Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2.

Предисловие выпускающего редактора

Латышев А.В., Якушев М.В.

Фотоника

Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники

Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В.

Униполярные барьерные структуры на основе n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера. Обзор

Ружевич М.С., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Дорогов М.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Ужаков И.Н., Ремесник В.Г., Якушев М.В.

Оптические свойства и разупорядочение плёнок HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Гензе И.Ю., Аксенов М.С., Парамонова М.А., Дмитриев Д.В., Журавлёв К.С.

Влияние условий формирования и отжига на параметры Pt/InAlAs барьеров Шоттки

Петрушков М.О., Аксенов М.С., Богомолов Д.Б., Емельянов Е.А., Протасов Д.Ю., Путято М.А., Чистохин И.Б., Преображенский В.В., Гилинский А.М., Воропаев К.О.

Легирование Zn эпитаксиальных слоёв InAlAs и InP из планарного источника Zn3P2

Швец В.А., Марин Д.В., Кузнецова Л.С., Азаров И.А., Якушев М.В., Рыхлицкий С.В.

Анализ морфологии поверхности буферных слоёв CdTe с помощью эллипсометрии и интерференционной профилометрии для создания методики контроля роста буферных слоёв

Стучинский В.А., Вишняков А.В., Васильев В.В.

Частотно-контрастная характеристика и эффективная длина диффузии фотогенерированных носителей заряда в фотоприёмных матрицах на основе материала кадмий-ртуть-теллур с разными значениями геометрических параметров

Васильев В.В., Вишняков А.В., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Стучинский В.А.

Влияние охранных сеточных диодов с плавающим потенциалом n-области на пространственное разрешение n-на-p линейных HgCdTe-фотоприёмников

Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Менщиков Р.В., Ремесник В.Г., Ужаков И.Н.

Рост и характеризация nBn-структур на основе СdхHg1–хTe для фотоприёмников спектрального диапазона 3–5 мкм

Ступак М.Ф., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Макаров С.Н., Елесин А.Г.

Исследование влияния кристаллического совершенства на величину напряжений в структурах (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs с помощью генерации второй гармоники на основе фазового синхронизма

Настулявичус А.А., Кудряшов С.И., Смирнов Н.А., Пахольчук П.П., Шелыгина С.Н., Ултургашева Е.В., Сараева И.Н., Заярный Д.А., Пряхина В.И., Хмеленин Д.Н., Емельянова О.В., Мин Фам Хонг, Донг Фам Ван

Выбор режимов одностадийной высокопроизводительной печати серебряных проводящих дорожек на поверхности кремния методом лазерного переноса

Фотоника, нанофотоника и радиофотоника

Масталиева В.А., Неплох В.В., Айбуш А.В., Фёдоров В.В., Якубова А.А., Коваль О.Ю., Гудовских А.С., Макаров С.В., Мухин И.С.

Генерация второй гармоники c эффектом активации в гибкой мембране с кремниевыми нитевидными нанокристаллами

Алдохин П.А., Новоселов А.Р., Хрящёв С.В., Добровольский П.П., Шатунов К.П.

Исследования уровня внутреннего фона инфракрасного излучения на фотоприёмнике в криостате

Информация

К 55-летию АО «НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ»