УДК: 669.2

Использование полупроводниковых свойств некоторых модификаций силицидов титана, полученных методом быстрой термической обработки, для создания фотоприемников

Емельяненко Ю.С., Колос В.В., Маркевич М.И., Стельмах В.Ф., Чапланов А.М.

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Емельяненко Ю.С., Колос В.В., Маркевич М.И., Стельмах В.Ф., Чапланов А.М. Использование полупроводниковых свойств некоторых модификаций силицидов титана, полученных методом быстрой термической обработки, для создания фотоприемников // Оптический журнал. 2010. Т. 77. № 8. С. 72–74.

Emelianenko Yu.S., Kolos V.V., Markevich M.I., Stelmakh V.F., Chaplanov A.M. Using the semiconductor properties of certain modifications of titanium silicides obtained by rapid heat treatment to create photodetectors [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2010. V. 77. № 8. P. 72–74.

Ссылка на англоязычную версию:

Yu. S. Emel’yanenko, V. V. Kolos, M. I. Markevich, A. M. Chaplanov, and V. F. Stel’makh, "Using the semiconductor properties of certain modifications of titanium silicides obtained by rapid heat treatment to create photodetectors," Journal of Optical Technology. 77(8), 519-520 (2010). https://doi.org/10.1364/JOT.77.000519

Аннотация:

Проведено исследование оптических свойств системы Au/TiSi2(C49)/Sin-типа/Si, сформированной методом быстрой термической обработки. Показано, что максимум спектральной чувствительности находится в области 750 нм. Максимальная чувствительность достигает 35 мА/Вт в диапазоне длин волн 750–800 нм. Сделан вывод о том, что на основе данной структуры, полностью совместимой с известной технологией, применяемой для изготовления полупроводниковых приборов на кремнии (кремниевая технология), возможно создание фотоприемника, чувствительного в диапазоне 350–1050 нм.

Ключевые слова:

дисилицид титана, быстрая термическая обработка, оптические свойства, фотоприемник, кремниевая технология

Коды OCIS: 040.5160

Список источников:

1. Пилипенко В.А. Быстрые термообработки в технологии СБИС. Минск: изд-во Центр БГУ, 2004. 531 с.
2. Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве. Минск: Наука и техника, 1992. 247 с.
3. Мьюрарка С.П. Силициды для БИС. М.: Мир, 1986. 175 с.
4. Пилипенко В.А., Горушко В.А., Пономарь В.Н., Пилипенко И.В. Электрофизические и механические свойства дисилицида титана, полученного с применением быстрой термообработки // Вестник БГУ. 2001. Сер. 1. № 2. С. 43–45.
5. Niess J., Paul S., Buschbaum S. Mainstream rapid thermal processing for source-drain engineering from first applications to latest results // Mat. Sci. and Eng. B. V. 114–115. P. 141–150.
6. Бурова С.В., Злобин В.П., Иевлев В.М. Формирование силицидов титана методом импульсного фотонного отжига // Электронная промышленность. 1988. № 2. С. 34–37.
7. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Санин В.Н. Твердофазный синтез силицидов при импульсной фотонной обработке гетеросистем Si–Me (Me: Pt, Pd, Ni, Mo, Ti) // ФХОМ. 2002. № 1. С. 27–31.
8. Емельяненко Ю.С., Колос В.В., Маркевич М.И., Стельмах В.Ф., Чапланов А.М. Влияние импульсной фотонной обработки на свойства системы TiN/Ti/Si // Электроника-ИНФО. 2008. № 9. С. 55–57.