Наведенное электронным пучком поглощение в кристаллах фторидов щелочноземельных элементов

Сергеев П.Б., Зворыкин В.Д., Миронов И.А., Рейтеров В.М., Сергеев А.П. Наведенное электронным пучком поглощение в кристаллах фторидов щелочноземельных элементов // Оптический журнал. 2005. Т.72. №6 С. 85-89.

Sergeev P.B., Zvorykin V.D., Mironov I.A., Reiterov V.M., Sergeev A.P. Electron-beam induced absorption in crystals of the alkaline-earth fluorides [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2005. V. 72. No 6. P. 85-89.

Sergeev P.B., Zvorykin V.D., Sergeev A.P., Mironov I.A., Reiterov V.M. Electron-beam induced absorption in crystals of the alkaline-earth fluorides // Journal of Optical Technology. 2005. V. 72. № 6. P. 493-496. https://doi.org/10.1364/JOT.72.000493

Изучено поведение поглощения в области 120-1000 нм у современных высокочистых образцов кристаллов МgF₂, СаF₂ и ВаF₂ при их длительном облучении на воздухе электронным пучком с энергией менее 280 кэВ (порядка10⁴ импульсов, суммарный флюенс примерно 20 кДж/см²). После такого облучения наведенная оптическая плотность у СаF₂ и ВаF₂ в области 200-1000 нм была около 0,04-0,1. У образцов МgF₂ поглощение в УФ области при облучении монотонно увеличивалось и в области 260 нм они почти полностью потеряли свою прозрачность уже при флюенсах около 500 Дж/см². Показано, что в исследованных кристаллах наводимое электронным пучком поглощение в значительной степени определяется примесями, или уже присутствовавшими, или попавшими в образцы в процессе их облучения.