УДК: 537.533.3

Влияние предварительной плазменной обработки на люминесцентные свойства пористого кремния

Галкин Н.Г., Ян Д.Т., Чусовитин Е.А., Расин А.Б., Галкин К.Н., Боженко М.В., Мараров В.В., Асташинский В.М., Кузьмицкий А.М.

Полный текст «Оптического журнала»

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Галкин Н.Г., Ян Д.Т., Чусовитин Е.А., Расин А.Б., Галкин К.Н., Боженко М.В., Мараров В.В., Асташинский В.М., Кузьмицкий А.М. Влияние предварительной плазменной обработки на люминесцентные свойства пористого кремния // Оптический журнал. 2014. Т. 81. № 8. С. 14–18.

Galkin N.G., Yan D.T., Chusovitin E.A., Rasin A.B., Galkin K.N., Bozhenko M.V., Mararov V.V., Astashinskiy V.M., Kuzmitskiy A.M. How plasma preprocessing affects the luminescence properties of porous silicon [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2014. V. 81. № 8. P. 14–18.

Ссылка на англоязычную версию:

N. G. Galkin, E. A. Chusovitin, A. B. Rasin, K. N. Galkin, M. V. Bozhenko, V. V. Mararov, D. T. Yan, V. M. Astashinskiĭ, and A. M. Kuz’mitskiĭ, "How plasma preprocessing affects the luminescence properties of porous silicon," Journal of Optical Technology. 81(8), 431-434 (2014). https://doi.org/10.1364/JOT.81.000431

Аннотация:

Проведены измерения излучающих свойств пористого кремния, полученного анодным травлением монокристаллического кремния р-типа (100), обработанного плазмой. Обнаружен значительный рост интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) исследуемых образцов по сравнению с интенсивностью ФЛ пористого кремния, полученного на поверхности монокристаллического кремния без предварительной плазменной обработки.

Ключевые слова:

пористый кремний, плазменная обработка, фотолюминесценция

Коды OCIS: 250.0250

Список источников:

1. Иоффе А.Ф. Физика полупроводников / М.: Изд-во АН СССР, 1957. 490 с.
2. Canham L.T. Visible photoluminescence of porous Si// Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. № 10. P. 1046–1049.
3. Sawada S., Namada N., Ookubo N. Mechanism of visible photoluminescence of porous silicon // Phys. Rev. B. 1994. V. 49. № 8. P. 5236–5245.
4. Dimova-Malinovska D., Sendova-Vasileva M., Marinova T., Krastev V., Kamenova M. and Tzenov N. Correlation between the photoluminescence and chemical bonding in porous silicon // Thin Solid Films. 1996. V. 276. № 1–2. P. 290–292.
5. Canham L. T., Lioni A., Calcott P.D., Simons A.J., Reeves C., Houlton M.R., Newey J.P., Nash K.J. and Cox T.I. On the origin of blue luminescence arising from atmospheric impregnation of oxidized porous silicon // Thin Solid Films. 1996. V. 276. № 1–2. P. 112–115.
6. Kozlovski F., Wiedenhofer A., Wagenseil W., Steiner P. and Lang W. Stability of photoluminescence and electroluminescence of porous silicon// Thin Solid Films .1996. № 1–2. V. 276. P. 284–286.
7. Dittrich T., Flietner H., Timoshenko V. Yu. and Kashkarov P.K. Influence of the oxidation process on the luminescence of HF-treated porous silicon // Thin Solid Films. 1997. V. 255. P. 149–151.
8. Соболев Н.А. Кремний, легированный эрбием, – новый полупроводниковый материал для оптоэлектроники // Рос. хим. ж. 2001. Т. XLV. № 5–6. C. 95–101.
9. Choi S.W., Choi W.B., Lee Y.H. and Ju B.K. Effect of oxygen plasma treatment on anodic bonding // Journ. Of Kor. Phys. Soc. 2001.V. 38. № 3. P. 207–209.
10. Баимбетов Ф.Б., Ибраев Б.М., Жукешов А.М. Обработка поверхности кремния импульсной азотной плазмой // Физ. и техн. полупроводн. 2002. Т. 36. № 2. С. 197–198.
11. Galkin N.G., Chusovitin E.A., Galkin K.N., Astashinski V.M., Kuzmitski A.M., Mishchuk A.A. Morphology, optical properties and band structure parameters of monocrystalline silicon modified by compression plasma flow // Proc. of nanomeeting-2007. Ed.: V.E. Borisenko, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin. World Scientific Publishing Company, Singapore. 2007. P. 495.
12. Astashinski V.M., Ananin S.I., Emelyanenko A.S., Kosytukevich E.A., Kuzmitski A.M., Zhvavy S.P., Uglov V.V. Bulk periodic strucrures formation on monocrystalline silicon surface under the action of compression plasma flow// Applied Surface Science. 2006. V. 253. №. 4. P. 1866–1872.
13. Dojcinovic I.P., Kuraica M.M. and Puric J. Diagnostis of silicon submicron cylindrical structures obtained by plasma flow action // Vacuum. V. 80. 2006. P. 1381–1385.
14. Petukhou Y.A, Uglov V.V., Kvasov N.T., Punko A.V., Dorochevich I.L., Astashinski V.M., Kuzmitski A.M. Formation of silcon-based nanostructures by compession plasma flow//Nanomaterials: application and properties. NAP-2011. Vol. 1. Part II. P. 440–447.