Запись информации в тонких слоях халькогенидных полупроводников, основанная на фотоиндуцированных преобразованиях

Костюкевич С.А., Морозовская А.Н., Шепелявый П.Е., Крючин А.А., Костюкевич Е.В., Кудрявцев А.А., Москаленко Н.Л. Запись информации в тонких слоях халькогенидных полупроводников, основанная на фотоиндуцированных преобразованиях // Оптический журнал. 2005. Т.72. №5 С. 76-80.

Kostyukevich S.A., Morozovskaya A.N., Shepelyavyǐ P.E., Kryuchin A.A., Kostyukevich E.V., Kudryavtsev A.A., Moskalenko N.L. Recording information in thin films of chalcogenide semiconductors by using photoinduced transformations [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2005. V. 72. No 5. P. 76-80.

Kostyukevich S.A., Morozovskaya A.N., Shepelyavyǐ P.E., Kostyukevich E.V., Kudryavtsev A.A., Moskalenko N.L., Kryuchin A.A. Recording information in thin films of chalcogenide semiconductors by using photoinduced transformations // Journal of Optical Technology. 2005. V. 72. № 5. P. 418-421. https://doi.org/10.1364/JOT.72.000418

Исследована зависимость полуширины и глубины фототрансформированной области халькогенидного полупроводника от мощности записывающего гауссова лазерного пучка. Показано,что форма близка к параболической или трапециевидной зависимости от параметров фоточувствительного материала и мощности записывающего пучка. Полученные результаты могут помочь выбрать необходимые условия для оптимизации режима записи информации в тонких слоях халькогенидных полупроводников. Предложенная модель качественно описывает характеристики питов, полученных в тонких слоях Аs₄₀Sе₆₀ после позитивного селективного травления.