ITMO
en/ en

ISSN: 1023-5086

en/

ISSN: 1023-5086

Научно-технический

Оптический журнал

Полнотекстовый перевод журнала на английский язык издаётся Optica Publishing Group под названием “Journal of Optical Technology“

Подача статьи Подать статью
Больше информации Назад

УДК: 621.383

Теоретическое исследование и анализ временного отклика в гетероструктуре APD-Гейгер

Ссылка для цитирования:

Mehdi Dehghan. Теоретическое исследование и анализ временного отклика в гетероструктуре APD-Гейгер // Оптический журнал. 2012. Т. 79. № 12. С. 56–61.

Mehdi Dehghan. Theoretical investigation and analysis of time response in heterostructure Geiger-APD [in English] // Opticheskii Zhurnal. 2012. V. 79. № 12. P. 56–61.

Ссылка на англоязычную версию:

Mehdi Dehghan, "Theoretical investigation and analysis of time response in heterostructure Geiger-APD," Journal of Optical Technology. 79(12), 794-798 (2012).  https://doi.org/10.1364/JOT.79.000794

Аннотация:

In this paper the mean current impulse response and standard deviation in Geiger mode for heterostructure APD are determined. The model is based on recurrence equations. These equations are solved numerically to calculate the mean current impulse response and standard deviation as a function of time. In this structure we illustrate the multiplication region with different ionization threshold energies that the impact ionization of the injected carrier type is localized and the feedback carrier type is suppressed. In fact for this structure, better control of spatial distribution of impact ionization for both injected and feedback carriers can be achieved. By enhancing the control of impact-ionization position, the structure achieved to high gain and very low noise.

Ключевые слова:

Лавинный фотодиод, режим Гейгера, структура I2E, темный счет

Коды OCIS: 040.1345

Список источников:

1. Tan C.H., David J.P.R., Plimmer S.A., Rees G.J., Tozer R.C., Grey R. // IEEE Trans. Electron Devices. 2001. V. 48. P. 1310–1317.

2. Groves C., Chia C.K., Tozer R.C., David J.P.R., Rees G.J. // IEEE J. Quantum Electron. 2005. V. 41. P. 70–75.
3. Chin R., Holonyak N., Stillman G.E., Tang J.Y., Hess K. // Electron. Lett. 1980. V. 16. P. 467–469.
4. Chia C.K., Ng B.K., David J.P.R., Rees G.J., Tozer R.C., Hopkinson M., Airey R.J., Robson P.N. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. P. 2631–2637.
5. Kown O. // IEEE J. Quantum Electron. 2003. V. 39. P. 1287–1296.
6. Groves C., Tan C.H., David J.P.R., Ress G.J., Hayat M.M. // IEEE Trans. Electron Devices. 2005. V. 52. P. 1527–1534.
7. Moll J.L., Meyer N. Solid State Electron. 1961. V. 3. P. 155–161.
8. Saleh M.A., Hayat M.M., Saleh B.E.A., Teich M.C. IEEE Trans. Electron Devices. 2000. V. 47. P. 625–633.
9. Plimmer S.A., David J.P.R., Grey R., Rees G.J. IEEE Trans. Electron Devices. 2000. V. 47. P. 1089–1097.
10. Tan C.H., Hambleton P.J., David J.P.R., Tozer R.C., Rees G.J., Lightwave J. Technol. 2003. V. 21. P. 155–159.
11. Hayat M.M., Saleh B.E.A., Lightwave J. Technol. 1992. V. 10. P. 1415–1425.
12. Chen W., Liu Sh. IEEE Journal of Quantum Electronics. 1996. V. 32. 2105–2111.
13. Wang S., Sidhu R., Zheng X.G., Li X., Sun X., Holmes A.L., Jr., Campbell J.C. IEEE Photon. Technol. Lett. 2001. V. 13. P. 1341–1348.