Анализ разработанной Л.В. Келдышем модели ионизации прозрачных кристаллов

Груздев В.Е. Анализ разработанной Л.В. Келдышем модели ионизации прозрачных кристаллов // Оптический журнал. 2004. Т.71. №8 С. 14-20.

Gruzdev V.E. Laser-pulse microstructuring of a silicon surface [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2004. V. 71. No 8. P. 14-20.

Gruzdev V.E. Laser-pulse microstructuring of a silicon surface // Journal of Optical Technology. 2004. V. 71. № 8. P. 504-508. https://doi.org/10.1364/JOT.71.000504

Целью данной работы является выяснение степени общности и области применимости формулы Л.В. Келдыша для скорости лазерной ионизации прозрачных кристаллов. Обсуждается физическая модель, лежащая в основе расчетов Келдыша. В соответствии с ней ионизация рассматривается как межзонные переходы между состояниями, возмущение которых связано с осцилляциями электронов в первой зоне Бриллюэна под действием электрического поля лазерного излучения. Анализируя эту модель, мы определяем основные ограничения на применимость формулы Келдыша, из которых наиболее существенные связаны с сильным влиянием зонной структуры на скорость ионизации. С использованием полученных результатов рассматривается возможность интерпретации экспериментальных данных по лазерной ионизации и пробою прозрачных твердых сред на основе формулы Келдыша.