УДК: 621.382, 621.383.5

Серия кремниевых мультиплексоров для КТР-фотодиодов спектрального диапазона 8-16 мкм

Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Асеев А.Л.

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Асеев А.Л. Серия кремниевых мультиплексоров для КТР-фотодиодов спектрального диапазона 8-16 мкм // Оптический журнал. 2008. Т. 75. № 3. С. 60–67.

Kozlov A.I., Marchishin I.V., Ovsyuk V.N., Aseev A.L. A series of silicon multiplexers for HgCdTe photodiodes of the 8–16-μm spectral range [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2008. V. 75. № 3. P. 60–67.

Ссылка на англоязычную версию:

A. I. Kozlov, I. V. Marchishin, V. N. Ovsyuk, and A. L. Aseev, "A series of silicon multiplexers for HgCdTe photodiodes of the 8–16-μm spectral range," Journal of Optical Technology. 75 (3), 187-193 (2008). https://doi.org/10.1364/JOT.75.000187

Аннотация:

В работе представлены результаты разработки линейных (1 х288,1 х576) и матричных (128x128, 320x256) кремниевых мультиплексоров для КРТ-фото диодов спектрального диапазона 8-16 мкм. Приведены типичные параметры мультиплексоров и характеристики длинноволновых гибридных ИК фотоприемников, созданных в Институте физики полупроводников СО РАН.

Коды OCIS: 040.3060, 110.3080, 130.5990

Список источников:

1. Рогальский А. Инфракрасные детекторы. Пер. с англ. / Под ред. А.В. Войцеховского. Новосибирск: Наука, 2003. 636 с.

2. ОвсюкВ.Н., Васильев В.В., Козлов А.И. и др. Фотоприемные устройства на основе слоев КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (глава 3) // "Матричные фото приемные устройства инфракрасного диапазона". Новосибирск: Наука, 2001. 376 с.

3. Козлов А.И., МарчишинИ.В., ОвсюкВ.Н., ШашкинВ.В. Кремниевые мультиплексоры для многоэлементных фотоприемников ИК диапазона // Автометрия. 2005. Т. 41. №3. С. 88-99.

4. Овсюк В.Н., Сизов Ф.Ф., Сидоров Ю.Г. и др. Фотоприемники на основе гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xTе, для среднего и дальнего ИК диапазонов // Микроэлектроника. 2002. Т. 31. № 6. С. 414-422.
5. www.sofradir.com
6. www.indigosystems.com
7. Destefanis G., Audebert P., Mottin E. et al. High performance LWIR 256×256 HgCdTe focal plane array operating at 88 K // Proc. SPIE. 1997. V. 3061. P. 111–118.
8. Mottin E., Pantigny P., Boch R. An improved architecture of IR FPA readout circuits // Proc. SPIE. 1997. V. 3061. P. 119–128.
9. Kanno T., Saga M., Kawahara A. et al. Development of LPE grown HgCdTe 64×64 FPA with a cutoff wavelength of 10,6 μm // Proc. SPIE. 1993. V. 2020. P. 49–56.
10. Hsieh C.C., Wu C.Y., Sun T.P. A new cryogenic CMOS readout structure for infrared focal plane array // IEEE J. of SSC. 1997. V. 32. № 8. P. 1192–1199.
11. Hsieh C.C., Wu C.Y., Sun T.P., Jih F.W., Cherng Y.T. Highperformance CMOS buffered gate modulation input readout circuits for IR FPA // IEEE J. of SSC. 1998. V. 33. № 8. P. 1188–1198.
12. Акимов В.М., Еремеева Л.Е., Лисейкин В.П. и др. Разработка охлаждаемых МОП-мультиплексоров для считывания и обработки сигнала с фото диодных КРТ-мат-риц // Оптический журнал. 1995. № 12. С. 63-70.

13. Бовина Л.Ф., Болтарm КО., Бурлаков И.Д. и др. Фокальные матрицы на основе KPT-фото диодов для спектральных диапазонов 3-5 и 8-12 мкм // Оптический журнал. 1996. № 6. С. 74-77.

14. Стафеев В.И., Болтаръ К.О., Бурлаков И.Д. и др. Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTе // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. № 10. С. 1257-1265.
15. Chamonal J.P., Audebert P. et. al. Long MWIR HgCdTe butted linear arrays // Proc. SPIE. 1997. V. 3061. P. 467–475.
16. Крымский А.И., Фомин Б.И., Черепов Е.И. Особенности проектирования и некоторые реализации кремниевых мультиплексоров для линеек ИК фотодиодов. // Автометрия. 1994. № 2. С. 79-92.

17. Приборы с зарядовой связью / Под ред. Хоувза М., Моргана Д. Пер. с англ. М.: Энергоиздат, 1981. 376 с.
18. Ovsyuk V.N., Sizov F.F., Vasilyev V.V. et. al. MCT heteroepitaxial 4×288 FPA // Infrared Physics and Technology. 2004. V. 45. P. 13–21.
19. Forsthoefel J.J., Davis R.M. et. al. Performance of a linear multiplexed MWIR FPA featuring buffered direct injection // Proc. SPIE. 1989. V. 1157. P. 329–338.
20. Longo J.T. et. al. Infrared focal planes in intrinsic semiconductors // IEEE J. of Solid-Stat Circuits. 1978. V. SC-13. № 1. P. 139–151.
21. Bluzer N., Jensen A.S. Current readout of infrared detectors // Opt. Engin. 1987. V. 26. № 3. P. 241–248.
22. Lockwood A.H., Parrish W.J. Predicted performance of indium antimonide focal plane arrays // Opt. Engin. 1987. V. 26. № 3. P. 228–236.
23. Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н. Унифицированные кремниевые мультиплексоры 128x128 для инфракрасных фотоприемных устройств // Автометрия. 2006. Т. 42. №4. С. 109-118.