УДК: 535.33; 548.0

Люминесценция широкозонных соединений элементов II–VI групп с примесью олова

Махний В.П., Бойко Ю.Н., Протопопов E.В.

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Махний В.П., Бойко Ю.Н., Протопопов Е.В. Люминесценция широкозонных соединений элементов II–VI групп с примесью олова // Оптический журнал. 2012. Т. 79. № 2. С. 89–95.

Makhniy V. P., Boyko Yu. N., Protopopov E. V. Luminescence of broad-band compounds of elements of groups II–VI with a tin impurity // Opticheskii Zhurnal. 2012. V. 79. № 2. P. 89–95.

Ссылка на англоязычную версию:

V. P. Makhniy, Yu. N. Boyko, and E. V. Protopopov, "Luminescence of broad-band compounds of elements of groups II–VI with a tin impurity," Journal of Optical Technology. 79(2), 123-127 (2012). https://doi.org/10.1364/JOT.79.000123

Аннотация:

Исследованы люминесцентные свойства слоев халькогенидов кадмия и цинка, полученных диффузией олова в закрытом объеме из паровой фазы. Установлено, что легирование подложек ZnSe, CdS и CdSe вызывает увеличение эффективности краевого излучения, а ZnTe - к его исчезновению и появлению новой полосы в области энергий 1,8-2,1 эВ. Отсутствие люминесценции слоев CdTe:Sn в диапазоне 0,6 1,6 эВ объясняется эффектом гофрирования зон

Ключевые слова:

диффузия, амфотерная примесь, люминесценция, экситоны, донорно-акцепторная пара

Коды OCIS: 310.0310, 310.1210, 310.6860

Список источников:

1. Фистуль В.И. Амфотерные примеси в полупроводниках. М.: Металлургия, 1992. 240 с.
2. Фистуль В.И. Атомы легирующих примесей в полупроводниках. М.: Физ.-мат. лит., 2004. 432 с.
3. Недеогло Д.Д., Симашкевич А.В. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка. Кишинев: Штиинца, 1984. 152 с.
4. Ткаченко І.В. Механізми дефектоутворення та люмінесценціі у бездомішкових і легованих телуром кристалах селеніду цинку // Дис. канд. фіз.-мат. наук, 2005. 136 с.
5. Gryvul V.I., Makhniy V.P., Tkachenko I.V. Defect formation in diffysive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg // Function Materials. 2007. V. 14. № 3. Р. 48–52.
6. Гривул В.И., Махний В.П., Слетов М.М. Природа краевой люминесценции диффузионных слоев ZnSe:Sn // ФТП. 2007. Т. 47. В. 7. С. 806–807.
7. Koh Era, Langer D.W. Luminescence of ZnSe near the band edge under strong laser light excitation // J. Luminescence. 1970. V. 1–2. P. 514–527.
8. Гавриленко В.И., Грехов А.М., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Оптические свойства полупроводников: Справочник. Киев: Наукова думка, 1987. 607 с.
9. Физика и химия соединений АIIBVI / Под ред. Медведева С.А. М.: Мир, 1970. 624 с.
10. Махний В.П., Гривул В.И. Диффузионные слои ZnТe:Sn с электронной проводимостью // ФТП. 2006. Т. 40. В. 7. С. 794–795.
11. Середюк В.В., Ваксман Ю.Ф. Люминесценция полупроводников. Киев–Одесса: Вища школа, 1988. 200 с.
12. Корбутяк Д.В., Мельничук С.В., Корбут Е.В., Борисюк М.М. Телурид кадмію: домішково-дефектні стани та детекторні властивості. Київ: Іван Федоров, 2000. 198 с.
13. Махний В.П. Полуизолирующие слои теллурида кадмия // ЖТФ. 2005. Т. 75. В. 11. С. 122–123.
14. Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники. М.: Наука, 1967. 415 с.
15. Makhniy V.P., Slyotov M.M., Skrypnyk N.V. Peculiar optical properties of modified surface of monocrystalline cadmium telluride // Ukr. J. Rhys. Opt. 2009. V. 10. № 1. P. 54–60.