УДК: 535.016, 535.15, 535.041.08

Исследование структурных и оптических свойств тонких поликристаллических пленок оксида цинка, полученных ионно-плазменным методом

Григорьев Л.В., Нефедов В.Г., Шакин О.В., Михайлов А.В., Елисеев Е.Н.

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Григорьев Л.В., Нефедов В.Г., Шакин О.В., Михайлов А.В., Елисеев Е.Н. Исследование структурных и оптических свойств тонких поликристаллических пленок оксида цинка, полученных ионно-плазменным методом // Оптический журнал. 2015. Т. 82. № 5. С. 66–70.

Grigoriev L.V., Nefedov V.G., Shakin O.V., Mikhailov A.V., Eliseev E.N. Study of the structural and optical properties of thin polycrystalline zinc oxide films obtained by the ion-plasma method [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2015. V. 82. № 5. P. 66–70.

Ссылка на англоязычную версию:

L. V. Grigor’ev, V. G. Nefedov, O. V. Shakin, A. V. Mikhaĭlov, and E. N. Eliseev, "Study of the structural and optical properties of thin polycrystalline zinc oxide films obtained by the ion-plasma method," Journal of Optical Technology. 82(5), 315-318 (2015). https://doi.org/10.1364/JOT.82.000315

Аннотация:

Приведены результаты исследования тонких поликристаллических пленок оксида цинка, созданных по новой элионной технологии – ионно-плазменного распыления металлической мишени в среде сильного газового окислителя. Показано, что ионно-плазменным методом можно синтезировать тонкие поликристаллические пленки оксида цинка с оптическими свойствами, близкими к оптическим свойствам монокристаллического оксида цинка. Оптические свойства тонких поликристаллических пленок оксида цинка, синтезированных ионно-плазменным методом, могут быть использованы в качестве светозвукопровода тонкопленочных акустооптических устройств, работающих на поверхностных акустических волнах, или ультрафиолетовых фотоприемников.

Ключевые слова:

поликристаллические тонкие пленки, оксид цинка, ионно-плазменное распыление, оптический спектр, ультрафиолетовые фотоприемники

Благодарность:

Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки Российской Федерации (идентификатор ПНИЭР: RFMEFI58114X0006).

Коды OCIS: 250.0250, 300.0300, 310.0310, 160.0160

Список источников:

1. Кривченко В.А., Лопаев Д.В., Пащенко П.В., Пирогов В.Г., Рахимов А.Т. Детекторы УФ излучения на основе нанокристаллических пленок ZnO // Журн. технической физики. 2008. Т. 78. № 8. С. 107–111.
2. Грузинцев А.Н., Волков В.Т., Бартхоу К. Спонтанное и вынужденное излучение тонкопленочных нанорезонаторов ZnO-SiO2-Si, полученных методом магнетронного напыления // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36. № 6. С. 741–745.
3. Грузинцев А.Н., Волков В.Т., Якимов Е.Е. Фотоэлектрические свойства пленок ZnO, легированных акцепторными примесями Cu и Ag // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. № 3. С. 275–278.
4. Asnis L.N., Nefedov V.G., Pokrovski A.A. All-fiber acousto-optic phase modulator using thin-film deposition technology // EFTF 16th European Frequency and Time Forum. Proceedings. St-Peterburg, Russia, 2002. P. 114–118.
5. Белянин А.Ф., Самойлович М.И., Ковальский К.А., Петухов К.Ю. Получение нанотекстурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2005. № 4. С. 46–54.
6. Goutzoulis A.P., Pape D.R., Kulakov S.V. Desing and fabrication of acousto-optic devices. NY: Marsel Dekker Inc., 1994. 497 p.
7. Русаков А.А. Рентгенография металлов. М.: Атомиздат, 1977. 480 с.
8. Закирова А.Н., Крылов П.Н., Суворов И.А., Федотова И.В. Влияние ионной обработки в процессе ВЧ магнетронного распыления на структуру пленок оксида цинка // Вестник Удмурдского государственного университета. Cерия «Физика конденсированного состояния вещества». 2012. Вып. 4. С. 14–17.
9. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. 366 с.
10. Алексеев С.А., Прокопенко В.Т., Яськов А.Д. Экспериментальная оптика полупроводников. СПб: Политехника. 1994. 246 с.
11. Веселов А.Г., Кирясова О.А., Сердобинцев А.А. Свойства пленок оксида цинка, синтезированных в низкотемпературном плазменном разряде в условиях бомбардировки компонентами плазмы // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. № 4. С. 496–499.