УДК: 535.14

Псевдотуннельные фотопереходы в гетероструктурах с квантовыми ямами. I. Фотозарядка глубоких примесей в барьере

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Перлин Е.Ю., Попов А.А. Псевдотуннельные фотопереходы в гетероструктурах с квантовыми ямами. I. Фотозарядка глубоких примесей в барьере // Оптический журнал. 2014. Т. 81. № 7. С. 3–6.

Perlin E.Yu., Popov A.A. Pseudotunnel phototransitions in heterostructures with quantum wells. I. Photocharging of deep impurities in a barrier [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2014. V. 81. № 7. P. 3–6.

Ссылка на англоязычную версию:

E. Yu. Perlin and A. A. Popov, "Pseudotunnel phototransitions in heterostructures with quantum wells. I. Photocharging of deep impurities in a barrier," Journal of Optical Technology. 81(7), 365-367 (2014). https://doi.org/10.1364/JOT.81.000365

Аннотация:

Рассмотрены оптические переходы в структуре с глубокими квантовыми ямами с зонной схемой типа I, содержащей глубокие примеси в области барьера. С помощью формализма туннельного гамильтониана получены выражения для скоростей фотопереходов между состояниями в валентной зоне в квантовой яме и уровнями глубоких примесных центров. Показано, что при частоте света выше некоторого порогового значения скорость фотозарядки примесей резко возрастает.

Ключевые слова:

туннелирование с участием фотонов, надбарьерные переходы, глубокие примесные центры, квантовые ямы

Благодарность:

Работа выполнена при государственной финансовой поддержке ведущих университетов Российской Федерации (субсидия 074-U01) и РФФИ (грант 09-02-00223).

Коды OCIS: 190.4180, 190.7220, 190.4720

Список источников:

1. Оптика наноструктур / Под ред. Федорова А.В. СПб.: Изд-во “Недра”, 2005. 326 с.
2. Gaponenko S.V. Optical properties of semiconductor nanocrystals. Cambridge: Cambridge University Press, 1998. 260 с.
3. Tunneling phenomena in solids / Ed. by Burstein E., Lundquist S. NY: Plenum Press, 1969. 579 p. (Русский перевод: Туннельные явления в твердых телах / Под. ред. Бурштейна Э., Лундквиста С. М.: Мир, 1973. 420 c.).
4. Перлин Е.Ю. Фотостимулированная туннельная и надбарьерная инжекция в полупроводниках // Письма ЖТФ. 1975. Т. 1. № 16. С. 754−758.
5. Перлин Е.Ю., Усейнов Р.Г. Люминесценция, вызванная фотоиндуцированной инжекцией в контактных структурах // Известия АН СССР. Сер. физ. 1976. Т. 40. № 9. С. 1899−1903.
6. Перлин Е.Ю., Усейнов Р.Г. Туннельная и надбарьерная инжекция в p-n переходах, стимулированная интенсивным светом // Неоднородные и примесные полупроводники во внешних полях / Кишинев: Изд-во “Штиинца”, 1979. С. 47−63.
7. Перлин Е.Ю., Усейнов Р.Г. Псевдотуннельные фотопереходы в полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 1978. Т. 13. № 9. С. 1756−1762.
8. Усейнов Р.Г., Перлин Е.Ю. Излучательная рекомбинация, сопровождаемая рассеянием на примесях в туннельных диодах // Физика и техника полупроводников. 1982. Т. 16. № 6. С. 1010−1012.
9. Перлин Е.Ю., Усейнов Р.Г. Фотопереходы, сопровождаемые рассеянием на примесях, в туннельных диодах // Физика и техника полупроводников. 1980. Т. 14. № 3. С. 570−573.
10. Арбузов С.Н., Колбин М.Н., Перлин Е.Ю., Усейнов Р.Г. Оптическая туннельная перезарядка ловушек анодного окисла InSb // Физика и техника полупроводников. 1981. Т. 15. № 7. С. 1420−1423.
11. Левицкий Р.С., Иванов А.В., Перлин Е.Ю. Эффект фотонной лавины в гетероструктурах типа I с глубокими квантовыми ямами // Оптический журнал. 2006. Т. 73. № 2. С. 3–8.
12. Левицкий Р.С., Перлин Е.Ю., Попов А.А. Многофотонная генерация электрон-дырочных пар в кристаллах с глубокими примесями. I. Вероятности двухфотонных переходов “зона−примесь” // Оптический журнал. 2010. Т. 77. № 10. С. 3–9.