УДК: 621.315.592, 621.383.4/5.029.71/73

Линейчатый фотоприемник формата 288×4 с двунаправленным режимом временной задержки и накопления

Васильев В.В., Предеин А.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Рева В.П., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сизов Ф.Ф., Сусляков А.О., Асеев А.Л.

Полный текст «Оптического журнала»

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Васильев В.В., Предеин А.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Рева В.П., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сизов Ф.Ф., Сусляков А.О., Асеев А.Л. Линейчатый фотоприемник формата 288×4 с двунаправленным режимом временной задержки и накопления // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 30–35.

Vasiliev V.V., Predein A.V., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Dvoretskiy S.A., Reva V.P., Sabinina I.V., Sidorov Yu.G., Sizov F.F., Suslyakov A.O., Aseev A.L. Linear 288×4-format photodetector with a bidirectional time-delay-and-storage regime [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2009. V. 76. № 12. P. 30–35.

Ссылка на англоязычную версию:

V. V. Vasil’ev, A. V. Predein, V. S. Varavin, N. N. Mikhaĭlov, S. A. Dvoretskiĭ, V. P. Reva, I. V. Sabinina, Yu. G. Sidorov, A. O. Suslyakov, A. L. Aseev, and F. F. Sizov, "Linear 288×4-format photodetector with a bidirectional time-delay-and-storage regime," Journal of Optical Technology. 76 (12), 757-761 (2009). https://doi.org/10.1364/JOT.76.000757

Аннотация:

Разработаны, изготовлены и исследованы n–p-фотодиодные инфракрасные фотоприемники на основе гибридной сборки фоточувствительных элементов формата 288×4 с шагом 56×43 мкм из гетероэпитаксиальных структур теллурида кадмия и ртути, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, для спектрального диапазона 8–12 мкм и кремниевых мультиплексоров с двунаправленным сканированием, внутренней временной задержкой и накоплением сигнала. Линейчатый фотоприемник формата 288×4 имеет следующие средние значения вольтовой чувствительности, удельной обнаружительной способности и NETD в максимуме чувствительности: (1–3)×108 В/Вт, (1,5–2,0)×1011 смГц1/2Вт-1 и 9 мК соответственно. Дефектные каналы отсутствуют.

Ключевые слова:

многолинейчатый ИК фотоприемник на основе CdHgTe, кремниевый КМОП-мультиплексор, режим ВЗН, NETD

Коды OCIS: 160.1898, 040.3060, 230.5160, 230.4170, 310.680

Список источников:

1. Fossum E., Pain B. Infrared readout electronics for space-science sensors: state of art and future directions // Proc. SPIE. 1994. № 2020. P. 262–285.
2. Tribolet Ph., Hirel Ph., Lussereau A., Vuillermet M. Main results of sofradir IRFPAs including IRCCD and IRCMOS detectors // Proc. SPIE. 1994. № 2252. P. 369–380.
3. Рогальский А. Инфракрасные детекторы: Пер. с англ. / Под ред. Войцеховского А.В. Новосибирск: Наука, 2003. 636 c.
4. Manissadjian A., Tribolet P., Chorier P., Costa P. Sofradir infrared detector products: the past and the future // Proc. SPIE. 2000. V. 4130-58. P. 1–16.
5 Vasiliev V.V., Klimenko A.G., Marchishin I.V., Ovsyuk V.N., Talipov N.Ch., Zahar’yash T.I., Golenkov A.G., Derkach Yu.P., Reva V.P., Sizov F.F., Zabudsky V.V. MCT heteroepitaxial 4×288 FPA // Infrared Physics & Technology. 2004. V. 45. № 1. P. 13–23.
6. Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сабинина И.В. Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов кадмий-ртуть-теллур на “альтернативных” подложках // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. В. 9. С. 1092–1101.
7. Голенков А.Г., Дворецкий С.А., Есаев Д.Г., Захарьяш Т.И., Клименко А.Г., Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Рева В.П., Сидоров Ю.Г., Сизов Ф.Ф., Сусляков А.О., Талипов Н.Х. Фотоприемники на основе гетероэпитаксиальных слоев СdxHg1–xTe для среднего и дальнего ИК диапазонов // Микроэлектроника. 2002. Т. 31. № 6. С. 414–422.
8. Гуменюк-Сычевская Ж.В., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Забудский В.В., Лысюк И.А., Михайлов Н.Н. Механизмы токопереноса фотодиодов на основе ГЭС КРТ МЛЭ для спектрального диапазона 8–12 мкм // Тезисы докл. XX Междунар. научно-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М., 2008. С. 145.
9. Sizov F.F., Derkach Yu.P., Kononenko Yu.G., Reva V.P. Testing of readout device processing electronics for IR linear and focal plane arrays // Proc. SPIE. 1998. V. l. № 3436. P. 942–948.
10. Sizov F.F., Vasil’ev V.V., Suslyakov A.O., Reva V.P., Golenkov A.G. 4×288 Readouts and FPAs Propeties // Optoelectron review. 2006. V. 14. P. 67–74.
11. Sizov F.F., Reva V.P., Derkach Y.P., Vasiliev V.V. Comparative analysis of 4×288 readouts and FPAs // Proc. SPIE. 2005. № 5964. P 301–308.
12. Janesik J.R. Scientific Charge – Coupled Devices. P.O. box 10, Bellingham, WA. 98227-0010, USA, 2001. P. 920.
13. Vasiliev V.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Ovsyuk V.N., Sidorov Yu.G., Suslyakov A.O., Yakushev M.V., Aseev A.L. HgCdTe epilayers on GaAs: growth and devices // Opto-electronics review. 2003. V. 11. № 2. P. 99–111.