УДК: 621.376.234: (621.396.62: 523.164)

Планарная система регистрации субмиллиметрового излучения

Есман А.К., Кулешов Н.П., Зыков Г.Л., Залесский В.Б.

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Есман А.К., Кулешов В.К., Зыков Г.Л., Залесский В.Б. Планарная система регистрации субмиллиметрового излучения // Оптический журнал. 2012. Т. 79. № 6. С. 67–71.

Esman A. K., Kuleshov V. K., Zykov G. L., Zalesskiĭ V. B. Planar system for recording submillimeter radiation [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2012. V. 79. № 6. P. 67–71.

Ссылка на англоязычную версию:

A. K. Esman, V. K. Kuleshov, G. L. Zykov, and V. B. Zalesskiĭ, "Planar system for recording submillimeter radiation," Journal of Optical Technology. 79(6), 363-365 (2012). https://doi.org/10.1364/JOT.79.000363

Аннотация:

Показано, что выполнение системы регистрации субмиллиметрового излучения на основе планарных открытых микрорезонансных структур в виде аподизирован-ных диэлектрических решеток с коэффициентом заполнения, изменяющимся по линейному закону, связанных через трансформатор импеданса с низкобарьерным детекторным диодом Шоттки без смещения, позволяет достичь - потерь на отражение--26,5 дБ, - коэффициента стоячей волны - 1,1, - эффективности преобразования - 98,6% при шумовой эквивалентной мощности NEP - 8,05х10 ^-12 Вт Гц ^-1/2.

Ключевые слова:

аподизированная диэлектрическая решетка, низкобарьерный диод Шоттки с нулевым смещением, субмиллиметровое излучение, трансформатор импеданса

Коды OCIS: 040.2235, 040.6808, 110.3080

Список источников:

1. Маремьянин К.В., Ермолаев Д.М., Фатеев Д.В., Морозов С.В., Малеев Н.А., Земляков В.Е., Гавриленко В.И., Попов В.В., Шаповал С.Ю. Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площади // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 8. С. 39–47.
2. Momot N., Zabudsky V., Tsybrii Z., Apats’ka M., Smoliy M., Dmytruk N. Zero bias terahertz and subterahertz detector operating at room temperature // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2010. V. 13. № 2. P. 166–169.
3. Ruonan Han, Yaming Zhang, Coquillat D., Hoy J., Videlier H., Knap W., Brown E., Kenneth K.O. 280-GHz Schottky diode detector in 130 nm digital CMOS // 2010 IEEE Custom Integrated Circuits Conference, San Jose, California, USA, 2010. P. 619–623.
4. Giovine E., Casini R., Dominijanni D., Notargiacomo A., Ortolani M., Foglietti V. Fabrication of Schottky diodes for terahertz imaging // Microelectronic Eng. 2011. V. 88. № 8. P. 2544–2546.
5. Gonzalez F.G., Boreman G.D. Comparison of dipole, bowtie, spiral and log-periodic IR antennas // Infrared Physics and Technology. 2005. V. 46. № 5. P. 418–428.
6. Есман А.К., Кулешов В.К., Зыков Г.Л. Детектирующая антенна терагерцового диапазона // Патент Республики Беларусь на полезную модель № 7220. 2011.
7. HFSS v12.0 User Manual. Pittsburgh, PA: Ansoft Corporation, 2009.
8. Банков С.Е., Курушин А.А. Расчет антенн и СВЧ структур с помощью HFSS Ansoft. М.: ЗАО “НПП “Родник”, 2009. 256 с.
9. Sydlo C., Cojocari O., Schonherr D., Goebel T., Meissner P., Hartnagel H.L. Fast THz detectors based on InGaAs Schottky diodes // Frequenz. 2008. V. 62. № 5–6. P. 107–110.
10. Shashkin V.I., Drjagin Y.A., Zakamov V.R., Krivov S.V., Kukin L.M., Murel A.V., Chechenin Y.I. Millimeterwave detectors based on antenna-coupled low-barrier Schottky diodes // Intern. J. of Infrared and Millimeter Waves. 2007. V. 28. № 11. P. 945–952.