifications in silicon, TiO2, and defective graphene: an ab initio molecular dynamics study // Appl. Phys. A. 2014. V. 114. P. 1–9.

6.        Shokeen L., Schelling P.K. Thermodynamics and kinetics of silicon under conditions of strong electronic excitation // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. P. 073503.

7.         van Driel H.M. Kinetics of high­density plasmas generated in Si by 1.06­ and 0.53­µm picosecond laser pulses // Phys. Rev. B. 1987. V. 35. P. 8166–8176.

8.        Vankemmel R., Schoenmaker W., De Meyer K. A unified wide temperature range model for the energy gap, the effective carrier mass, and intrinsic concentration in silicon // Solid State Electronics. 1993. V. 36. P. 1379–1384.

9.        Shokeen L., Schelling P.K. Role of electronic­excitation effects in the melting and ablation of laser­excited silicon // Computational Materials Science. 2013. V. 67. P. 316–328.

 

 

Полный текст