УДК: 535.016, 535.15, 535.041.08

Исследование энергетического спектра нанокластеров кремния в матрице диоксида кремния

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Григорьев Л.В., Михайлов А.В. Исследование энергетического спектра нанокластеров кремния в матрице диоксида кремния // Оптический журнал. 2014. Т. 81. № 10. С. 77–82.

Grigoriev L.V., Mikhailov A.V. Investigating the energy spectrum of silicon nanoclusters in a silicon dioxide matrix [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2014. V. 81. № 10. P. 77–82.

Ссылка на англоязычную версию:

L. V. Grigor’ev and A. V. Mikhaĭlov, "Investigating the energy spectrum of silicon nanoclusters in a silicon dioxide matrix," Journal of Optical Technology. 81(10), 616-620 (2014). https://doi.org/10.1364/JOT.81.000616

Аннотация:

Приведены результаты исследования энергетического спектра ловушек, находящихся в кремниевом нанокомпозите, созданном по новой элионной технологии − низкотемпературной лазерной модификации поверхности слоя нанопористого кремния в среде сильного газового окислителя. Совместный анализ спектров пропускания лазерно-окисленного нанопористого кремния и функции распределения ловушек по энергии активации позволил объяснить наличие селективного поглощения в инфракрасном диапазоне спектра.

Ключевые слова:

кремниевый нанокомпозит, лазерная модификация поверхности, оптический спектр, селективное поглощение, термоактивационная токовая спектроскопия

Коды OCIS: 250.0250, 300.0300, 310.0310, 160.0160

Список источников:

1. Pavesi L. Will silicon be the photonic material of the third millennium // J. Phys.: Condens. Matter. 2003. V. 15. № 26. P. R1169–R1196.
2. Lourenço M.A., Gwilliam R.M., Homewood K.P. Silicon light emitting diodes emitting over the 1.2−1.4 μm wavelength region in the extended optical communication band // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. № 16. P. 161168−161170.
3. Mashanovich G.Z., Milosevich M.M., Nedeljkovic M., Owens N., Xiong B., Teo E.J., Hu Y. Low loss silicon waveguides for the mid-infrared // Opt. Exp. 2011. V. 19. № 8. P. 7113−7119.
4. Григорьев Л.В., Михайлов А.В. Формирование кремниевого нанокомпозита лазерным отжигом в среде сильного окислителя // Оптический Журнал. 2013. Т. 80. № 11. С. 94−97.
5. Gullis A.G., Canham L.T., Calcott P.D.J. The structural and luminescence properties of porous silicon // Appl. Phys. 1997. V. 82. № 3. P. 909−965.
6. Гаврилов С.А., Белов А.Н. Электрохимические процессы в технологии микро и наноэлектроники. М.: Высшее образование, 2009. 257 с.
7. Григорьев Л.В., Коноров П.П., Михайлов А.В. Селективное поглощение в термически окисленном нанопористом кремнии // Оптический журнал. 2012. Т. 79. № 2. С. 94−97.
8. Bisi O., Ossieni S., Pavesi L. Porous silicon: a quantum stronge for silicon based optoelectronics // Surf. Sci. Rep. 2000. V. 38. № 1. P. 1−126.
9. Гороховатский Ю.А. Термоактивационная спектроскопия высокоомных материалов. М.: Радио и связь, 1991. 376 с.
10. Арсенин В.Я., Тихонов А.Н. Методы решения некорректных задач. М.: Наука, 1979. 240 с.
11. Арсенин В.Я., Тихонов А.Н. Численные методы решения некорректных задач. М.: Наука, 1991. 230 с.